一种3D膜的制备方法及装置制造方法及图纸

一种3D膜的制备方法及装置，属于3D显示领域，本发明专利技术为解决现有1/2相位差补偿膜制备工艺存在的问题。本发明专利技术方法包括以下步骤：S1、1/2相位差补偿膜雕刻步骤：带有保护膜的1/2相位差补偿膜通过送料辊输送至磁性辊筒处，利用雕刻辅助层与磁性辊筒的磁吸性能将1/2相位差补偿膜固定在磁性辊筒表面，所述雕刻辅助层为半圆铁罩，且保护膜靠近雕刻辅助层；利用雕刻刀具同步在雕刻辅助层、保护膜及1/2相位差补偿膜微雕实现1/2相位差补偿膜的图案化处理；S2、偏振片与图案化处理后的1/2相位差补偿膜复合步骤；S3、1/2相位差补偿膜的保护膜回收步骤；S4、偏振片、1/2相位差补偿膜和AG膜的复合成3D膜的步骤。本发明专利技术将微雕技术应用于3D膜的制备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
一种3D膜的制备方法及装置


[0001]本专利技术涉及小间距3D膜的制备方法，属于3D显示领域。

技术介绍

[0002]3D偏振技术无论是显示色彩还是3D的舒适性都要优于其他3D技术，是目前市场接受度最高、发展主流的技术之一。目前市场上公开的3D偏振膜的主要工艺包括：左旋或者右旋偏光膜组成一组阵列，左旋或者右旋偏光膜组合1/2相位差补偿膜组成另一组阵列，两组阵列分别与助视眼镜左右匹配形成具有双眼视差的偏振图像，而1/2相位差补偿膜与LED点距大小对应，由于1/2相位差补偿膜的工艺一般采用激光烧结或者刀切工艺，激光烧结存在明显烧边，而刀切工艺的宽度也只能控制在1.25mm以上，随着LED点距越小，制备的精度控制水平越低，完全影响到3D膜与LED模组的对位贴合及所带来的的串扰增加、3D显示效果变差问题。亟需一种新的制备工艺及制备方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的是为了解决现有1/2相位差补偿膜制备工艺存在的问题，提供了一种3D膜的制备方法及装置。
[0004]本专利技术所述一种3D膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
[0005]S1、1/2相位差补偿膜雕刻步骤：
[0006]带有保护膜的1/2相位差补偿膜通过送料辊输送至磁性辊筒处，利用雕刻辅助层与磁性辊筒的磁吸性能将1/2相位差补偿膜固定在磁性辊筒表面，所述雕刻辅助层为半圆铁罩，且保护膜靠近雕刻辅助层；
[0007]利用雕刻刀具同步在雕刻辅助层、保护膜及1/2相位差补偿膜微雕实现1/2相位差补偿膜的图案化处理；
[0008]S2、偏振片与图案化处理后的1/2相位差补偿膜复合步骤；
[0009]输送偏振片与图案化处理后的1/2相位差补偿膜复合，本步骤中保护膜随同复合；
[0010]S3、1/2相位差补偿膜的保护膜回收步骤；
[0011]将保护膜收卷回收，只保留复合在一起的偏振片、1/2相位差补偿膜；
[0012]S4、偏振片、1/2相位差补偿膜和AG膜的复合成3D膜的步骤。
[0013]输送AG膜，使AG膜与偏振片、1/2相位差补偿膜复合结构进一步复合形成3D膜。
[0014]优选地，与步骤S1同步执行无效部分回收步骤：
[0015]进行图案化处理过程中，雕刻掉的无效部分利用风系统吸走，图案化的有效部分输送至下一工艺步骤。
[0016]优选地，在步骤S4之前还包括填平步骤：利用滴胶机在1/2相位差补偿膜的无效区域点胶，或在AG膜表面涂布胶水，再通过AG膜与1/2相位差补偿膜压合实现无效区域的填平。
[0017]本专利技术还提供另一种技术方案，一种3D膜的制备装置，本装置是利用所述方法实
现的，所述制备装置包括1/2相位差补偿膜送料辊101、雕刻辅助层102、雕刻刀具103、定位装置104、磁性辊筒105、上下辊轮压合装置、偏光片基材送料辊109、1/2相位差补偿膜保护膜收料辊110、1/2相位差补偿膜保护膜剥离辊111、AG送料辊112、AG贴合机构和3D膜成品辊115；
[0018]1/2相位差补偿膜送料辊101将覆有保护膜116的1/2相位差补偿膜100输送至磁性辊筒105；启动磁性辊筒105的磁性，雕刻辅助层102在定位装置104的控制下吸合在磁性辊筒105表面，并将1/2相位差补偿膜100及其保护膜116夹持固定在磁性辊筒105上；
[0019]雕刻刀具103对固定状态下的雕刻辅助层102、保护膜116和1/2相位差补偿膜100进行同步雕刻，雕刻完成后关闭磁性辊筒105的磁性；
[0020]偏光片基材送料辊109将偏振片基材输送至上下辊轮压合装置，与雕刻形成图案化的1/2相位差补偿膜100及其保护膜116进行卷对卷复合；复合后利用1/2相位差补偿膜保护膜剥离辊111将保护膜116剥离，并利用1/2相位差补偿膜保护膜收料辊110收卷；
[0021]AG送料辊112将AG膜卷材输送至AG贴合机构，将AG膜与复合有偏振片的图案化1/2相位差补偿膜进行进一步复合形成3D膜，3D膜成品辊115将3D膜收卷。
