等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术所公开的等离子体处理装置具备产生负直流电压的直流电源。设置于腔室内的基板支承器的偏置电极交替连接于直流电源和接地。将偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设定为比直流电源连接到偏置电极之后偏置电极的电位达到负直流电压为止的时间长。压为止的时间长。压为止的时间长。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及等离子体处理方法


[0001]本专利技术的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]在对于基板的等离子体处理中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具有腔室及基板支承器。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极上。基板支承器支承边缘环。基板载置于在基板支承器上被边缘环包围的区域内。为了将来自等离子体的离子引入到基板，向下部电极供给偏置电力。日本特开2019－36658号公报中公开有这种等离子体处理装置。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种，降低朝向等离子体处理装置的腔室壁的离子的能量的技术。
[0004]在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、等离子体生成部、基板支承器、直流电源、第1开关、调节部及控制部。等离子体生成部构成为在腔室内由气体生成等离子体。基板支承器具有偏置电极，且设置于腔室内。直流电源构成为产生负直流电压。第1开关连接在直流电源与偏置电极之间。调节部具有连接在接地与偏置电极之间的至少一个第2开关。控制部构成为控制第1开关及至少一个第2开关，以将直流电源和接地交替地连接于偏置电极。调节部构成为将偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设为比直流电源连接到偏置电极之后偏置电极的电位达到负直流电压为止的时间长。
[0005]根据一示例性实施方式，可以降低朝向等离子体处理装置的腔室壁的离子的能量。
附图说明
[0006]图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
[0007]图2是详细说明一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内的结构的图。
[0008]图3是表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中能够采用的调节部的图。
[0009]图4是表示基板的电位的时间变化的例的图。
[0010]图5是表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中能够采用的调节部的图。
[0011]图6是概略地表示另一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
[0012]图7是一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。
具体实施方式
[0013]以下，对各种示例性实施方式进行说明。
[0014]在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、等离子体生成部、基板支承器、直流电源、第1开关、调节部及控制部。等离子体生成部构成为在腔室内由气体生成等离子体。基板支承器具有偏置电极，且设置于腔室内。直流电源构成为产生负直流电压。第1开关连接在直流电源与偏置电极之间。调节部具有连接在接地与偏置电极之间的至少一个第2开关。控制部构成为控制第1开关及至少一个第2开关，以将直流电源和接地交替地连接于偏置电极。调节部构成为将偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设为比直流电源连接到偏置电极之后偏置电极的电位达到负直流电压为止的时间长。
[0015]根据上述实施方式，由于偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间长，因此偏置电极连接到接地之后的向基板的电位的正侧的过冲的量减少。因此，偏置电极连接到接地之后的等离子体的电位的上升得到抑制。因此，等离子体与腔室壁之间的电位差减少，朝向腔室壁的离子的能量减少。
[0016]在一示例性实施方式中，调节部还可以具有连接在偏置电极与接地之间的电路元件。电路元件延长偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间。在一示例性实施方式中，电路元件可以包括电感器、电阻或电容器。
[0017]在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备连接在直流电源与偏置电极之间的其他电路元件。在该实施方式中，调节部的电路元件的电路常数大于其他电路元件的电路常数。在一示例性实施方式中，其他电路元件还可以包括电感器、电阻或电容器。
[0018]在一示例性实施方式中，控制部可以构成为控制至少一个第2开关，以在偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止，将偏置电极断续地连接于接地。
[0019]在一示例性实施方式中，调节部可以具有：多个第2开关，作为至少一个第2开关并列地连接于接地与偏置电极之间。控制部构成为在偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止，将多个第2开关断续且依次闭合。
[0020]在一示例性实施方式中，基板支承器还可以具有由电介质形成的电介质部。偏置电极可以设置于电介质部中。在一示例性实施方式中，电介质部可以构成静电卡盘。
[0021]在一示例性实施方式中，基板支承器可以具有在其上载置基板的第1区域及在其上载置边缘环的第2区域。偏置电极在第1区域中设置于电介质部中。基板支承器还可以具有其他偏置电极。其他偏置电极在第2区域中设置于电介质部中。等离子体处理装置还可以具备其他直流电源、第3开关及其他调节部。其他直流电源构成为产生负直流电压。第3开关连接在其他直流电源与其他偏置电极之间。其他调节部具有连接在接地与其他偏置电极之间的至少一个第4开关。控制部构成为控制第3开关及至少一个第4开关，以将其他直流电源与接地交替地连接于其他偏置电极。其他调节部将其他偏置电极连接到接地之后其他偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设为比其他直流电源连接到其他偏置电极之后其他偏置电极的电位达到负直流电压为止的时间长。
[0022]在一示例性实施方式中，基板支承器可以具有作为偏置电极的下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘。
[0023]在又一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法包括
在等离子体处理装置的腔室内，在基板支承器上准备基板的工序(a)。等离子体处理方法还包括在腔室内，生成等离子体的工序(b)。等离子体处理方法包括将基板支承器的偏置电极交替地连接于直流电源与接地的工序(c)。直流电源构成为产生负直流电压。在工序(c)中，偏置电极连接到接地之后偏置电极的电位达到接地电位为止的时间设定为比直流电源连接到偏置电极之后偏置电极的电位达到负直流电压为止的时间长。
[0024]以下，参考附图对各种示例性实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同或相等的部分标注相同的符号。
[0025]图1是概大致地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。等离子体处理装置1具备腔室10。图2是详细地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内的结构的图。如图2所示，等离子体处理装置1可以为电容耦合型的等离子体处理装置。
[0026]腔室10中提供有内部空间10s。内部空间10s的中心轴线为沿垂直方向延伸的轴线AX。在一实施方式中，腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。内部空间10s设置于腔室主体12中。腔室主体12例如由铝形成。腔室主体12被电接地。在腔室主体12的内壁面，即在划分内部空间10s的壁面形成有具有抗等离子性的膜。该膜可以为通过阳极氧化处理形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其具备：腔室；等离子体生成部，构成为在所述腔室内由气体生成等离子体；基板支承器，具有偏置电极且设置于所述腔室内；直流电源，构成为产生负直流电压；第1开关，连接在所述直流电源与所述偏置电极之间；调节部，具有连接在接地与所述偏置电极之间的至少一个第2开关；及控制部，构成为控制所述第1开关及所述至少一个第2开关，以将所述直流电源和所述接地交替连接于所述偏置电极，所述调节部构成为将所述偏置电极连接到所述接地之后所述偏置电极的电位达到接地电位为止的时间，设为比所述直流电源连接到所述偏置电极之后所述偏置电极的电位达到所述负直流电压为止的时间长。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述调节部还具有：电路元件，连接在所述偏置电极与所述接地之间，且延长所述偏置电极连接到所述接地之后所述偏置电极的电位达到接地电位为止的时间。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，所述电路元件包括电感器、电阻或电容器。4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其还具备：其他电路元件，连接于所述直流电源与所述偏置电极之间，所述调节部的所述电路元件的电路常数大于所述其他电路元件的电路常数。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，所述其他电路元件包括电感器、电阻或电容器。6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述控制部构成为控制所述至少一个第2开关，以在所述偏置电极连接到所述接地之后所述偏置电极的电位达到接地电位为止，将所述偏置电极断续地连接于所述接地。7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，所述调节部具有：多个第2开关，作为所述至少一个第2开关，并列地连接于所述接地与所述偏置电极之间，所述控制部构成为在所述偏置电极连接到所述接地之后所述偏置电极的电位达到接地电位为止，断续且依次闭合所述多个第2开关。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：