本申请提供一种信号检测装置、触控板和电子设备，能够提高了芯片的资源利用率。信号检测装置包括：检测芯片，包括电容检测引脚和电平检测引脚，其中，电容检测引脚连接触控板中的检测电极，用于检测检测电极的电容信号，电平检测引脚连接检测芯片外围的电平检测电路，用于向电平检测电路输出驱动电压，以通过电平检测电路检测输入信号检测装置的第一电平信号；以及，电平检测电路，包括分压器件和开关器件，所述分压器件与所述开关器件串联，其中，开关器件用于根据第一电平信号的状态导通或者断开，分压器件用于对驱动电压进行分压，以在电平检测引脚产生第二电平信号，第二电平信号用于确定第一电平信号的状态。用于确定第一电平信号的状态。用于确定第一电平信号的状态。
【技术实现步骤摘要】
信号检测装置、触控板和电子设备
[0001]本申请实施例涉及触控
，并且更具体地，涉及一种信号检测装置、触控板和电子设备。
技术介绍
[0002]在电子设计中，当我们需要识别信号的高低电平状态时，需要用到芯片的通用输入输出(General Purpose Input/Output，GPIO)引脚或模拟数字转换器(Analog to Digital Converter，ADC)。但是GPIO引脚和ADC引脚的数量较少。在一些应用场景中，当需要大量使用高低电平的检测功能时，GPIO引脚或ADC引脚的数量就不足以满足高低电平检测的需求。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种信号检测装置、触控板和电子设备，能够提高了芯片的资源利用率。
[0004]第一方面，提供了一种信号检测装置，其特征在于，包括：
[0005]检测芯片，包括电容检测引脚和电平检测引脚，其中，所述电容检测引脚连接触控板中的检测电极，用于检测所述检测电极的电容信号，所述电平检测引脚连接所述检测芯片外围的电平检测电路，用于向所述电平检测电路输出驱动电压，以通过所述电平检测电路检测输入所述信号检测装置的第一电平信号；以及，
[0006]所述电平检测电路，包括分压器件和开关器件，所述分压器件与所述开关器件串联，其中，所述开关器件用于根据所述第一电平信号的状态导通或者断开，所述分压器件用于对所述驱动电压进行分压，以在所述电平检测引脚产生第二电平信号，所述第二电平信号用于确定所述第一电平信号的状态。
[0007]基于该技术方案，由于触控检测芯片上用于进行电容检测的引脚数量较多，通常会有富余的引脚空闲，因此，利用该检测芯片上的原本用来进行电容检测的引脚进行电平状态的检测，能够提高芯片的资源利用率，解决了芯片上GPIO引脚不足导致无法满足电平检测需求的问题。为了实现这一目的，本申请在芯片外围设置了与该引脚连接的电平检测电路，包括分压器件和开关器件，开关器件用于根据待测的第一电平信号的状态导通或者断开，分压器件用于对该引脚输出的驱动电压进行分压，以在该引脚产生相应的第二电平信号。第一电平信号的状态不同时，开关器件的状态也不同，从而导致第二电平信号不同。检测芯片可以根据该第二电平信号的变化，确定第一电平信号的高低状态，实现了利用富余的电容检测引脚进行电平检测的目的。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述检测芯片还包括：驱动模块，与所述电平检测引脚连接，用于向所述电平检测引脚输出所述驱动电压；以及，处理模块，与所述电平检测引脚连接，用于检测所述电平检测引脚产生的所述第二电平信号，并根据所述第二电平信号确定所述第一电平信号的状态。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述电平检测电路还包括限流电阻，所述限流电阻的一端连接所述开关器件，另一端连接至所述第一电平信号。
[0010]该实施例中，第一电平信号引起的电流较大时可能会对电平检测电路造成损坏，为此，可以设置限流电阻，连接在开关器件和第一电平信号的输入端之间，从而避免对信号检测装置造成损坏。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述开关器件为晶体管，所述晶体管用于：在所述第一电平信号为高电平状态时导通，以基于所述分压器件对所述驱动信号进行分压；和/或，在所述第一电平信号为低电平状态时断开，以基于所述分压器件和所述晶体管对所述驱动信号进行分压。
[0012]该实施例中采用晶体管作为开关器件。由于晶体管会受电压影响，当第一电平信号超过其导通电压时，晶体管导通，当第一电平信号未超过其导通电压时，晶体管断开。这时，当晶体管导通，则其可以看作导线，等效阻抗基本为0，仅有分压器件参与分压过程；而当晶体管断开，其等效阻抗不可忽略，晶体管也会参与分压过程，从而与分压器件一起对驱动电压进行分压。这样，晶体管导通和断开时在电平检测引脚处产生的第二电平信号就存在差异，据此可以确定第一电平信号的状态。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述第一电平信号为高电平状态时所述电平检测引脚产生的所述第二电平信号，小于所述第一电平信号为低电平状态时所述电平检测引脚产生的所述第二电平信号。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述晶体管为N型金属氧化物半导体(NMetal
‑
Oxide Semiconductor，NMOS)管，其中，所述分压器件的一端连接所述电平检测引脚，所述分压器件的另一端连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的栅极用于接收所述第一电平信号。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述晶体管为(P Metal
