一种磁控溅射Low-E膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁控溅射Low

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射Low
‑
E膜


[0001]本技术属于膜材料领域，特别是涉及一种磁控溅射Low
‑
E膜。

技术介绍

[0002]热反射膜，又称为阳光控制镀膜，薄膜的主要功能是能够按照所需比例，有效控制太阳直接辐射能红外线780
‑
2300nm近红外光的入射量，具有能够对室内和建筑结构体的遮蔽作用，较理想的可见光穿透率和反射率，减弱紫外光的透过性等优良特征，遮阳系数低，隔热好，传热系数高，保温性能差。
[0003]低辐射镀膜又称为Low
‑
E膜，Low
‑
E薄膜具有极低的辐射率，能够对波长大于2500nm的远红外线具有极高的反射率，因此具有极为优良的保温性能，遮阳系数高，隔热差，传热系数低，保温性能好。
[0004]现有均采用的是直接在玻璃表面进行镀膜，形成镀膜玻璃，而不是提供一种可便捷式粘贴的膜材料，使适应各种不同玻璃的性能变化需求。因此，针对以上问题，本技术提供了一种磁控溅射Low
‑
E膜使能够满足玻璃表面在不使用Low
‑
E玻璃的情况下通过贴膜的形式实现高透、遮阳和双银Low
‑
E 性能的要求。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种磁控溅射Low
‑
E膜，解决了以上问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]本技术的一种磁控溅射Low
‑
E膜，包括基膜层、设置于基膜层一侧且通过安装胶层相连的剥离层、设置于基膜层另一侧且通过复合胶相连的防刮层，通过剥离层剥离后由安装胶层与玻璃表面相贴进行贴膜；
[0008]所述基膜层与复合胶之间依次设置有热反射镀膜层、Low
‑
E镀膜层；所述Low
‑
E镀膜层采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；所述热反射镀膜层采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜；
[0009]由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射 Low
‑
E膜。
[0010]进一步地，所述Low
‑
E镀膜层包括OPP膜层以及镀银层，所述OPP膜层与热反射镀膜层之间通过复合胶热压复合；所述镀银层的厚度在5
‑
20nm之间，所述OPP膜层的厚度在25
‑
80μm。
[0011]进一步地，所述高透型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的热反射镀膜层的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度20
‑
30nm，第二层为氧化镍铬：厚度10
‑
15nm，第三层为银：厚度10
‑
15nm，第四层为氧化钛：厚度15
‑
25nm，第五层为氮化硅：厚度30
‑
40nm；此时，所述基膜层采用高透型的PET高清膜，厚度为20
‑
60μm；所述高透型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的OPP膜层采用高透型OPP高清膜，厚度为20
‑
50μm。
[0012]进一步地，所述遮阳型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的热反射镀膜层的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度30
‑
60nm，第二层为氧化镍铬：厚度20
‑
35nm，第三层为银：
厚度10
‑
15nm，第四层为氧化钛：厚度10
‑
20nm，第五层为氮化硅：厚度50
‑
80nm；此时，所述基膜层采用磨砂型PET膜，厚度为30
‑
85μm；所述遮阳型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的OPP膜层采用采用磨砂型OPP膜，厚度为为30
‑
60μm。
[0013]进一步地，所述双银低辐射型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的热反射镀膜层的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度10
‑
25nm，第二层为银层：厚度为15
‑
20nm，第三层为氧化镍铬：厚度15
‑
25nm，第四层为氧化钛：厚度 15
‑
25nm，第五层为银层：厚度为15
‑
25nm；第六层为氮化硅：厚度35
‑
60nm；此时，所述基膜层采用高透型或磨砂型的PET高清膜，厚度为25
‑
60μm；所述高透型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的OPP膜层采用高透型或磨砂型的OPP高清膜，厚度为25
‑
60μm。
[0014]进一步地，所述防刮层采用PET防刮膜，厚度为20
‑
50μm。
[0015]进一步地，所述复合胶采用UV感压胶，厚度为5
‑
10μm。
[0016]进一步地，所述安装胶层采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，厚度为 5
‑
10μm。
[0017]进一步地，所述剥离层采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，所述剥离层的厚度为5
‑
20μm。
[0018]本技术相对于现有技术包括有以下有益效果：
[0019]本技术提供的一种磁控溅射Low
‑
E膜采用多层复合、带防刮层、粘接层的结构，独立于玻璃单独存在，能够根据需要将其贴于对应的玻璃表面获得更好的高遮阳性、低辐射透过性或者高可见光透过性及低太阳能透过率的优点，相对于现有的Low
‑
E玻璃更方便实用，能够根据实际具体场景具体进行选择和粘贴，在无需贴膜的时候，能够通过撕去磁控溅射Low
‑
E膜的方式露出原本的玻璃，并可进行更换其它的膜，便捷高效。
[0020]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术的一种磁控溅射Low
‑
E膜的层结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例中基于高透型的磁控溅射Low
‑
E膜以及遮阳型的磁控溅射Low
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E膜所对应的热反射镀膜层复合面的层结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例中基于双银低辐射型的磁控溅射Low
‑
E膜所对应的热反射镀膜层复合面的层结构示意图；
[0025]附图中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射Low
‑
E膜，包括基膜层(1)、设置于基膜层(1)一侧且通过安装胶层(6)相连的剥离层(7)、设置于基膜层(1)另一侧且通过复合胶(4)相连的防刮层(5)，通过剥离层(7)剥离后由安装胶层(6)与玻璃(8)表面相贴进行贴膜，其特征在于：所述基膜层(1)与复合胶(4)之间依次设置有热反射镀膜层(2)、Low
‑
E镀膜层(3)；所述Low
‑
E镀膜层(3)采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；所述热反射镀膜层(2)采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜；由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射Low
‑
E膜。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low
‑
E膜，其特征在于，所述Low
‑
E镀膜层(3)包括OPP膜层(31)以及镀银层(32)，所述OPP膜层(31)与热反射镀膜层(2)之间通过复合胶(4)热压复合；所述镀银层(32)的厚度在5
‑
20nm之间，所述OPP膜层(31)的厚度在25
‑
80μm。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low
‑
E膜，其特征在于，所述高透型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度20
‑
30nm，第二层为氧化镍铬：厚度10
‑
15nm，第三层为银：厚度10
‑
15nm，第四层为氧化钛：厚度15
‑
25nm，第五层为氮化硅：厚度30
‑
40nm；此时，所述基膜层(1)采用高透型的PET高清膜，厚度为20
‑
60μm；所述高透型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的OPP膜层(31)采用高透型OPP高清膜，厚度为20
‑
50μm。4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low
‑
E膜，其特征在于，所述遮阳型的磁控溅射Low
‑
E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度30
‑
60nm，第二层为氧化镍铬：厚度2...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢尔本，
申请(专利权)人：上海尚傲新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：