【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及行波半导体激光放大器领域。行波半导体激光放大器(TW-SLA)的芯片结构采用与半导体激光(LD)相同的多层异质结构,将芯片的两解理面增透,由输入和输出光纤分别从两端耦合而成。这种器件通常采用平面铜块热沉抽运其热耗散功率。为减少热阻,通常将芯片的衬底朝上面倒装在热沉上。这种结构的缺点在于光纤的外半径(~65微米),远大于芯片有源层至热沉的距离(~数微米)致使这种结构不能直接应用于两端用光纤耦合的TW-SLA器件中。其解决办法之一是在中部或某一端部形成平凸台的热沉,凸台高度略大于光纤半径,凸台宽度与TW-SLA芯片长度严格一致,但这种方法的可行性因其加工困难成本高而受挫。本专利技术公开一种将TW-SLA芯片后端面(F2)增反,前端面(F1)增透,借助光学环行器(1)将输入信号通过光纤耦合进入TW-SLA的前端面,经TW-SLA有源层放大,经芯片后端面反射而再一次通过有源层,仍由前端面经同一光纤输出。TW-SLA芯片(3)的前端面(F1)镀增透膜其反射率R1<10-3;后端面(F2)镀增反膜,其反射率R2>0.99。输入信号经光纤耦合进入光学环行器(1)的(A)端口经(B)端口输出,经光纤(2)耦合进TW-SLA(3)的有源层(4),经其放大的光信号到达后端面(F2)被反射回有源层进一步放大,然后由前端面输出耦合出来经同一光纤(2)进入光学环行器(1)的(B)口。由(B)口进入的光信号只能由(C)端口输出,从而同时实现了光信号的放大与隔离。本专利技术的优点在于(一)平面热沉块采用一般的加工方法即可,成本较低;(二)输入、输出合二为一,减少了一 ...
【技术保护点】
一种行波半导体激光放大器的放大方法,该方法将TW-SLA芯片(3)的前端面(F↓[1])增透,后端面(F↓[2])增反,借助光学环行器(1)将输入信号通过光纤耦合进入TW-SLA芯片前端面(F↓[1]),经TW-SLA芯片的有源层放大,经芯片后端面反射而再一次通过有源层仍由前端面经同一光纤输出,从而实现输入输出用同一光纤共端耦合的方法;光学环行器(1)的A端口进入的光信号只能向B端口传送,由B端口进入的光信号只能向C端口传送而不能返回A端口,光学环行器应对于偏振光和非偏振光均具有环行作用。
【技术特征摘要】
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