‑
Oxide Semiconductor，PMOS)管，其中，所述PMOS管的源极连接所述电平检测引脚，所述PMOS管的漏极连接所述分压器件的一端，所述分压器件的另一端接地，所述PMOS管的栅极用于接收所述第一电平信号。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述晶体管为NPN型的双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)，其中，所述分压器件的一端连接所述电平检测引脚，所述分压器件的另一端连接所述BJT的集电极，所述BJT管的发射极接地，所述BJT管的栅极用于接收所述第一电平信号。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述晶体管为PNP型的BJT，其中，所述BJT的发射极连接所述电平检测引脚，所述BJT的集电极连接所述分压器件的一端，所述分压器件的另一端接地，所述BJT的基极用于接收所述第一电平信号。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述分压器件为电阻或者电容。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述处理模块包括ADC，所述ADC用于对所述第二电平信号进行采样，得到采样数据，所述采样数据用于确定所述第一电平信号的状态。
[0020]在一种可能的实现方式中，所述处理模块还包括模拟信号处理模块，连接在所述电平检测引脚和所述ADC之间，用于对所述第二电平信号进行信号处理，并向所述ADC输出处理后的所述第二电平信号。
[0021]在一种可能的实现方式中，所述处理模块还包括逻辑控制模块，所述逻辑控制模
块用于：接收所述ADC输出的所述采样数据；确定所述采样数据是否位于第一阈值范围；当所述采样数据位于所述第一阈值范围时，确定所述第一电平信号为高电平状态；当所述采样数据没有位于所述第一阈值范围时，确定所述采样数据是否位于第二阈值范围，所述第二阈值范围小于所述第一阈值范围；当所述采样数据位于所述第二阈值范围时，确定所述第一电平信号为低电平状态。
[0022]在一种可能的实现方式中，所述处理模块还包括逻辑控制模块，所述逻辑控制模块用于：接收所述ADC输出的所述采样数据；确定所述采样数据是否位于第二阈值范围；当所述采样数据位于所述第二阈值范围时，确定所述第一电平信号为低电平状态；当所述采样数据没有位于所述第二阈值范围时，确定所述采样数据是否位于第一阈值范围，所述第一阈值范围大于所述第二阈值范围本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种信号检测装置，其特征在于，包括：检测芯片，包括电容检测引脚和电平检测引脚，其中，所述电容检测引脚连接触控板中的检测电极，用于检测所述检测电极的电容信号，所述电平检测引脚连接所述检测芯片外围的电平检测电路，用于向所述电平检测电路输出驱动电压，以通过所述电平检测电路检测输入所述信号检测装置的第一电平信号；以及，所述电平检测电路，包括分压器件和开关器件，所述分压器件与所述开关器件串联，其中，所述开关器件用于根据所述第一电平信号的状态导通或者断开，所述分压器件用于对所述驱动电压进行分压，以在所述电平检测引脚产生第二电平信号，所述第二电平信号用于确定所述第一电平信号的状态。2.根据权利要求1所述的信号检测装置，其特征在于，所述检测芯片还包括：驱动模块，与所述电平检测引脚连接，用于向所述电平检测引脚输出所述驱动电压；以及，处理模块，与所述电平检测引脚连接，用于检测所述电平检测引脚产生的所述第二电平信号，并根据所述第二电平信号确定所述第一电平信号的状态。3.根据权利要求1或2所述的信号检测装置，其特征在于，所述电平检测电路还包括限流电阻，所述限流电阻的一端连接所述开关器件，另一端连接至所述第一电平信号。4.根据权利要求1或2所述的信号检测装置，其特征在于，所述开关器件为晶体管，所述晶体管用于：在所述第一电平信号为高电平状态时导通，以基于所述分压器件对所述驱动电压进行分压；和/或，在所述第一电平信号为低电平状态时断开，以基于所述分压器件和所述晶体管对所述驱动电压进行分压。5.根据权利要求4所述的信号检测装置，其特征在于，所述第一电平信号为高电平状态时所述电平检测引脚产生的所述第二电平信号，小于所述第一电平信号为低电平状态时所述电平检测引脚产生的所述第二电平信号。6.根据权利要求4所述的信号检测装置，其特征在于，所述晶体管为N型金属氧化物半导体NMOS管，其中，所述分压器件的一端连接所述电平检测引脚，所述分压器件的另一端连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的栅极用于接收所述第一电平信号。7.根据权利要求4所述的信号检测装置，其特征在于，所述晶体管为P型金属氧化物半导体PMOS管，其中，所述PMOS管的源极连接所述电平检测引脚，所述PMOS管的漏极连接所述分压器件的一端，所述分压器件的另一端接地，所述PMOS管的栅极用于接收所述第一电平信号。8.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张荣，刘武，黄海泉，谢浩文，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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