一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，包括电源，电源电连接有整流电路和驱动MOS电路，整流电路电连接有第一电阻，第一电阻电连接驱动MOS电路，驱动MOS电路电连接有隔离电路，隔离电路电连接有微控制器。本实用新型专利技术电路简单，成本低，运行可靠，抗干扰能力强。主电路与控制电路隔离，使用中更加安全；不容易造成人身伤害。不容易造成人身伤害。不容易造成人身伤害。

【技术实现步骤摘要】
一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路


[0001]本技术属于拓扑识别领域，尤其涉及一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路。

技术介绍

[0002]目前用于低压配电网的拓扑识别方式较多，常用的如基于载波通信方式的、大数据分析方式的，但上述两种拓扑识别方式识别准确性不高，识别时间较长。而基于特征电流注入方式的自动拓扑识别方式由于准确率高、识别速度快，具有更好的应用前景。
[0003]基于上述的背景内容本技术提供一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，该拓扑信号发射电路简单可靠、小体积、低功耗、低成本，还可以很好的与现有小电流拓扑识别设备进行适配。

技术实现思路

[0004]为实现上述目的，本技术的技术方案为：
[0005]一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，包括电源，所述电源电连接有整流电路和驱动MOS电路，所述整流电路电连接有第一电阻，所述电阻电连接驱动MOS电路，所述驱动MOS电路电连接有隔离电路，所述隔离电路电连接有微控制器。
[0006]进一步的改进，所述整流电路的第一引脚电连接有第一电阻、隔离电路和电源；整流电路的第二引脚电连接有零线；整流电路的第三引脚接参考地；整流电路的第四引脚电连接有火线。
[0007]进一步的改进，所述隔离电路包括二极管，所述二极管电连接有第二电阻，所述第二电阻电连接有稳压管、电容和光耦；所述光耦的第一引脚电连接有第三电阻，光耦的第二引脚隔离接地；所述第三电阻电连接有微控制器，所述微控制器接隔离参考地。
[0008]进一步的改进，所述驱动MOS电路包括NMOS管，所述NMOS管电连接有第四电阻和光耦，所述第四电阻电连接有稳压管、电容。
[0009]进一步的改进，所述第四电阻为下拉电阻，第一电阻为限流电阻。
[0010]进一步的改进，所述微控制器通讯连接有外部通信设备，所述微控制器电连接有电源。
[0011]进一步的改进，所述微控制器U3的型号为R5F10268，所述光耦U2的型号为TLP
‑
817，所述NMOS管的型号为STD4NK80。
[0012]本技术的优点：
[0013]1.本技术电路简单可靠、小体积、低功耗、低成本，使用更加安全。
附图说明
[0014]图1为本技术的电路结构示意图；
[0015]图2为电路模块结构示意图。
[0016]其中：1、整流电路的第一引脚；2、整流电路的第二引脚；3、整流电路的第三引脚；4、整流电路的第四引脚；5、光耦的第一引脚；6、光耦的第二引脚；整流电路U1；第一电阻R1；第二电阻R2；第三电阻R3；第四电阻R4；光耦U2；微控制器U3；稳压管Z1；电容C1；二极管D1；NMOS管V1。
具体实施方式
[0017]以下结合附图及实施例对本技术做进一步说明。
[0018]实施例1
[0019]如图1所示的一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，包括电源，电源电连接有整流电路和驱动MOS电路，整流电路电连接有电阻R1，电阻R1电连接驱动MOS电路，驱动MOS电路电连接有隔离电路，隔离电路电连接有微控制器。
[0020]整流电路U1的第一引脚电连接有电阻R1、二极管D1和电源；整流电路U1的第二引脚电连接有零线N；整流电路U1的第三引脚接参考地；整流电路U1的第四引脚电连接有火线；电阻R1电连接有NMOS管V1，NMOS管V1电连接有电阻R4和光耦U2，电阻R4电连接有稳压管Z1、电容C1；二极管D1电连接有电阻R2，所述电阻R2电连接有稳压管Z1、电容C1和光耦U2；光耦U2的第一引脚电连接有电阻R3，光耦U2的第二引脚接隔离参考地；电阻R3电连接有微控制器U3，微控制器U3接隔离参考地。
[0021]微控制器外部通讯连接有外部通信，当外部通信向微控制器U3发送命令时，启动拓扑发射。微控制器U3依据编码规则要求，通过IO口输出特定占空比、特定频率、特定时间长度的高低脉冲信号。此信号通过光耦U2隔离传递到V1，控制NMOS管V1按该频率、占空比、时间实现导通和关断，以实现在高压火、零线(L,N)产生一个具有特定频率、占空比和时间长度的小电流信号波形，该信号波形可以被拓扑识别模块进行解析，以获取特定台区拓扑信息。二极管D1,电阻R2,稳压管Z1,电容C1用于产生一个稳定的直流电源，用于NMOS管V1导通时提供栅极开启电压，一般稳压范围为5
‑
12V。电阻R4为下拉电阻，当U1关断时，R4用于确保NMOS管的栅极与源极电压一致，避免出现NMOS管因干扰导致误导通。R1为限流电阻，用于调节拓扑识别电流信号，其阻值取值为R＝U/I，当拓扑识别电流值一定时，其阻值也恒定。如拓扑电流值要求500mA时，可取值为440欧姆。限流电阻为大功率电阻。
[0022]尽管本技术的实施方案已公开如上，但并不仅仅限于说明书和实施方案中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本技术并不限于特定的细节和这里所示。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，包括电源，其特征在于，所述电源电连接有整流电路和驱动MOS电路，所述整流电路电连接有第一电阻(R1)，所述第一电阻(R1)电连接驱动MOS电路，所述驱动MOS电路电连接有隔离电路，所述隔离电路电连接有微控制器(U3)。2.如权利要求1所述的一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，其特征在于，所述整流电路的第一引脚(1)电连接有第一电阻(R1)、隔离电路和电源；整流电路的第二引脚(2)电连接有零线(N)；整流电路的第三引脚(3)接参考地；整流电路的第四引脚(4)电连接有火线(L)。3.如权利要求1所述的一种基于高频电流注入的台区拓扑信号发射电路，其特征在于，所述隔离电路包括二极管(D1)，所述二极管(D1)电连接有第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)电连接有稳压管(Z1)、电容(C1)和光耦(U2)；所述光耦(U2)的第一引脚(5)电连接有第三电阻(R3)，光耦(U2)的第二引脚(6)隔离接地；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈赛，程建，戴旭毅，李明仓，石云烽，李希，苏西蒙，
申请(专利权)人：威胜电气有限公司，
类型：新型
国别省市：