TCON芯片及OLED面板驱动架构制造技术

技术编号:33119379 阅读:18 留言:0更新日期:2022-04-17 00:15
本发明专利技术公开了TCON芯片及OLED面板驱动架构,独立于显示面板驱动IC芯片外置携带SRAM缓存的TCON芯片,所述TCON芯片包括MIPI DSI模块、压缩电路、SRAM存储模块、指令控制模块、时序控制模块、Demura模块,通过高速接口模块接收数据并确定合适的显示参数确定屏幕的分辨率、工作模式、显示模式,从而进一步确定适配的参数值,产生相应的控制信号并通过TX差分数据信号线将控制数据传送至显示驱动芯片实现驱动显示,本发明专利技术的TCON芯片带有高速接口和缓存,适用于新一代大屏幕、高分辨率和高刷新速度的AMOLED屏幕产品。度的AMOLED屏幕产品。度的AMOLED屏幕产品。

【技术实现步骤摘要】
TCON芯片及OLED面板驱动架构


[0001]本申请涉及电数据信号处理
,特别是涉及TCON芯片及OLED面板驱动架构。

技术介绍

[0002]AMOLED面板是利用有机电自发光二极管制程的显示屏,由于同时具备自发光有机电激发光二极管,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、高饱和度、低能耗、反应速度快等优异特性。在追求更大的屏幕,更高的分辨率,更刺激的视觉效果,有机发光二极管(OLED)屏幕具有高对比度、宽视角、高饱和度、低能耗等优势,在目前中高端手机被广泛使用。
[0003]传统的AMOLED屏幕驱动由单颗驱动芯片构成,随着面板解析度的增加,需要SRAM 芯片面积会不断,芯片的生产也受限28nmHV制程。目前手机AMOLED屏幕所用的是整合型的 DDI 驱动芯片,其主要由10V Gate Control , 10V Source Driver,10V Gamma, 10V Source Driver , 10V Power等高压控制模块,以及TCON和SRAM低压模块组成。这种整合型DDI驱动芯片的制造需要用到HV高压工艺,但晶圆厂高压工艺制程难度高,目前提供这种工艺的晶圆制造厂家不多,而且内存大小受到工艺限制。这种结构有以下几个缺点:1)SRAM内存容量受限,随着面板解析度的增加,需要更大的SRAM,但受限于目前晶圆制造厂高压的工艺制程下目前SRAM内存的容量制造限制只能到32M。2)功耗高:为了解决容量限制问题,整合型DDI驱动芯片使用3倍压缩内存技术先对数据进行压缩,使用时再进行解压缩,但每次解压缩的功耗很高。3)高压工艺复杂,能提供这种工艺的晶圆制造厂很少,制造成本高。

技术实现思路

[0004]基于上述问题,本专利技术提出了TCON芯片及OLED面板驱动架构,将不需要高压制程的TCON、SRAM模块独立出来,采用独立模块的低压逻辑工艺设计生产。TCON、SRAM模块占显示驱动IC芯片的一半以上的尺寸,本专利技术采用独立模块的设计缓解了高压制程晶圆厂的产能限制,SRAM独立外置于TCON内,其容量的大小不受限制,大大降低显示驱动IC芯片的生产成本。同时TCON和SRAM模块可以灵活采用更高低压逻辑工艺制程进行制造,可以减少功耗,缩减芯片尺寸,节省手机空间,使手机更加轻薄。
[0005]本专利技术提供如下技术方案:一方面,本专利技术提出了一种TCON芯片,所述TCON芯片包括MIPI DSI模块、压缩电路、SRAM存储模块、指令控制模块、时序控制模块、Demura模块;所述MIPI DSI模块接收主板发送的状态信息、像素信息;所述压缩电路模块,用于接收主板发送的图像及控制数据,并对接收到的图像数据进行压缩获得压缩图像数据,将所述压缩图像数据保存至SRAM存储模块;SRAM存储模块,用于顺序将对压缩后的图像数据存入SRAM缓存,同时提供所述Demura模块所需的存储;指令控制模块,用于对MIPI数据进行解析,识别图像数据和控制信息;
时序控制模块,用于控制图像数据的接收存储,并将接收到的图像数据经过Demura模块处理后,传送至并串转换电路,然后经过LVDS TX PHY模块输出;Demura模块,用于根据Demura数据对图像数据进行补偿。
[0006]进一步地,所述MIPI DSI模块具备高速模式和低速模式。
[0007]进一步地,所述压缩电路模块通过低电压差分数据将显示数据发送至显示面板驱动IC芯片。
[0008]进一步地,所述指令控制模块将控制信息送往时序控制模块,实现对TCON芯片的配置。
[0009]进一步地,根据Demura数据对图像数据进行补偿具体为通过接口控制模块读取SPI

