一种数据存储设备的参数优化方法及其优化系统技术方案

本发明专利技术公开了一种数据存储设备的参数优化方法，其步骤至少包括：获取存储器的预读写数据；根据预读写数据，在除错模块中设置误差校正码的标准位数；重复存储器的读取过程，并根据误差校正码的信息位数和标准位数的误差，调整数据存储设备的延时信息，以获得最佳延时范围；以及保持最佳延时范围，重复存储器的写入过程，并根据误差校正码的信息位数和标准位数的误差，调整数据存储设备的驱动信息和操作信息。本发明专利技术的提供了一种数据存储设备的参数优化方法，以提高数据存储设备的存储效能。以提高数据存储设备的存储效能。以提高数据存储设备的存储效能。

【技术实现步骤摘要】
一种数据存储设备的参数优化方法及其优化系统


[0001]本专利技术属于数据存储领域，特别涉及一种数据存储设备的参数优化方法及其优化系统。

技术介绍

[0002]在大批量生产数据存储设备时，需要对数据存储设备进行驱动和速度调试，以保证存储设备能正常运行。在数据存储设备的驱动和速度调试过程中，存在无法提升至最高传输速度的问题。并且在数据存储设备的量产过程中，生产出来的存储设备往往并非是最优化的参数设定值。尤其是在大批量生产中，在同一批次内每颗存储器会出现存储效能各异的问题，且每个存储器数据传输存在偏差、传输速度滞后的问题，这会影响存储设备的存储效能和存储的准确率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种数据存储设备的参数优化方法及其优化系统，以提升数据存储设备的存储效能。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]一种数据存储设备的参数优化方法，其步骤至少包括：
[0006]获取存储器的预读写数据；
[0007]根据所述预读写数据，在除错模块中设置误差校正码的标准位数；
[0008]重复所述存储器的读取过程，并根据所述误差校正码的信息位数和所述标准位数的误差，调整所述数据存储设备的延时信息，以获得最佳延时范围；以及
[0009]保持所述最佳延时范围，重复所述存储器的写入过程，并根据所述误差校正码的信息位数和所述标准位数的误差，调整所述数据存储设备的驱动信息和操作信息。
[0010]在本专利技术一实施例中，调整所述延时信息的步骤包括：
[0011]当所述误差校正码的信息位数小于等于所述标准位数时，获得所述数据存储设备的第一延时范围；以及
[0012]缩减所述第一延时范围，获取所述数据存储设备的第二延时范围。
[0013]在本专利技术一实施例中，缩减所述第一延时范围的步骤包括：
[0014]获取所述第一延时范围的延时阶数安全值；以及
[0015]以所述延时阶数安全值为中心值，获取扩增阶数，以获得第二延时范围。
[0016]在本专利技术一实施例中，获取所述最佳延时范围的步骤包括：
[0017]根据所述第二延时范围，重复所述读出过程；；以及
[0018]校验所述读出过程中，所述误差校正码的信息位数和所述标准位数的误差，以获得所述最佳延时范围。
[0019]在本专利技术一实施例中，所述延时阶数安全值为所述第一延时范围的中间阶数。
[0020]在本专利技术一实施例中，设定所述第二延时范围的最大阶数为则所述第二延
时范围的最大阶数的计算方式如下：
[0021][0022]其中，γ为所述延时阶数安全值，η为所述扩增阶数。
[0023]在本专利技术一实施例中，设定所述第二延时范围的最小阶数为则所述第二延时范围的最小阶数的计算方法如下：
[0024][0025]其中，γ为所述延时阶数安全值，η为所述扩增阶数。
[0026]在本专利技术一实施例中，在获取所述扩增阶数的步骤中，当γ0＞2φ+1时，所述扩增阶数的计算方法如下：
[0027]η＝φ；
[0028]其中，η为扩增阶数，γ0为所述第一延时范围的延时阶数，φ为预设阶数。
[0029]在本专利技术一实施例中，在获取所述扩增阶数的步骤中，当γ0≤2φ+1时，所述扩增阶数的计算方法如下：
[0030][0031]其中，η为扩增阶数，γ0为所述第一延时范围的延时阶数，γ
max
为所述第一延时范围的最大阶数，γ
min
为所述第一延时范围的最小阶数，φ为预设阶数。
[0032]在本专利技术一实施例中，所述延时阶数为所述数据存储设备的延时电路模块数量。
[0033]在本专利技术一实施例中，所述读出过程中的读出数据为预设数据。
[0034]在本专利技术一实施例中，当所述误差校正码的信息位数与所述标准位数的误差小于第一阈值，停止所述读出过程和所述写入过程。
[0035]在本专利技术一实施例中，在所述写入过程中，调整所述操作信息前，调整所述驱动信息，以降低所述误差校正码的信息位数与所述标准位数的误差。
[0036]一种数据存储设备的优化系统，包括：
[0037]写入模块，向存储器内写入数据；
[0038]读出模块，从所述存储器内读出数据；
