本申请涉及通信技术领域，提供一种结构电容组件及滤波器，结构电容组件包括：结构电容；以及阻挡件，阻挡件为周向封闭的环形结构，阻挡件套设于结构电容；阻挡件包括至少两个阻挡块，各阻挡块首尾顺次相接，以拼接成周向封闭的环形结构。本申请提供的结构电容组件，可防止滤波器的腔体内部的杂质干扰滤波器的信号传输件和结构电容而影响滤波器的互调，从而有效降低安装结构电容后对滤波器互调的影响，提高滤波器的稳定性。高滤波器的稳定性。高滤波器的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
结构电容组件及滤波器
[0001]本申请涉及通信
，尤其涉及一种结构电容组件及滤波器。
技术介绍
[0002]滤波器中存在需采用结构电容的情况，以实现隔直通交的作用。
[0003]在实现本申请技术方案的创造过程中，专利技术人发现，在滤波器中安装结构电容后，易产生互调干扰，影响互调结果，从而影响滤波器正常工作。
技术实现思路
[0004]本申请的一个目的在于提供一种结构电容组件，以改善相关技术中滤波器安装结构电容后影响互调的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：提供一种结构电容组件，所述结构电容组件包括：结构电容；以及阻挡件，所述阻挡件为周向封闭的环形结构，所述阻挡件套设于所述结构电容；所述阻挡件包括至少两个阻挡块，各所述阻挡块首尾顺次相接，以拼接成周向封闭的环形结构。
[0006]在一个实施例中，所述结构电容包括：第一导体件，所述第一导体件上设有第一限位部；第二导体件，所述第二导体件上设有第二限位部，所述第二限位部与所述第一限位部相间隔设置；以及绝缘件，所述绝缘件阻隔于所述第二导体件与所述第一导体件之间；其中，所述阻挡件上设有第一限位配合部和第二限位配合部，所述阻挡件套设于所述第一导体件和所述第二导体件，且所述第一限位配合部与所述第一限位部相限位配合，所述第二限位配合部与所述第二限位部相限位配合，以将所述第一导体件与所述第二导体件相固定。
[0007]在一个实施例中，所述阻挡块具有第一子限位配合部和第二子限位配合部，各所述阻挡块的所述第一子限位配合部相配合以形成所述第一限位配合部，各所述阻挡块的所述第二子限位配合部相配合以形成所述第二限位配合部。
[0008]在一个实施例中，所述结构电容组件包括支撑件，所述支撑件连接于所述结构电容并位于所述阻挡件的一侧。
[0009]在一个实施例中，各所述阻挡块的外侧壁首尾顺次相接，以拼接成周向封闭的环形的外周壁。
[0010]在一个实施例中，所述阻挡件的数量为两个，两个所述阻挡件相间隔设置。
[0011]在一个实施例中，各所述阻挡块的端部相插接配合。
[0012]在一个实施例中，所述阻挡块的一端的端面上凸设有凸出部，所述阻挡块的另一端的端面上凹设有凹进部，其中一所述阻挡块上的所述凸出部与另一所述阻挡块上的所述凹进部相插接。
[0013]在一个实施例中，所述凸出部沿所述阻挡件的径向的相对两端分别连接于所述阻挡块的内侧壁和外侧壁，所述凹进部沿所述阻挡件的径向的相对两端分别贯穿所述阻挡块
的内侧壁和外侧壁。
[0014]在一个实施例中，所述凸出部为宽度由靠近所述阻挡块的端面的一端至背离所述阻挡块的端面的一端逐渐减小的渐缩结构，所述凹进部为宽度由所述凹进部的内底部至所述阻挡块的端面逐渐增大的渐扩结构。
[0015]在一个实施例中，所述凸出部上设有卡合结构，所述凹进部上设有卡合配合结构，所述卡合结构与所述卡合配合结构相卡合。
