本发明专利技术作为热处理装置，可以包括：热处理炉，用于对基板进行热处理；冷却器，用于对供应到热处理炉内部并排出的处理气体进行冷却；气体提纯器，用于对通过冷却器的处理气体进行提纯；以及，加热器，用于对通过气体提纯器的处理气体进行加热升温之后供应到上述热处理炉。本发明专利技术的热处理方法，可以包括：净化步骤、提纯步骤、正常运行步骤以及急净化步骤。正常运行步骤以及急净化步骤。正常运行步骤以及急净化步骤。
【技术实现步骤摘要】
基板处理用密闭型热处理装置及方法
[0001]本专利技术涉及一种在对显示屏用基板进行热处理时所使用的基板处理用密闭型热处理装置及方法。
技术介绍
[0002]在显示屏基板的加热工程中，用于对显示屏基板进行加热的热处理炉内部需要维持较低的氧气以及水蒸气浓度。为此，采用将热处理炉内部的大部分气体置换成氮气的方法。
技术实现思路
[0003]技术课题
[0004]在显示屏基板制造工程中，有必要通过加热而对基板进行干燥或预热。在如上所述的情况下，为了保持优质的基板品质以及收率而必须维持较低的氧气以及水分浓度。
[0005]但是，目前因为无法有效地在热处理炉与周边之间实现密封而难以降低并维持氧气以及水分的浓度，而且为了维持浓度而采用氮气置换的方法，但是因为会向周边发生泄漏而需要耗费大量的氮气。
[0006]目前为了维持热处理炉中的玻璃基板温度的均匀度而需要使用大量的氮气，而且因为会在热处理炉中使用过一次之后直接排出，因此会导致严重的浪费现象。此外，因为还需要同时考虑到向密封的热处理炉内部的持续性的气体加压，因此在构成可以承受高压的腔室方面可能也会具有一定的困难。
[0007]因此，本专利技术的目的在于提供一种可以在显示屏用基板的制造工程中对氧气以及水分的浓度进行管理和调节并防止气体损失的基板处理用密闭型热处理装置及方法。
[0008]技术方案
[0009]本专利技术作为热处理装置，可以包括：热处理炉，用于对基板进行热处理；冷却器，用于对供应到热处理炉内部并排出的处理气体进行冷却；气体提纯器，用于对通过冷却器的处理气体进行提纯；以及，加热器，用于对通过气体提纯器的处理气体进行加热升温之后供应到上述热处理炉。
[0010]本专利技术的热处理方法，可以包括：净化步骤、提纯步骤、正常运行步骤以及急净化步骤。
[0011]在净化步骤中，可以向热处理炉内部供应氮气，从而使得上述处理气体内的氮气的分压升高并使得氧气以及水蒸气的分压降低。
[0012]在提纯步骤中，可以使得经过净化步骤的处理气体按照热处理炉、冷却器、气体提纯器的顺序发生循环。
[0013]在正常运行步骤中，可以利用上述加热器对所循环的处理气体进行升温并利用上述冷却器进行冷却，进而利用上述气体提纯器对包含在上述热处理炉内部的工程中产生的烟尘的杂质进行去除。
[0014]在急净化步骤中，可以在净化步骤、提纯步骤、正常运行步骤中的至少一个步骤所测定到的上述处理气体中的氮气的分压达到特定数值以下时停止各个步骤并供应氮气。
[0015]专利技术效果
[0016]本专利技术可以包括：热处理炉，用于对基板进行热处理；冷却器，用于在注入到上述热处理炉内部的处理气体被排出时进行冷却；气体提纯器，用于对通过上述冷却器的处理气体进行提纯；以及，加热器，用于对通过上述气体提纯器的处理气体进行加热升温之后供应到上述热处理炉。
[0017]可以通过以密闭型构成对基板进行热处理时的热处理炉而防止被注入到热处理炉中的处理气体发生泄漏。
[0018]可以通过将完成热处理炉中的工程的处理气体移动到所连通的冷却器中而冷却至特定温度以下。可以在气体提纯器中利用过滤器对存在于上述处理气体内的包含在加热工程内产生的烟尘(fume)在内的杂质进行去除，还可以通过供应氮气而提升氮气的压力并降低氧气的浓度。
[0019]可以在热处理炉内部配备可以对氮气、氧气、水蒸气的压力以及浓度进行检测的传感器。可以在通过传感器检测到的氮气的压力达到加热工程所要求的特定数值以下或氧气以及水蒸气的浓度达到加热工程所要求的特定数值以上的情况下自动运行气体提纯器，并持续运行至氮气、氧气以及水蒸气中的至少一个达到所需要的数值。
附图说明
[0020]图1是适用本专利技术的热处理装置的平面图。
[0021]图2是适用本专利技术的热处理炉的斜视图。
[0022]图3是适用本专利技术的热处理炉的概要性侧向截面图。
[0023]图4是对适用本专利技术的气体循环进行图示的概要图。
[0024]图5是适用本专利技术的热处理炉的侧向截面图。
[0025]图6是对适用本专利技术的图5中的B区域进行放大的分散盘的斜视图。
[0026]图7是对适用本专利技术的热处理装置的气体循环运行步骤进行图示的顺序图。
[0027]符号说明
[0028]1：热处理装置，100：热处理炉，101：盖子，102：基础部件，102a：密闭部件，104：机架，106：基板出入口，110：外壳，115：凸缘部，116：扣紧部件，120：加热板，130、140：门，130a、131a：密闭部件，131：流入口，132：流入孔，133：隔热材料，134：导向器，135：分散板，136：固定部件，137：支撑部件，138：扩散空间，141：排出口，142：排出孔，150：冷却器，160：气体提纯器，170：加热器，181：第1气体通道管路，182：第2气体通道管路，183：第3气体通道管路，184：第4气体通道管路，190：分散部，191：支撑框架，191a：通过孔，192：支撑台，192a：通过空间，193：分散板，193a：分散孔，200：基板移送单元，S：基板，S10：准备步骤，S11：净化步骤，S12：提纯步骤，S20：正常运行步骤，S30：急净化步骤。
