本实用新型专利技术公开了高级氧化半导体清洗一体化装置，包括工作组件、清洗液以及传送装置三部分。传送装置对半导体有序传送，避免遗漏并通过对称分布的臭氧传送机构以及超声波发生器同步对清洗液进行氧化分解工作，同时超声波发生器通过清洗液对半导体进行有效清洗，有效避免清洗液杂质对半导体内部的腐蚀破坏，提高清洗效果。同时传送机构带动半导体至清洗液直接接触，并在超声波振动之下实现对半导体的有效清洗。有效清洗。有效清洗。
【技术实现步骤摘要】
高级氧化半导体清洗一体化装置
[0001]本技术属于清洗装置，具体涉及高级氧化半导体清洗一体化装置。
技术介绍
[0002]高级氧化常运用于处理水污染，包括有多种氧化技术，其中超声氧化法与臭氧氧化法结合使用对有机物降解，并在超声波的作用下，增强臭氧的反应速率，达到高效快速地降解有机污染物。
[0003]而针对半导体清洗，传统方式通过添加清洗用化学试剂进行滚动循环清洗完成一次大批量清洗，半导体形状根据实际产品需求结构多变，其内部杂质在清洗过程中，仅仅通过冲洗无法有效对其边角结构进行清洗。
技术实现思路
[0004]技术目的：本技术将针对以上缺点，提供高级氧化半导体清洗一体化装置，以解决现有技术存在的上述问题。
[0005]技术方案：高级氧化半导体清洗一体化装置，包括工作组件、清洗液以及传送装置三部分。
[0006]其中，工作组件，对称固定在箱体两侧，包括沿所述箱体两端成对对称固定连接的臭氧传送机构，以及多个沿所述臭氧传送机构中部均匀阵列轴向延伸的超声波发生器；
[0007]传送装置，包括沿所述超声波发生器下位水平固定连接的传送链，沿所述传送链端部周向均匀阵列固定连接并与所述传送链同步运动的分料机构。臭氧传送机构将臭氧传送至超声波发生器，超声波发生器对臭氧进行分解传送至清洗液，使得清洗液与臭氧结合，对清洗液内部的有机物进一步氧化处理，从而有效防止清洗液内部杂质对半导体的破坏，有效提高清洗液对半导体的清洁效果。
[0008]同时传送链用于传送半导体与清洗液直接接触，将半导体传送至与超声波发生器相对应，并通过超声波对半导体进行进一步提高清洁效果。传送链在进行传送过程中，通过分料机构对半导体进行有序传排放，提高半导体的传送效果，避免半导体传送失效导致其与清洗液过多的滞留而造成半导体的表面损坏。
[0009]在进一步实施例中，沿所述超声波发生器轴向阵列有多个单向轴向设置有多个传送孔，所述臭氧传送机构与所述超声波发生器垂直活动连接。臭氧传送至箱体内部后通过超声波发生器对臭氧进行分解，并通过传送孔排出，有效保证臭氧与清洗液快速融合，同时超声波发生器传送预定频率的超声波至清洗液，进一步完成清洗液对半导体表面的清洗工作。
[0010]在进一步实施例中，所述分料机构包括沿所述传送链径向预定距离固定连接的衔接座，以及沿所述传送链上传送端并沿所述衔接座对称活动连接的限位板，形成置料空间，与所述限位板外周固定连接有调节组件，用于调节置料空间。衔接座以预定距离分布至传送链，限位板之间形成置料空间用于放置半导体，并将传送链将半导体进行有序分布并排
送，同时避免半导体之间的摩擦碰撞，并带动半导体与清洗液直接接触，调节组件根据实际半导体的尺寸进行调节置料空间，保证限位板对半导体的有效固定，防止超声波引起的振动对半导体产生位移，影响其表面质量。
[0011]在进一步实施例中，所述限位板一端沿所述衔接座固定连接形成一体，另一端与所述衔接座活动连接并与所述调节组件同步运动。限位板一端以基准固定平面对半导体进行限位，从而调节组件推动另一端限位板与半导体另一端进一步限位，实现对半导体的有效固定，根据半导体实际尺寸有效自动调节。限位板顶部与清洗液水位线保持平齐，保证半导体的有效清洗。
[0012]在进一步实施例中，所述调节组件包括沿所述限位板周向一端固定连接的锁紧扣，沿所述锁紧扣径向端部活动贴合并其另一端固定连接在所述箱体内部的推动杆，以及沿所述衔接座端部轴向延伸至与所述锁紧扣固定连接的驱动弹簧。推动杆通过推动锁紧扣并推动限位板沿衔接座位移，进而改变置料空间尺寸，锁紧扣连接的驱动弹簧进一步以预定预紧力拉动锁紧扣与限位板贴合，保证限位板之间置料空间尺寸与半导体相匹配。驱动弹簧对锁紧扣转动与限位板接触进行缓冲，防止限位板与半导体边缘造成撞击，同时通过锁紧扣过渡推动限位板，以推动杆的直线运动转变为锁紧扣的曲线运动，对推动杆的受力点进行分散，从而在不影响推动杆推动锁紧扣的运动速度的同时提高锁紧扣对限位板稳定性。