[0016]在一个实施例中，所述卡合结构沿所述凸出部的长度方向设置，所述卡合配合结构沿所述凹进部的长度方向设置。
[0017]在一个实施例中，所述阻挡块的一端的端面上设有第一插接部和第一插接配合部，所述阻挡块的另一端的端面上设有第二插接部和第二插接配合部，所述第一插接部与所述第二插接部位于所述阻挡块的同一侧，所述第一插接配合部与所述第二插接配合部位于所述阻挡块的同另一侧；其中一所述阻挡块上的所述第一插接部与另一所述阻挡块上的所述第一插接配合部相插接，其中一所述阻挡块上的所述第二插接部与另一阻挡块上的所述第二插接配合部相插接。
[0018]在一个实施例中，所述阻挡块的一端的端面上和/或所述阻挡块的另一端的端面上设有台阶结构。
[0019]在一个实施例中，所述阻挡块的一端的端面上设有第一台阶结构，所述阻挡块的另一端的端面上设有第二台阶结构；其中一所述阻挡块上的所述第一台阶结构与另一所述阻挡块上的所述第一台阶结构相吻合，其中一所述阻挡块上的所述第二台阶结构与另一所述阻挡块上的所述第二台阶结构相吻合；或，其中一所述阻挡块上的所述第一台阶结构与另一所述阻挡块上的第二台阶结构相吻合。
[0020]在一个实施例中，所述第一台阶结构包括第一台阶面、低于所述第一台阶面的第二台阶面、连接于所述第一台阶面和所述第二台阶面的第一倾斜面，其中一所述阻挡块上的所述第一台阶面、所述第一倾斜面以及所述第二台阶面分别与另一所述阻挡块上的所述第二台阶面、所述第一倾斜面以及所述第一台阶面相吻合；和/或，所述第二台阶结构包括第三台阶面、低于所述第三台阶面的第四台阶面、连接于所述第三台阶面和所述第四台阶面的第二倾斜面，其中一所述阻挡块上的所述第三台阶面、所述第二倾斜面以及所述第四台阶面分别与另一所述阻挡块上的所述第四台阶面、所述第二倾斜面以及所述第三台阶面相吻合。
[0021]在一个实施例中，所述第一台阶面和所述第二台阶面中的一者上设有插接部，所述第一台阶面和所述第二台阶面中的另一者上设有插接配合部；其中一所述阻挡块上的所述插接部与另一所述阻挡块上的所述插接配合部相插接；和/或，所述第三台阶面和所述第四台阶面中的一者上设有插接部，所述第三台阶面和所述第四台阶面中的另一者上设有插接配合部；其中一所述阻挡块上的所述插接部与另一所述阻挡块上的所述插接配合部相插接。
[0022]在一个实施例中，所述阻挡件包括连接部，所述连接部的相对两端分别与两所述阻挡块的一端相连接，以使两所述阻挡块能够相对于所述连接部转动而相开合。
[0023]在一个实施例中，各所述阻挡块的结构相同。
[0024]在一个实施例中，所述阻挡件包括两个所述阻挡块，两个所述阻挡块拼接成周向
封闭的环形结构。
[0025]本申请的另一个目的在于提供一种滤波器，所述滤波器包括：腔体，所述腔体上开设有连通于所述腔体内部的通孔；信号传输件，所述信号传输件设于所述通孔处；以及上述任一实施例所述的结构电容组件，所述结构电容组件设于所述通孔中，所述结构电容连接于所述信号传输件；所述阻挡件的外周壁的形状与所述通孔的内周壁的形状相适配，且所述阻挡件的外周壁与所述通孔的内周壁相接触，以阻挡所述腔体内部的杂质进入所述通孔。
