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具有包括二维材料的可移动反射性覆盖物的光学元件制造技术

技术编号:33100244 阅读:20 留言:0更新日期:2022-04-16 23:38
一般而言,本发明专利技术涉及具有包括二维材料的覆盖物的光学元件。特别地,本发明专利技术涉及光学元件、制备光学元件的方法、装置、经涂覆的二维材料的用途、光学元件的用途和装置的用途。特别地,本发明专利技术涉及一种光学元件,其包括:a.具有第一表面和第二表面的覆盖物,b.支撑件,以及c.构件;其中:覆盖物取向为第一表面朝向支撑件;第一表面的一部分附接至支撑件;第二表面相对于支撑件的空间配置限定覆盖物轮廓外形;构件调适和配置为将第二表面从第一覆盖物轮廓外形移动至另一覆盖物轮廓外形;覆盖物包括二维部分,二维部分为一种或多种二维材料;覆盖物针对入射至第二表面的光具有不超过0.5的透射率除以反射率的值,反射率和透射率是在波长λ下测量的;并且λ在10nm至20μm的范围内。并且λ在10nm至20μm的范围内。并且λ在10nm至20μm的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有包括二维材料的可移动反射性覆盖物的光学元件


[0001]本专利技术大体上涉及具有包括二维材料的覆盖物的光学元件。特别地,本专利技术涉及光学元件、制备光学元件的方法、装置、经涂覆的二维材料的用途、光学元件的用途和装置的用途。

技术介绍

[0002]可调光学装置可用于多种光散射、光反射和光干涉应用。特定效用是通过在各单元基础上可调的装置来提供,该装置特别是微型装置(其中,元件是小的),诸如具有多个像素的显示器装置。一种类别的装置允许操作影像。在这样的装置中,散射、反射和/或干涉行为的控制可用于打开或关闭像素和/或改变其颜色。另一应用是在光帆中,其中动力学是依赖于帆向光通量呈现的形状。
[0003]在国际专利申请WO/2018/228671A1中已作出提高光学装置的一个最近尝试,其中在干涉装置中采用单层。
[0004]仍需要改善可调光学装置,特别地,具有小型化可控像素的装置。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一般目标为至少部分克服现有技术固有的一种或多种缺陷,特别地,与可调光学装置相关的缺陷。
[0006]一个目标为提供具有可调光散射行为,优选地在各单元基础上可调的光学元件。
[0007]一个目标为提供可在镜面反射器与漫反射器之间移动,优选地在各单元基础上可调的光学元件。
[0008]一个目标为提供具有可调光干涉行为,优选地在各单元基础上可调的光学元件。
[0009]一个目标为提供以增加的工作频率可调的光学元件。
[0010]一个目标为提供光学元件,优选地具有减少的质量的可调光学元件。
[0011]一个目标为提供具有增加的机械强度的光学元件。
[0012]一个目标为提供具有降低的功耗的光学元件。
[0013]一个目标为提供具有增加的持久性的光学元件。
[0014]一个目标为提供具有增加的热稳定性的光学元件。
[0015]一个目标为提供具有增加的热传导的光学元件。
[0016]一个目标为提供具有增加的动态范围的光学元件。
[0017]一个目标为提供具有提高的波长控制和增加的连续可调谐性的光学元件。
[0018]一个目标为提供具有提高的角度控制和增加的连续可调谐性的光学元件。
[0019]一个目标为提供具有增加的效应均匀性的光学元件。
[0020]一个目标为提供具有增加的反射率的光学元件。
[0021]一个目标为提供具有降低的制造复杂性的光学元件。
[0022]一个目标为提供具有增加的动态范围的光学元件。
[0023]一个目标为提供具有增加的数据传输带宽的光学元件。
[0024]一个目标为提供光学元件,优选地光帆,其经历增加的来自入射光的推力。
[0025]具体描述:
[0026]至少部分解决现有技术的缺陷中的一者或多者的贡献由下列实施例作出,其中实施例编号x以[x]表示。从属实施例代表独立实施例的优选配置。
[0027][1]一种光学元件,其包括:
[0028]a.具有第一表面和第二表面的覆盖物,
[0029]b.支撑件,以及
[0030]c.构件;其中:
[0031]该覆盖物取向为该第一表面朝向该支撑件;
[0032]该第一表面的一部分附接至该支撑件,该部分优选地不超过面积百分比之60的该第一表面,更优选地不超过面积百分比之20的该第一表面,最优选地不超过面积百分比之5的该第一表面;
[0033]该第二表面相对于该支撑件的空间配置限定覆盖物轮廓外形;
[0034]该构件调适和配置为将该第二表面从第一覆盖物轮廓外形移动至另一覆盖物轮廓外形;
[0035]该覆盖物包括二维部分,该二维部分为一种或多种二维材料;
[0036]该覆盖物针对入射至该第二表面的光具有不超过0.5,优选地不超过0.25,更优选地不超过0.1,最优选地不超过0.01的透射率除以反射率的值,该反射率和该透射率是在波长λ下测量;并且
[0037]λ在10nm至20μm,优选地10nm至2μm的范围内。在一个方面中,最优选地380nm 至740nm。在另一个方面中,更优选地10nm至200nm,最优选地13nm至193nm。在另一个方面中,更优选地700nm至2000nm,最优选地850nm至1550nm。
[0038]在该实施例的一个方面中,该第一覆盖物轮廓外形为静止位置。优选静止位置具有处于停用状态的构件。在一个方面中,该构件调适和配置为施加最大电位差Vmax和该构件于静止位置中施加不超过Vmax/5,优选地不超过Vmax/10,更优选地不超过Vmax/20的电位差。优选地该构件于静止位置中不施加电位差。
[0039]在该实施例的一个方面中,λ为532nm。根据这个方面,优选地使用频率双Nd YAG激光进行光学测量。
[0040]在该实施例的一个方面中,λ为476nm。根据这个方面,优选地使用蓝色Kr激光进行光学测量。
[0041]在该实施例的一个方面中,λ为594nm。根据这个方面,优选地使用黄色He

