一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路制造技术

本发明专利技术适用于供电稳压电路领域，提供了一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路，所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块，连接所述电压基准模块的降压模块，连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块，及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。旨在解决现有技术中嵌入式软件开发，选用可编程单片机，开发周期长，一旦选定单片机，选择就被固定，局限性大的技术问题。局限性大的技术问题。局限性大的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路


[0001]本专利技术属于供电稳压电路领域，尤其涉及一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路。

技术介绍

[0002]目前车载半导体制冷/制热系统；分别使用12V和24V系统直接供电，需求要两种负载；当只用一种负载时，多用嵌入式软件开发调节负载输出电压，两种负载匹配时，管理成本高，而嵌入式软件开发，选用可编程单片机，开发周期长，一旦选定单片机，选择就被固定，局限性大。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路，旨在解决现有技术中嵌入式软件开发，选用可编程单片机，开发周期长，一旦选定单片机，选择就被固定，局限性大的技术问题。
[0004]本专利技术是这样实现的，一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路，所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块，连接所述电压基准模块的降压模块，连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块，及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。
[0005]本专利技术的进一步技术方案是：所述电压基准模块包括电阻R4、电阻R7、稳压二极管D6及三极管Q3，所述电阻R4及所述稳压二极管D6的阴极均连接所述电源的阳极，所述二极管D6的阳极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R7的一端。
[0006]本专利技术的进一步技术方案是：所述降压模块包括电阻R5、电阻R6、稳压二极管D1A、MOS管Q1、电感线圈L1及有极电容C1，所述电阻R5的一端、所述稳压二极管D1A的阴极及所述有极电容C1的阳极均连接电源阳极，所述电阻R5的另一端分别连接所述电阻R6的一端及所述三极管Q3的基极，所述电阻R6的另一端分别连接所述电感线圈L1的一端及所述有极电容C1的阴极，所述稳压二极管D1A的阳极分别连接所述电感线圈L1的另一端及所述MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源极连接GND。
[0007]本专利技术的进一步技术方案是：所述振荡模块包括电阻R10、电阻R11、电阻R3、电阻R12、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、三极管Q2及运算放大器U1A，所述电阻R10的一端、稳压二极管D4的阴极、电容C2的一端、所述运算放大器U1A的阳极、所述电阻R3的一端及所述三极管Q2的集电极均连接所述电阻R4的另一端，所述电阻R10的另一端分别连接所述电阻R11的一端、所述电容C4的一端及所述运算放大器U1A的同相输出端，所述电阻R12的一端、所述电容C3的一端、所述稳压二极管D3的阴极及所述运算放大器U1A的反向输入端均连接所述电阻R7的另一端，所述电阻R3的另一端分别连接所述二极管D2的阴极、所述运算放大器U1A的输出端及三极管Q2的基极，所述二极管D2的阳极分别连接所述三极管Q2的发射极及所述MOS管Q1的栅极，所述稳压二极管D4的阳极、所述电容
C2的另一端、所述电容C4的另一端、所述电阻R11的另一端、所述稳压二极管D3的阳极、所述电容C3的另一端、所述电阻R12的另一端及所述运算放大器U1A的阴极均连接GND。
[0008]本专利技术的有益效果是：此种主负载供电稳压电路使用最基本的电子器件：阻容件，电感，二三极管；可选性、可调整性强，开发周期短，使用单一负载，管理成本好；兼容12V/24V车辆，并且结构简单、成本低、效果好。
附图说明
[0009]图1是本专利技术实施例提供的一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路的电器原理图。
具体实施方式