[0039]错误信息收集模块，电性连接于所述写入模块和所述读出模块，以获取数据写入过程和数据读出过程中的除错模块的误差校正码；
[0040]误差校验模块，电性连接于所述错误信息收集模块，以获取所述误差校正码的信息位数和标准位数的误差值；以及
[0041]信息调整模块，电性连接于所述错误信息收集模块和所述误差校验模块，根据所述误差值，调整数据存储设备的延时信息、驱动信息和操作信息。
[0042]如上所述，本专利技术提供一种数据存储设备的参数优化方法及其优化系统，能对例如NAND闪存、硬盘等进行参数优化。在大批量生产过程中，快速且准确地优化数据存储设备的时序参数、驱动参数、操作频率等参数，改善数据存储设备的数据传输效能，减少数据传输偏差，并保证数据传输速度及时不发生滞后，从而提升存储接口的稳定性，并提升存储器和主控制器件的通讯传输可靠度。且通过本专利技术提供的数据存储设备的优化方法，能对数据存储设备上的多个存储器进行优化，得到适应多个存储器使用的设备参数，使数据存储
设备保持高效能和数据保真。并且，在不同的应用情境下，这样的优化方法能消除因为不同存储器间因走线误差、走线负载、走线阻抗、封装中的打线等因素造成的效能偏差，在大批量生产中，通过本专利技术提供的数据存储设备的优化方法，能保证每一颗存储产品的效能、可靠度达到一致，提高产品大批量生产良率。
[0043]当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0044]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0045]图1为数据存储设备的结构示意图。
[0046]图2为数据存储设备的优化流程图。
[0047]图3为步骤S2对应的方法流程图。
[0048]图4为步骤S3对应的方法流程图。
[0049]图5为主控制器和存储器的连接结构示意图。
[0050]图6为步骤S4对应的方法流程图。
[0051]图7为步骤S41对应的方法流程图。
[0052]图8为步骤S42对应的方法流程图。
[0053]图9为步骤S43对应的方法流程图。
[0054]图10为步骤S44对应的方法流程图。
[0055]图11为步骤S45对应的方法流程图。
[0056]图12为步骤S46对应的方法流程图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，其步骤至少包括：获取存储器的预读写数据；根据所述预读写数据，在除错模块中设置误差校正码的标准位数；重复所述存储器的读取过程，并根据所述误差校正码的信息位数和所述标准位数的误差，调整所述数据存储设备的延时信息，以获得最佳延时范围；以及保持所述最佳延时范围，重复所述存储器的写入过程，并根据所述误差校正码的信息位数和所述标准位数的误差，调整所述数据存储设备的驱动信息和操作信息。2.根据权利要求1所述的一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，调整所述延时信息的步骤包括：调节所述数据存储设备的延时阶数，当所述误差校正码的信息位数小于等于所述标准位数时，获得所述数据存储设备的第一延时范围；以及缩减所述第一延时范围，获取所述数据存储设备的第二延时范围。3.根据权利要求2所述的一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，缩减所述第一延时范围的步骤包括：获取所述第一延时范围的延时阶数安全值；以及以所述延时阶数安全值为中心值，获取扩增阶数，以获得第二延时范围。4.根据权利要求2所述的一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，获取所述最佳延时范围的步骤包括：根据所述第二延时范围，重复所述读出过程；；以及校验所述读出过程中，所述误差校正码的信息位数和所述标准位数的误差，以获得所述最佳延时范围。5.根据权利要求3所述的一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，所述延时阶数安全值为所述第一延时范围的中间阶数。6.根据权利要求3所述的一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，设定所述第二延时范围的最大阶数为则所述第二延时范围的最大阶数的计算方式如下：其中，γ为所述延时阶数安全值，η为所述扩增阶数。7.根据权利要求3所述的一种数据存储设备的参数优化方法，其特征在于，设定所述第二延时范围的最小阶数为则所述第二延时范围的最小阶数的计算方法如下：其中，γ为所述延时阶数安全值，η为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许展榕，吴艳，
申请(专利权)人：合肥康芯威存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：