太阳能电池制备方法以及太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，提供硅基底后，在硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，并在硅基底正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，以刻蚀掉图形区域内的硼硅玻璃层，再在扩散温度下对经过刻蚀后的硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在硅基底上形成图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。该方法通过沉积在硅基底的正面制备硼硅玻璃层，仅需一步硼扩散即可制备图形区域内第一硼掺杂浓度、图形区域外第二硼掺杂浓度的选择性发射极结构，减少硅基底处于高温环境的时间，提高少子寿命，也避免高温应力作用下的弯曲形变，以及激光去除硼硅玻璃层对硅基底的损伤，提升电池效率。提升电池效率。提升电池效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池制备方法以及太阳能电池


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种太阳能电池制备方法以及太阳能电池。

技术介绍

[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池是一种基于选择性载流子原理的高效电池，其在背面先制备了一层超薄氧化硅层，再沉积一层硅掺杂层形成背面的钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，提升电池效率。
[0003]TOPCon电池可以通过在正面叠加硼SE(Selective Emitter，选择性发射极)结构提高效率，在正面的硼SE结构下，正面细栅线接触的区域方阻低、掺杂浓度高、接触电阻小，能够进一步提升填充因子；其他区域方阻高，掺杂浓度低，能够降低表面复合并且提升光学响应，从而提升开路电压、短路电路，以提高电池效率。目前常采用激光SE工艺制备SE结构。
[0004]但是，激光SE工艺中对硅基底造成损伤，影响少子寿命，且工艺复杂，成本高，难度大；而且，激光SE工艺中需要进行两次硼扩散，每次都需要在1000℃左右的高温条件下进行，影响了硅基底的体寿命，从而影响了电池的效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种太阳能电池制备方法以及太阳能电池，旨在降低选择性发射极结构的制备工艺中对硅基底的损伤，提升少子寿命，简化工艺流程，从而降低成本，并提升硅基底的体寿命，从而提升电池的效率。
[0006]在本专利技术实施的第一方面，本专利技术实施例提供了一种太阳能电池制备方法，该方法可以包括：
[0007]提供硅基底；
[0008]在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层；
[0009]在所述硅基底的正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，刻蚀掉所述图形区域内的所述硼硅玻璃层；
[0010]在扩散温度下对经过所述刻蚀后的所述硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在所述硅基底上形成所述图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。
[0011]可选地，所述在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，包括：
[0012]采用常压化学气相淀积设备基于沉积源在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层。
[0013]可选地，所述常压化学气相淀积设备包括预热腔、反应腔、冷却腔，所述采用常压化学气相淀积设备基于沉积源在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，包括：
[0014]将所述硅基底传输至所述预热腔中，在390℃
‑
410℃的温度下对所述硅基底进行预热；
[0015]将所述硅基底传输至所述反应腔中，在590℃
‑
610℃的温度下基于所述沉积源在所述硅基底的正面沉积第二工艺时间，制备硼硅玻璃层；
[0016]将所述硅基底传输至所述冷却腔中，对所述硅基底进行冷却。
[0017]可选地，所述沉积源包括乙硼烷、硅烷、氧气、氮气。
[0018]可选地，所述沉积源中乙硼烷：硅烷：氧气：氮气的体积比为8:12:12:15。
[0019]可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为90nm
‑
100nm。
[0020]可选地，所述硼硅玻璃层的方阻范围为800Ω/
□‑
1200Ω/
□
。
[0021]可选地，所述扩散温度为950℃
‑
1050℃。
[0022]可选地，所述第一工艺时间为170min
‑
190min。
[0023]可选地，所述第二工艺时间为7min
‑
9min。
[0024]可选地，所述在扩散温度下对经过所述刻蚀后的所述硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在所述硅基底上形成所述图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度之后，还包括：
[0025]在所述硅基底的背面依次制备隧穿氧化层以及磷掺杂多晶硅层，形成钝化接触结构；
[0026]在所述硅基底的正面制备氧化铝层；
[0027]在所述硅基底的正面以及所述硅基底的背面制备氮化硅层；
[0028]在所述硅基底的正面以及所述硅基底的背面制备电极。
[0029]在本专利技术实施的第二方面，还提供了一种太阳能电池，该太阳能电池通过如第一方面所述的太阳能电池制备方法制备得到。
[0030]在本专利技术实施中，提供硅基底后，在硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，并在硅基底正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，以刻蚀掉图形区域内的硼硅玻璃层，再在扩散温度下对经过刻蚀后的硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在硅基底上形成图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。在本专利技术实施中，通过沉积在硅基底的正面制备硼硅玻璃层，在刻蚀后仅需要一步硼扩散即可制备图形区域内第一硼掺杂浓度、图形区域外第二硼掺杂浓度的选择性发射极结构，减少了工艺流程中硅基底暴露在高温下的时间，提高了少子寿命，降低了硅基底由于高温应力变化产生弯曲形变的概率，减少了对硅片体寿命的影响，同时不采用激光SE工艺而是采用浆料刻蚀，也避免了激光去除硼硅玻璃层的过程中对硅基底的损伤，提升了电池的开路电压，降低了工艺复杂度以及工艺成本。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1示出了本专利技术实施例提供的一种太阳能电池制备方法的步骤流程图；
[0033]图2示出了本专利技术实施例提供的另一种太阳能电池制备方法的步骤流程图；
[0034]图3示出了本专利技术实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图。
[0035]附图标记说明：
[0036]30
‑
太阳能电池；301
‑
N型硅基底；302
‑
钝化接触结构；303
‑
氮化硅层；304
‑
背面电极；305
‑
选择性发射极结构；306
‑
氧化铝/氮化硅层；307
‑
正面电极；3051
‑
第一硼掺杂浓度
区域；3052
‑
第二硼掺杂浓度区域。
具体实施方式
[0037]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]参照图1，图1示出了本专利技术实施例提供的一种太阳能电池制备方法的步骤流程图，该方法可以包括：
[0039]步骤101、提供硅基底。
[0040]本专利技术实施例中，可以根据工艺要求对N型硅片进行处理提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅基底；在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层；在所述硅基底的正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，刻蚀掉所述图形区域内的所述硼硅玻璃层；在扩散温度下对经过所述刻蚀后的所述硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在所述硅基底上形成所述图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，包括：采用常压化学气相淀积设备基于沉积源在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层。3.根据所述权利要求2所述的方法，其特征在于，所述常压化学气相淀积设备包括预热腔、反应腔、冷却腔，所述采用常压化学气相淀积设备基于沉积源在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，包括：将所述硅基底传输至所述预热腔中，在390℃
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410℃的温度下对所述硅基底进行预热；将所述硅基底传输至所述反应腔中，在590℃
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610℃的温度下基于所述沉积源在所述硅基底的正面沉积第二工艺时间，制备硼硅玻璃层；将所述硅基底传输至所述冷却腔中，对所述硅基底进行冷却。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积源包括乙硼烷、硅烷、氧气、氮气。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉积源中乙硼烷：硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东威，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：