[0022]优选地，还包括磁性开关控制装置106，磁性辊筒105为磁性材料，并通过磁性开关控制装置106开启磁性或关闭磁性功能。
[0023]优选地，上下辊轮压合装置由一号压合辊107和二号压合辊108构成。
[0024]优选地，AG贴合机构由三号压合辊113和四号压合辊114构成。
[0025]优选地，雕刻辅助层102为半圆铁罩，定位装置104通过控制半圆铁罩两侧边的位置控制雕刻辅助层102压在磁性辊筒105上的位置。
[0026]本专利技术的有益效果：
[0027]1、借助硬材质的雕刻辅助层实现对1/2相位差补偿膜的图案化雕刻处理。1/2相位差补偿膜夹持在硬材质的雕刻辅助层和硬材质的磁性辊之间，使得雕刻刀具在对硬材质的雕刻辅助层实施雕刻的同时，能同步完成对中间软材质的1/2相位差补偿膜的雕刻，进行图案化处理，克服了雕刻刀具无法直接雕刻软膜的难题。
[0028]2、采用雕刻刀具进行1/2相位差补偿膜的图案化工艺，精度非常高，而且匹配的LED点距越小精度越高，制备的效率也越高，完全适宜批量化的导入。
[0029]3、雕刻刀具进行1/2相位差补偿膜的图案化工艺对选择3D输出方式如3D输出行阵列式、列阵列式或行/列交错式的都适用，兼容性强，加工难度低。
附图说明
[0030]图1是本专利技术所述一种3D膜的制备装置的结构示意图；
[0031]图2是雕刻原理图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0034]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0035]具体实施方式一：下面结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式所述一种3D膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
[0036]S1、1/2相位差补偿膜雕刻步骤：
[0037]带有保护膜的1/2相位差补偿膜通过送料辊输送至磁性辊筒处，利用雕刻辅助层与磁性辊筒的磁吸性能将1/2相位差补偿膜固定在磁性辊筒表面，所述雕刻辅助层为半圆铁罩，且保护膜靠近雕刻辅助层；
[0038]利用雕刻刀具同步在雕刻辅助层、保护膜及1/2相位差补偿膜微雕实现1/2相位差补偿膜的图案化处理；参见图2，雕刻刀具能雕透雕刻辅助层、保护膜及1/2相位差补偿膜，三层同步被雕刻出图案，本步骤中，雕刻辅助层为硬质，磁性辊筒为硬质，两层硬质夹持一层软质使中间层的软膜具有可雕刻性，实现1/2相位差补偿膜的图案化处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种3D膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1、1/2相位差补偿膜雕刻步骤：带有保护膜的1/2相位差补偿膜通过送料辊输送至磁性辊筒处，利用雕刻辅助层与磁性辊筒的磁吸性能将1/2相位差补偿膜固定在磁性辊筒表面，所述雕刻辅助层为半圆铁罩，且保护膜靠近雕刻辅助层；利用雕刻刀具同步在雕刻辅助层、保护膜及1/2相位差补偿膜微雕实现1/2相位差补偿膜的图案化处理；S2、偏振片与图案化处理后的1/2相位差补偿膜复合步骤；输送偏振片与图案化处理后的1/2相位差补偿膜复合，本步骤中保护膜随同复合；S3、1/2相位差补偿膜的保护膜回收步骤；将保护膜收卷回收，只保留复合在一起的偏振片、1/2相位差补偿膜；S4、偏振片、1/2相位差补偿膜和AG膜的复合成3D膜的步骤。输送AG膜，使AG膜与偏振片、1/2相位差补偿膜复合结构进一步复合形成3D膜。2.根据权利要求1所述一种3D膜的制备方法，其特征在于，与步骤S1同步执行无效部分回收步骤：进行图案化处理过程中，雕刻掉的无效部分利用鼓风系统吸走，图案化的有效部分输送至下一工艺步骤。3.根据权利要求1或2所述一种3D膜的制备方法，其特征在于，在步骤S4之前还包括填平步骤：利用滴胶机在1/2相位差补偿膜的无效区域点胶，或在AG膜表面涂布胶水，再通过AG膜与1/2相位差补偿膜压合实现无效区域的填平。4.一种3D膜的制备装置，本装置是利用权利要求3所述方法实现的，其特征在于，所述制备装置包括1/2相位差补偿膜送料辊(101)、雕刻辅助层(102)、雕刻刀具(103)、定位装置(104)、磁性辊筒(105)、上下辊轮压合装置、偏光片基材送料辊(109)、1/2相位差补偿膜保护膜收料辊(110)、1/2相位差补偿膜保护膜剥离辊(111)、AG送料辊(112)、AG贴合机构和3D膜成...

【专利技术属性】
技术研发人员：董家亮，鲜成波，韩岩辉，王华波，杨枫，魏厚伟，洪晓明，顾开宇，
申请(专利权)人：宁波维真显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：