[0026]本申请实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0027]本申请实施例提供的结构电容组件，通过设置结构电容和阻挡件，且阻挡件为周向封闭的环形结构，并套设于结构电容，以能够支撑结构电容；并通过设置阻挡件包括至少两个阻挡块，各阻挡块首尾顺次相接，以拼接成周向封闭的环形结构，便于阻挡件与结构电容相装配；在将结构电容组件设于滤波器的腔体的通孔中时，可将结构电容与滤波器的信号传输件相连接，以利于信号传输件通过结构电容与腔体的内部进行信号传输，阻挡件由于为周向封闭的环形结构，即能够与通孔的内壁相配合而封堵于通孔，可阻挡腔体内部的杂质进入通孔，即可防止腔体内部的杂质进入通孔中干扰信号传输件和结构电容而影响滤波器的互调本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种结构电容组件，其特征在于，所述结构电容组件包括：结构电容；以及阻挡件，所述阻挡件为周向封闭的环形结构，所述阻挡件套设于所述结构电容；所述阻挡件包括至少两个阻挡块，各所述阻挡块首尾顺次相接，以拼接成周向封闭的环形结构。2.根据权利要求1所述的结构电容组件，其特征在于，所述结构电容包括：第一导体件，所述第一导体件上设有第一限位部；第二导体件，所述第二导体件上设有第二限位部，所述第二限位部与所述第一限位部相间隔设置；以及绝缘件，所述绝缘件阻隔于所述第二导体件与所述第一导体件之间；其中，所述阻挡件上设有第一限位配合部和第二限位配合部，所述阻挡件套设于所述第一导体件和所述第二导体件，且所述第一限位配合部与所述第一限位部相限位配合，所述第二限位配合部与所述第二限位部相限位配合，以将所述第一导体件与所述第二导体件相固定；所述阻挡块具有第一子限位配合部和第二子限位配合部，各所述阻挡块的所述第一子限位配合部相配合以形成所述第一限位配合部，各所述阻挡块的所述第二子限位配合部相配合以形成所述第二限位配合部。3.根据权利要求1所述的结构电容组件，其特征在于：所述结构电容组件包括支撑件，所述支撑件连接于所述结构电容并位于所述阻挡件的一侧；和/或各所述阻挡块的外侧壁首尾顺次相接，以拼接成周向封闭的环形的外周壁；和/或所述阻挡件的数量为两个，两个所述阻挡件相间隔设置。4.根据权利要求1至3任一项所述的结构电容组件，其特征在于：各所述阻挡块的端部相插接配合。5.根据权利要求4所述的结构电容组件，其特征在于：所述阻挡块的一端的端面上凸设有凸出部，所述阻挡块的另一端的端面上凹设有凹进部，其中一所述阻挡块上的所述凸出部与另一所述阻挡块上的所述凹进部相插接。6.根据权利要求5所述的结构电容组件，其特征在于：所述凸出部沿所述阻挡件的径向的相对两端分别连接于所述阻挡块的内侧壁和外侧壁，所述凹进部沿所述阻挡件的径向的相对两端分别贯穿所述阻挡块的内侧壁和外侧壁；所述凸出部为宽度由靠近所述阻挡块的端面的一端至背离所述阻挡块的端面的一端逐渐减小的渐缩结构，所述凹进部为宽度由所述凹进部的内底部至所述阻挡块的端面逐渐增大的渐扩结构；所述凸出部上设有卡合结构，所述凹进部上设有卡合配合结构，所述卡合结构与所述卡合配合结构相卡合；所述卡合结构沿所述凸出部的长度方向设置，所述卡合配合结构沿所述凹进部的长度方向设置。7.根据权利要求4所述的结构电容组件，其特征在于：所述阻挡块的一端的端面上设有第一插接部和第一插接配合部，所述阻挡块的另一端的端面上设有第二插接部和第二插接配合部，所述第一插接部与所述第二插接部位于所述阻挡块的同一侧，所述第一插接配合部与所述第二插接配合部位于所述阻挡块的同另一侧；其中一所述阻挡块上的所述第一插
...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚爱强，温世议，
申请(专利权)人：大富科技安徽股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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