Flash存储的Demura数据,根据Demura数据对图像数据进行补偿获得补偿图像数据。
[0010]进一步地,所述补偿图像数据存储至SRAM存储模块,并经过并串转换电路输出。
[0011]进一步地,所述TCON芯片还包括晶体振荡器、锁相环电路,所述晶体振荡器产生基准时钟,通过所述锁相环电路生成高频工作时钟。
[0012]进一步地,所述TCON芯片还包括低电压差分信号发送模块,所述低电压差分信号发送模块将图像数据信号按照SPWG/JEIDA格式转换成低电压差分信号进行传输。
[0013]另一方面,本专利技术提出了OLED面板驱动架构,所述OLED面板驱动架构包括所述TCON芯片以及显示面板驱动IC芯片;所述显示面板驱动IC芯片包括高速低电压差分信号接口、数模转换模块以及驱动模块;所述高速低电压差分信号接口接收来自TCON芯片输出的数据信号和时钟信号;所述数模转换模块接收数据信号和时钟信号并进行数模转换;所述显示面板驱动IC芯片接收数模转换后的信号。
[0014]另一方面,本专利技术还提出了一种显示驱动方法,所述方法包括:步骤101,主板通过MIPI DSI串行接口以串行的方式发送像素信息或指令,同时读取TCON芯片状态信息或像素信息;步骤102,MIPI DSI模块通过MIPI DSI总线接口接收主板的数据并经过串并转换转成并行数据发送至指令控制模块和压缩电路模块;步骤103,所述指令控制模块对MIPI DSI数据进行解析,获得图像数据和控制数据,并在所述时序控制模块的控制下将所述图像数据送到压缩电路进行压缩获得压缩图像数据,并将所述压缩图像数据缓存至SRAM存储模块。
[0015]步骤104,Demura模块读取SPI

Flash的Demura数据,并对图像数据进行补偿获得优化图像数据;步骤105,在所述时序控制模块控制下将所述优化图像数据通过低电压差分信号发送模块输出至显示面板驱动IC芯片进行驱动显示。
[0016]本专利技术公开了TCON芯片、OLED面板驱动架构以及显示驱动方法,独立于显示面板驱动IC芯片外置携带SRAM缓存的TCON芯片,所述TCON芯片包括MIPI DSI模块、压缩电路、SRAM存储模块、指令控制模块、时序控制模块、Demura模块,通过高速接口模块接收数据并确定合适的显示参数确定屏幕的分辨率、工作模式、显示模式,从而进一步确定适配的参数值,产生相应的控制信号并通过TX差分数据信号线将控制数据传送给显示驱动芯片实现驱动显示。
附图说明
[0017]附图1为本专利技术的显示驱动架构示意图;附图2为本专利技术的TCON芯片及显示面板驱动IC结构框图;附图3为本专利技术的MIPI DSI接口示意图;附图4为本专利技术的显示驱动方法流程图。
具体实施方式
[0018]下面结合附图与实施例对本专利技术作进一步详细描述。
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0020]本专利技术公开了一种OLED面板驱动架构及TCON芯片,本专利技术的驱动架构将原整合型的显示驱动芯本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TCON芯片,其特征在于,所述TCON芯片包括MIPI DSI模块、压缩电路、SRAM存储模块、指令控制模块、时序控制模块、Demura模块;所述MIPI DSI模块接收主板发送的状态信息、像素信息;所述压缩电路模块,用于接收主板发送的图像及控制数据,并对接收到的图像数据进行压缩获得压缩图像数据,将所述压缩图像数据保存至SRAM存储模块;SRAM存储模块,用于顺序将对压缩后的图像数据存入SRAM缓存,同时提供所述Demura模块所需的存储;指令控制模块,用于对MIPI数据进行解析,识别图像数据和控制信息;时序控制模块,用于控制图像数据的接收存储,并将接收到的图像数据经过Demura模块处理后,传送至并串转换电路,然后经过低压差分数据发送物理接口模块输出;Demura模块,用于根据Demura数据对图像数据进行补偿。2. 根据权利要求1所述的TCON芯片,其特征在于,所述MIPI DSI模块具备高速模式和低速模式。3.根据权利要求1所述的TCON芯片,其特征在于,所述压缩电路模块通过低电压差分数据总线将显示数据发送至显示面板驱动IC芯片。4.根据权利要求1所述的TCON芯片,其特征在于,所述指令控制模块将控制信息送往时序控制模块,实现对TCON芯片的配置。5.根据权利要求1所述的TCON芯片,其特征在于,根据Demura数据对图像数据进行补偿具体为通过接口控制模块读取SPI

Flash存储的Demura数据,根据Demura数据对图像数据进行补偿获得补偿图像数据。6.根据权利要求1所述的TCON芯片,其特征在于,所述补偿图像数据存储至SRAM存储模块,并经过并串转换电路输出。7.根据权利要求1所述的TCON芯片,其特征在于,所述TCON芯片还包括晶体振荡器、锁相环电路,所述晶体振荡器产生低频振荡时钟作...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢致远万波廖炳隆杨灿
申请(专利权)人:南京初芯集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:

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