[0010]图1示出了本专利技术提供的一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路，所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块，连接所述电压基准模块的降压模块，连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块，及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。通过电压基准模块为整个电路提供稳定的基准电压，并通过振荡模块使降压模块输出所需电压。
[0011]所述电压基准模块包括电阻R4、电阻R7、稳压二极管D6及三极管Q3，所述电阻R4及所述稳压二极管D6的阴极均连接所述电源的阳极，所述二极管D6的阳极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R7的一端。
[0012]所述降压模块包括电阻R5、电阻R6、稳压二极管D1A、MOS管Q1、电感线圈L1及有极电容C1，所述电阻R5的一端、所述稳压二极管D1A的阴极及所述有极电容C1的阳极均连接电源阳极，所述电阻R5的另一端分别连接所述电阻R6的一端及所述三极管Q3的基极，所述电阻R6的另一端分别连接所述电感线圈L1的一端及所述有极电容C1的阴极，所述稳压二极管D1A的阳极分别连接所述电感线圈L1的另一端及所述MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源极连接GND。
[0013]所述振荡模块包括电阻R10、电阻R11、电阻R3、电阻R12、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、三极管Q2及运算放大器U1A，所述电阻R10的一端、稳压二极管D4的阴极、电容C2的一端、所述运算放大器U1A的阳极、所述电阻R3的一端及所述三极管Q2的集电极均连接所述电阻R4的另一端，所述电阻R10的另一端分别连接所述电阻R11的一端、所述电容C4的一端及所述运算放大器U1A的同相输出端，所述电阻R12的一端、所述电容C3的一端、所述稳压二极管D3的阴极及所述运算放大器U1A的反向输入端均连接所述电阻R7的另一端，所述电阻R3的另一端分别连接所述二极管D2的阴极、所述运算放大器U1A的输出端及三极管Q2的基极，所述二极管D2的阳极分别连接所述三极管Q2的发射极及所述MOS管Q1的栅极，所述稳压二极管D4的阳极、所述电容C2的另一端、所述电容C4的另一端、所述电阻R11的另一端、所述稳压二极管D3的阳极、所述电容C3的另一端、所述电阻R12的另一端及所述运算放大器U1A的阴极均连接GND。
[0014]此主负载供电稳压电路在工作时，运算放大器U1A作为振荡模块的核心器件，通电初始运算放大器U1A的同相输出端即B点（U1A_PIN3）电压VB建立；同时运算放大器U1A的反向输入端即C点（U1A_PIN2）电压为0；运算放大器U1A的输出端即U1A_PIN1输出高电平；进而
三极管Q2高电平打开开始工作，从而使MOS管Q1打开开始工作；此时电阻R5、电阻R6、电感线圈L1 及MOS管Q1形成通路；由于电感线圈L1的储能作用，使电阻R5两端电压即A点电压上升有个延迟斜线，当A点（R5两端电压）达到约6.8V（稳压二极管管D6+三极管Q3的PN特性电压）左右时，三极管Q3被导通；同时电路串联电流特性电阻R6两端电压此时会是约5.2V；而电阻R5 和电阻R6两端的电压和等于有极电容C1两端电压为6.8+5.2=12V；（12V为此电路目标稳压输出电压值）。
[0015]而当三极管Q3导通后，通过电阻R7、电容C3及电阻R12形成的RC时间延迟，使得C点（U1A_PIN2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路，其特征在于，所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块，连接所述电压基准模块的降压模块，连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块，及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。2.根据权利要求1所述的主负载供电稳压电路，其特征在于，所述电压基准模块包括电阻R4、电阻R7、稳压二极管D6及三极管Q3，所述电阻R4及所述稳压二极管D6的阴极均连接所述电源的阳极，所述二极管D6的阳极连接所述三极管Q3的发射极，所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R7的一端。3.根据权利要求2所述的主负载供电稳压电路，其特征在于，所述降压模块包括电阻R5、电阻R6、稳压二极管D1A、MOS管Q1、电感线圈L1及有极电容C1，所述电阻R5的一端、所述稳压二极管D1A的阴极及所述有极电容C1的阳极均连接电源阳极，所述电阻R5的另一端分别连接所述电阻R6的一端及所述三极管Q3的基极，所述电阻R6的另一端分别连接所述电感线圈L1的一端及所述有极电容C1的阴极，所述稳压二极管D1A的阳极分别连接所述电感线圈L1的另一端及所述MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源极连接G...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志杰，赖建洲，
申请(专利权)人：深圳市振邦智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：