【技术实现步骤摘要】
通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法
[0001]本专利技术涉及硅片加工
,具体为通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法。
技术介绍
[0002]硅片表面的光泽度作为评价硅片表面质量的指标之一,逐渐被各半导体厂重视并加以控制。集成电路用大尺寸硅片的后道器件工艺制程中,不可避免地会使用到通过硅片背面进行工艺温度探测以及控温的制程设备,例如常见的HDPCVD薄膜沉积设备等。在这些设备上加工器件产品时,工艺温度的探测值和最终实际工艺功率/温度的输出会受到硅片背面光泽度的影响,硅片背面光泽度不一致会导致设备的实际制程温度出现偏差,进而导致产品参数的偏差。
[0003]现有的硅片背面光泽度在进行高温退火时,还存在以下问题:
[0004]1、硅片在进行退火时,往往会存在退火不均匀的情况,且退火时对于硅片的放置多数为叠加状态,容易对最后产品的质量造成较大的影响,同时对于硅片的拿放操作也较为不便;
[0005]2、硅片在想要形成质量较好的光泽度时,容易受到腐蚀液浓度,腐蚀时间,退火时间因素的影响,而现有的退火箱无法时间因素的调控。
[0006]为此,本专利技术提供了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法。
技术实现思路
[0007]针对现有技术的不足,本专利技术提供了通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法,解决了硅片在进行退火时存在退火不均匀,以及产品叠加对产品质量造成影响,同时现有的退火箱无法时间因素的调控的问题。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,包括箱体(1),所述箱体(1)的底部固定连接有底座(2),所述箱体(1)的顶部固定连接有退火箱(3),所述退火箱(3)的一侧固定连接有支架板(4),且支架板(4)固定安装在箱体(1)的顶部,其特征在于:所述退火箱(3)的内部设置有退火旋转机构(5),所述退火箱(3)的顶部设置有浓度调节机构(6),所述浓度调节机构(6)通过控制系统(7)进行操控调节;所述退火旋转机构(5)中包括驱动电机(51)、支撑转轴(52)和相互对称的圆板(53),两个圆板(53)之间固定连接有承物板(54),且圆板(53)的一侧通过伸缩组件(55)进行移动,延伸端所述圆板(53)的一侧通过卡接组件(56)与退火箱(3)固定,所述承物板(54)的内部设置有硅片稳固机构(57),所述驱动电机(51)固定安装在退火箱(3)的表面,所述驱动电机(51)输出轴的一端通过联轴器固定连接有驱动转轴(58),所述驱动转轴(58)的外表面固定连接有驱动齿轮(59),所述支撑转轴(52)的外表面固定连接有传动齿轮(510),所述驱动齿轮(59)和传动齿轮(510)的外表面啮合,所述支撑转轴(52)的外表面通过滑动组件(511)与圆板(53)连接;所述硅片稳固机构(57)中包括第一转动杆(57
‑
1)、第二转动杆(57
‑
2)、第一圆弧板(57
‑
3)和第二圆弧板(57
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4),所述第一圆弧板(57
‑
3)和第二圆弧板(57
‑
4)的外表面均与承物板(54)的表面固定连接,所述第一转动杆(57
‑
1)和第二转动杆(57
‑
2)的外表面均固定连接有转动轴承(57
‑
5),所述转动轴承(57
‑
5)的外表面镶嵌在第一圆弧板(57
‑
3)和第二圆弧板(57
‑
4)的内部,所述第一转动杆(57
‑
1)的一端和第二转动杆(57
‑
2)的两端均固定连接有挤压弹簧(57
‑
6),所述挤压弹簧(57
‑
6)的一端固定连接有吸力盘(57
‑
7)。2.根据权利要求1所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述伸缩组件(55)中包括气缸(55
‑
1),所述气缸(55
‑
1)的一侧固定安装在退火箱(3)的表面,所述气缸(55
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1)的一侧滑动连接有活塞杆(55
‑
2),且活塞杆(55
‑
2)的一端贯穿延伸至退火箱(3)的内部,所述活塞杆(55
‑
2)的一端与圆板(53)的一侧固定连接。3.根据权利要求1所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述卡接组件(56)中包括密封板(56
‑
1),所述密封板(56
‑
1)的一侧与延伸端圆板(53)的一侧转动连接,所述密封板(56
‑
1)的表面固定连接有转动把手(56
‑
2),所述密封板(56
‑
1)的外表面固定连接有卡接块(56
‑
3),所述退火箱(3)的一侧开设有延伸槽(56
‑
4)。4.根据权利要求3所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统,其特征在于:所述密封板(56
‑
1)的外表面与延伸槽(56
‑
4)的内表面紧密接触,所述延伸槽(56
‑
4)的内表面开设有滑动槽(56
‑
5),所述延伸槽(56
‑
4)的内表面且位于滑动槽(56
‑
5)的一侧开设有卡接槽(56
‑
6),所述卡接块(56
‑
3)的外表面与卡接槽(56
‑
6)的内表面滑动连接。5.根据权利要求1所述的通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶绍凤,
申请(专利权)人:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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