具体实施方式
[0029]图1是适用本专利技术的热处理装置1的平面图。参阅图1，热处理装置1可以包括：热处理炉100，用于对基板进行热处理；盖子101，用于对热处理炉100进行覆盖并安装外部控制
面板；以及，基板移送单元200，安装在热处理炉100的一侧。
[0030]在适用本专利技术的实施例中，热处理炉100可以成对配备，而在一对热处理炉100之间可以配备基板移送单元。
[0031]可以利用传感器对热处理炉100内部的压力或温度等进行检测并通过安装在外壳101上的控制面板对内部状况进行判断和控制。
[0032]可以通过在基板移送单元200中安装如机器人等设备而将需要进行热处理的基板沿着A方向投入到热处理炉100的基板出入口106并将经过热处理的基板从热处理炉100的基板出入口106引出之后执行接下来的工程。
[0033]图图2是适用本专利技术的热处理炉的斜视图，参阅图2，在热处理炉100中可以配备用于构成密闭用外观的外壳100。
[0034]在适用本专利技术的热处理炉100的外壳110内部可以配备用于对基板S进行加热的加热板120。
[0035]基板S可以在外壳110的内部以一定的高度层叠投入。
[0036]加热板120可以以与基板S的上部以及下部间隔一定距离的状态配备，而且为了可以对基板S的整体面积进行均匀加热而以板状(plate)形成。
[0037]加热板120可以向加热板120的上部以及下部方向施加紫外线辐射。加热板120可以利用如护套式加热器(sheath heater)构成。加热板120还可以在红外线辐射的基础上通过加本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热处理装置，其特征在于，包括：热处理炉，用于对基板进行热处理；冷却器，用于对供应到上述热处理炉内部并排出的处理气体进行冷却；气体提纯器，用于对通过上述冷却器的处理气体进行提纯；以及，加热器，用于对通过上述气体提纯器的处理气体进行加热升温之后供应到上述热处理炉；通过密闭上述热处理炉而防止所注入的处理气体发生泄漏，上述热处理炉由外壳以及在上述外壳的两侧以可开闭的方式形成的门构成，在上述门中的一侧门的一侧面配备有流入口，而在另一侧门的另一侧面形成有多个流入孔，在上述门的内部形成可供通过上述流入口注入的处理气体经由上述多个流入孔供应到上述热处理炉内部的扩散空间，在上述扩散空间的特定位置上形成用于对流入到扩散空间中的气体的流动进行分散的分散部，在假定通过上述流入口注入气体的方向为第1方向，而与上述第1方向垂直的方向为第2方向时，上述处理气体的一部分通过上述分散部并向上述第1方向进行流动，且上述处理气体中的一部分被上述分散部阻挡并向上述第2方向进行流动，上述处理气体借助于上述分散部均匀地扩散到上述扩散空间内部。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，在上述门中，配备有用于在上述门被封闭时对上述热处理炉与外部进行密闭的密闭部件，上述密闭部件，在上述门被关闭时对上述门与上述外壳之间的空间进行密闭。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述外壳的下部配备有可供上述外壳结合的基础部件，在上述基础部件中，配备有在与形成于上述外壳的下部的凸缘部结合时对上述热处理炉进行密闭的密闭部件。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述门中的另一侧门的一侧配备有用于将处理气体从热处理炉内部排出到上述门中的排出孔，而在另一侧门的另一侧形成有用于将注入到门中的处理气体排出到外部的排出口，在上述流入孔或排出孔中分别形成小于流入口或排出口的贯通孔。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述门中的另一侧门的一侧配备有与上述一侧门的流入口对应的排出口，上述流入口通过第1外部气体管路与上述加热器连通，上述排出口通过第2外部气体管路与上述冷却器连通，在上述流入口与上述第1外部气体管路的连接部位或上述排出口与上述第2外部气体管路的连接部位配备有密闭部件。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
被注入到上述热处理炉内部的处理气体是以在通过上述加热器的过程中被升温的状态注入到热处理炉内部并借此形成高温环境，而上述处理气体在注入到上述热处理炉内部之后排...
【专利技术属性】
技术研发人员：许埈诱，
申请(专利权)人：韩华株式会社，
类型：发明
国别省市：
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