[0013]有益效果：本技术公开了高级氧化半导体清洗一体化装置，包括工作组件、清洗液以及传送装置三部分。通过对称分布的臭氧传送机构以及超声波发生器同步对清洗液进行氧化分解工作，同时超声波发生器通过清洗液对半导体进行有效清洗，有效避免清洗液杂质对半导体内部的腐蚀破坏，提高清洗效果。传送机构对半导体进行有序排列，防止半导体在超声波振动之下相互撞击，同时传送机构带动半导体至清洗液直接接触，并在超声波振动之下实现对半导体的有效清洗。
附图说明
[0014]图1为本技术的整体结构图。
[0015]图2为本技术中传送装置的整体结构图。
[0016]图中各附图标记为：臭氧传送机构1、超声波发生器2、传送孔3、分料机构401、衔接座4011、限位板4012、调节组件402、锁紧扣4021、推动杆4022、驱动装置4023、驱动弹簧4024、传送链403。
具体实施方式
[0017]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0018]具体方案为：高级氧化半导体清洗一体化装置，包括工作组件、清洗液以及传送装置三部分。
[0019]工作组件，对称固定在箱体两侧，包括沿所述箱体两端成对对称固定连接的臭氧
传送机构1，以及多个沿所述臭氧传送机构1中部均匀阵列轴向延伸的超声波发生器2。
[0020]传送装置，包括沿所述超声波发生器2下位水平固定连接的传送链403，沿所述传送链403端部周向均匀阵列固定连接并与所述传送链403同步运动的分料机构401。现有技术中，半导体在进行清洗过程中，对清洗装置添加有清洗液，实现对其表面进一步的有效清洗，半导体结构复杂，存在有结构死角，通过冲洗的方式无法保证有效的清洗效果。臭氧传送机构1将臭氧传送至超声波发生器2，超声波发生器2对臭氧进行分解传送至清洗液，使得清洗液与臭氧结合，对清洗液内部的有机物进一步氧化处理，从而有效防止清洗液内部杂质对半导体的破坏，超声波发生器2沿箱体对称排布同时对清洗液进行振动，有效提高清洗液对半导体的清洁效果。同时传送链403用于传送半导体与清洗液直接接触，将半导体传送至与超声波发生器2相对应，并通过超声波对半导体进行进一步提高清洁效果。传送链403在进行传送过程中，通过分料机构401对半导体进行有序传排放，提高半导体的传送效果，避免半导体传送失效导致其与清洗液过多的滞留而造成半导体的表面损坏。沿所述超声波发生器2轴向阵列有多个单向轴向设置有多个传送孔3，所述臭氧传送机构1与所述超声波发生器2垂直活动连接。臭氧传送至箱体内部后通过超声波发生器2对臭氧进行分解，并通过传送孔3排出，有效保证臭氧与清洗液快速融合，同时超声波发生器2传送预定频率的超声波至清本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.高级氧化半导体清洗一体化装置，其特征在于，包括工作组件，对称固定在箱体两侧，包括沿所述箱体两端成对对称固定连接的臭氧传送机构，以及多个沿所述臭氧传送机构中部均匀阵列轴向延伸的超声波发生器；传送装置，包括沿所述超声波发生器下位水平固定连接的传送链，沿所述传送链端部周向均匀阵列固定连接并与所述传送链同步运动的分料机构。2.根据权利要求1所述的高级氧化半导体清洗一体化装置，其特征在于，沿所述超声波发生器轴向阵列有多个单向轴向设置有多个传送孔，所述臭氧传送机构与所述超声波发生器垂直活动连接。3.根据权利要求1所述的高级氧化半导体清洗一体化装置，其特征在于，所述分料机构包括沿所述传送链...
【专利技术属性】
技术研发人员：周聿滔，罗峰辉，
申请(专利权)人：南京易德高臭氧有限公司，
类型：新型
国别省市：
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