具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法技术

从通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烯烃和/或卤代烷烃和/或卤代炔烃类杂质的、具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃中去除前述杂质。一种具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法，所述具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的精制方法包括如下工序：使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和/或卤代烯烃和/或卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触，吸附去除前述杂质。吸附去除前述杂质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法


[0001]本专利技术涉及：具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于氢氟烯烃(HFO)的ODP(臭氧层破坏系数)和GWP(地球温室效应系数)的值低，因此已知是HCFC理想的替代品。例如1,1,3,3,3
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五氟丙烯已知作为制冷剂、传热流体、消火剂、推进剂、发泡剂、膨胀剂、气体衍生物、聚合介质或单体是有用的化合物。
[0003]已知1,1,3,3,3
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五氟丙烯通过脱卤化氢反应而得到。例如专利文献1中公开了：通过在无催化剂的条件下由1,1,1,3,3,3
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六氟丙烷热分解来制造1,1,3,3,3
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五氟丙烯的方法。专利文献1的[0002]中说明了：在高温下进行原料气体的热分解时，生成难以分离的复杂的混合物。然而，专利文献1的[0007]中也记载了：1,1,3,3,3
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五氟丙烯(CF3CH＝CF2)产物稳定，不会转化为氢原子和/或氟原子的个数少的产物。因此，专利文献1中没有记载关于本专利技术人等在研究阶段成为问题的杂质。
[0004]副产的键合有氯原子或氟原子的卤代烷烃和卤代烯烃类用作制冷剂、传热流体、消火剂、推进剂、发泡剂、膨胀剂、气体衍生物、聚合介质或单体时，需要简便地、有效地降低其含量。
[0005]卤代烷烃和卤代烯烃类具有与1,1,3,3,3
‑r/>五氟丙烯的沸点(约
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21℃)接近的沸点，因此难以通过蒸馏进行分离，为了降低含量，需要具有塔板数非常多的蒸馏装置，在设备成本增高等批量生产方面成为问题。
[0006]特别是对难以分离的四氟丙烯，根据本专利技术人等的研究，为了获得99.99％以上的1,1,3,3,3
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五氟丙烯，需要最小理论塔板数113塔板的蒸馏塔。
[0007]作为基于吸附的精制方法，专利文献2中公开了：使包含氟烯烃和碳数1的烷烃的流体与合成沸石4A接触，去除前述碳数1的烷烃的方法。专利文献3中公开了：使(氢化)卤代烯烃杂质与具有的开口作为最大尺寸的固体吸附剂(沸石)在
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20℃～100℃的温度下接触，由此去除(氢化)卤代烯烃杂质的方法。专利文献4中公开了：使包含(氢)卤代烃化合物的2,3,3,3
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四氟丙烯与含铝的吸附剂、活性炭或它们的混合物接触的工艺。专利文献5中公开了：使含有卤代丙烯类的1,1,1,3,3
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五氟丙烷与固体吸附剂(特别是活性炭)接触，去除卤代丙烯类的方法。专利文献6中公开了：使包含氢化烯烃杂质和氢化烷烃杂质的2,3,3,3
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四氟丙烯与有效孔径为的分子筛接触而去除前述杂质的至少一部分的精制方法。专利文献7中公开了：从包含碳数3以上的氟烯烃的流体混合物中吸附去除碳数1或2的杂质，将氟烯烃精制的方法。
[0008]专利文献8中记载了分子筛(合成沸石)、硅胶、活性氧化铝作为用于对蒸馏塔中排出的馏出物进行脱水处理的脱水剂。专利文献9中记载了：由于与1,1,3,3,3
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五氟丙烯(1225zc)的沸点接近，因此难以与具有＝CH2的结构的3,3,3
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三氟丙烯(1243zf)分离，记载
了使用活性炭吸附材料使1225zc与1243zf分离。
[0009]现有技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1：日本特表2008
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518938号公报
[0012]专利文献2：WO2013/151070号公报
[0013]专利文献3：日本专利第4121745号公报
[0014]专利文献4：日本专利第6074454号公报
[0015]专利文献5：日本特开2002
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226411号公报
[0016]专利文献6：日本特开2012
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1495号公报
[0017]专利文献7：日本特开2013
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241390号公报
[0018]专利文献8：WO2013/099856号公报
[0019]专利文献9：日本特表2013
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508265号公报

技术实现思路

[0020]专利技术要解决的问题
[0021]然而，专利文献2是去除碳数1的氢化烷烃的方法，专利文献7是去除碳数为1或2的杂质以对氟烯烃进行精制的方法，专利文献3和专利文献5是去除(氢化)卤代烯烃杂质的方法，是由饱和氢氟烃进行精制的方法，专利文献4和专利文献6是去除具有＝CH2的结构的2,3,3,3
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四氟丙烯(1234yf)中包含的氢化卤代烷烃类和氢化卤代烯烃类杂质的方法。尚不知晓吸附去除包含沸点更接近的碳数3的卤代烯烃类和卤代烷烃类的杂质的方法。
[0022]例如在前述所示的高温条件下的合成反应中，在制造具有＝CF2的结构的1,1,3,3,3
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五氟丙烯之类的碳数3以上的氟烯烃时，除了碳数1的卤代烷烃、碳数2的各种卤代烷烃和卤代烯烃之外，还副产沸点更接近的碳数3的卤代烷烃和卤代烯烃。根据本专利技术人等的研究得知：为了以尽可能高的收率获得成为目标的碳数3以上的氟烯烃，要求除了碳数1的卤代烷烃、碳数2的卤代烷烃和卤代烯烃之外还有效地去除沸点更接近的碳数3的卤代烷烃和卤代烯烃杂质。然而，目前的现状是尚不知晓从包含碳数3以上的氟烯烃的混合物中仅吸附、去除不希望的碳数3的卤代烷烃和卤代烯烃杂质的方法。
[0023]本专利技术的目的在于提供如下方法：通过吸附去除包含沸点接近的卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃的杂质，从而有效地将具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃精制而得到纯度更高的氟烯烃。
[0024]用于解决问题的方案
[0025]本专利技术提供以下方案。
[0026][1][0027]一种具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的精制方法，其包括如下工序：使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触，吸附去除前述杂质。
[0028][2][0029]根据[1]所述的方法，其中，固体吸附剂的有效孔径为
[0030][3][0031]根据[1]或[2]所述的方法，其中，固体吸附剂为选自由活性炭、分子筛A型或X型、和活性氧化铝组成的组中的至少1种。
[0032][4][0033]根据[1]～[3]中任一项所述的方法，其中，含有前述杂质的氟烯烃中的前述杂质的总含量超过0ppm且为10质量％以下。
[0034][5][0035]根据[1]～[4]中任一项所述的方法，其中，以最大60分钟的接触时间使含有前述杂质的氟烯烃与固体吸附剂接触。
[0036][6][0037]一种高纯度的具有＝CF2或＝CHF的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的精制方法，其包括如下工序：使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触，吸附去除所述杂质。2.根据权利要求1所述的方法，其中，固体吸附剂的有效孔径为3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，固体吸附剂为选自由活性炭、分子筛A型或X型、和活性氧化铝组成的组中的至少1种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，含有所述杂质的氟烯烃中的所述杂质的总含量超过0ppm且为10质量％以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，以最大60分钟的接触时间使含有所述杂质的氟烯烃与固体吸附剂接触。6.一种高纯度的具有＝CF2或＝CHF的结构的氟烯烃的制造方法，其包括如下工序：使通过脱卤化氢反应而得到的、含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田结花，加藤惟人，
申请(专利权)人：关东电化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：