Ne激光进行光学测量。
[0042]在该实施例的一个方面中,λ为647nm。根据这个方面,优选地使用红色Kr激光进行光学测量。
[0043]在该实施例的一个方面中,针对10nm至2μm的范围内的所有波长λ,优选地针对10nm 至20μm的范围内的所有波长,透射率除以反射率的值为0.5或更少,优选地0.25或更少,更优选地0.1或更少,最优选地0.01。
[0044]在该实施例的一个方面中,针对380nm至740nm的范围内的所有波长λ,透射率除以
反射率的值为0.5或更少,优选地0.25或更少,更优选地0.1或更少,最优选地0.01。
[0045]在该实施例的一个方面中,针对13nm至193nm的范围内的所有波长λ,优选地针对10 nm至200nm的范围内的所有波长,透射率除以反射率的值为0.5或更少,优选地0.25或更少,更优选地0.1或更少,最优选地0.01。
[0046]在该实施例的一个方面中,针对850nm至1550nm的范围内的所有波长λ,优选地针对 700nm至2000nm的范围内的所有波长,透射率除以反射率的值为0.5或更少,优选地0.25 或更少,更优选地0.1或更少,最优选地0.01。
[0047]在该实施例的一个方面中,覆盖物和支撑件与一个或多个开放腔接界。优选地该一个或多个开放腔各具有开口,该开口和该覆盖物在该腔的相对侧。
[0048]在该实施例的一个方面中,反射率和透射率针对入射至第二表面上的光。在该实施例的一个方面中,透射率值和反射率值针对以自法线至第二平面的角度θ入射的光,θ在0至85
°
的范围内。在一个方面中,θ为0
°
。在另一个方面中,θ为15
°
。在另一个方面中,θ为30
°
。在另一个方面中本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光学元件,其包括:a.具有第一表面和第二表面的覆盖物,b.支撑件,以及c.构件;其中:所述覆盖物取向为所述第一表面朝向所述支撑件;所述第一表面的一部分附接至所述支撑件;所述第二表面相对于所述支撑件的空间配置限定覆盖物轮廓外形;所述构件调适和配置为将所述第二表面从第一覆盖物轮廓外形移动至另一覆盖物轮廓外形;所述覆盖物包括二维部分,所述二维部分为一种或多种二维材料;所述覆盖物针对入射至所述第二表面的光具有不超过0.5的透射率除以反射率的值,所述反射率和所述透射率是在波长λ下测量的;并且λ在10nm至20μm的范围内。2.根据权利要求1所述的光学元件,其中,从所述第一覆盖物轮廓外形至所述第二覆盖物轮廓外形的移动改变所述第二表面相对于所述支撑件在所述第二表面上的至少一个地方的取向。3.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件,其中,所述覆盖物包括非晶态部分,所述非晶态部分为一种或多种非晶态材料。4.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件,其中,所述覆盖物包括金属部分,所述金属部分为一种或多种金属。5.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件,其中,所述覆盖物包括添加剂部分,所述添加剂部分为选自以下中的一种或多种元素:Ag、Al、B、C、Cr、Fe、K、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、P、Pb、S、Si、Ta、V、W和Zn;或上述元素中的两者或更多者的一种或多种组合,或上述元素中的一者或多者与一种或多种硫族元素(O、S、Se、Te)、N或C的一种或多种组合。6.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件,其中,所述二维部分为以下中的一者或多者:a.选自以下中的一者或多者:C、BN、P、MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2、GaS、GaSe、GaTe、NbS2、NbSe2、NbTe2、TaS2、TaSe2、TaTe2、TiSe2、VSe2、CrS2、CrSe2、B、Ge、Si、Si2BN、Sn、Pb、PtS2、PtSe2、PtTe2、Sb、Bi;b.一种或多种过渡金属硫族化物,各为非a中所列的过渡金属硫族化物;c.一种或多种氧化物,各为a或b中所列...

【专利技术属性】
技术研发人员:圣地亚哥
申请(专利权)人:圣地亚哥
类型:发明
国别省市:

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