用于工艺腔室的高导通内部屏蔽物制造技术

此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。板直向下延伸。板直向下延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于工艺腔室的高导通内部屏蔽物


[0001]本公开内容的实施例总体涉及基板处理装备，且更具体而言，涉及在基板处理装备中使用的工艺套件。

技术介绍

[0002]已知工艺腔室配置成执行预清洁工艺。举例而言，此种腔室配置成在物理气相沉积(PVD)用于在基板上沉积一个或多个屏蔽层(例如，钛(Ti)、铜(Cu)等等)之前，于基板的金属接触垫上移除天然氧化物，且移除其他材料。预清洁腔室通常使用离子撞击(由RF等离子体诱发)移除在金属接触垫上的天然氧化物和其他材料。举例而言，预清洁工艺可从基板蚀刻天然氧化物及材料。预清洁工艺配置成降低在基板上金属接触之间的接触阻抗，以增强在基板上集成电路的性能及功率消耗，且提升粘着性。
[0003]为了执行等离子体清洁工艺，集成电路放置在等离子体腔室中，且泵从腔室移除大部分空气。电磁能量(例如，射频)施加至注入的气体(诸如，氩气)，以将注入的气体激发成等离子体状态。等离子体释放对基板的表面进行撞击的离子，以从基板移除污染物和/或材料。污染物和/或基板材料的原子或分子从基板蚀刻，并且大部分被抽取出腔室。然而，污染物和/或蚀刻的材料中的一些可沉积于腔室的表面上。工艺套件通常用以减少或避免污染物和/或蚀刻的材料沉积至腔室的表面上。然而，对于具有增加的污染物或蚀刻的材料的一些等离子体清洁或蚀刻工艺，工艺套件可能无法提供适当的流动导通以用于移除替换的材料。
[0004]因此，专利技术人已提供改进的工艺套件的实施例。

技术实现思路

[0005]此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种在工艺腔室中使用的工艺套件，包括：管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。
[0006]在一些实施例中，一种在工艺腔室中使用的工艺套件，包括：管状主体，所述管状主体被配置成围绕基板支撑件；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，其中顶板包括埋头孔(countersink)及设置于埋头孔中且延伸通过顶板的中心开口，其中顶板包括上部部分及下部部分，且其中上部部分从下部部分径向向外延伸，且下部部分的外表面与管状主体的外表面共面。
[0007]在一些实施例中，一种工艺腔室，包括腔室主体，所述腔室主体界定内部空间且具有泵端口；适配器，所述适配器设置于腔室主体的侧壁上；基板支撑件，所述基板支撑件设置于内部空间中；内部屏蔽物，所述内部屏蔽物安装于适配器上且围绕基板支撑件，其中内部屏蔽物包括管状主体及耦合至管状主体的上端的顶板，其中顶板包括气体入口，所述气
体入口具有小于基板支撑件的直径，且顶板的上表面包括第一环状凹槽，且其中内部屏蔽物界定处理空间的上部部分；以及泵，所述泵耦合至泵端口，且配置成从内部空间通过介于管状主体及基板支撑件之间的间隙移除粒子。
[0008]以下说明本公开内容的其他及进一步实施例。
附图说明
[0009]以上简要概述且以下更详细讨论的本公开内容的实施例可通过参考描绘于附图中的本公开内容的图示实施例而理解。然而，附图仅示出本公开内容的通常实施例，且因此不应考量为范围的限制，因为本公开内容可认可其他均等效果的实施例。
[0010]图1根据本公开内容的至少一些实施例描绘工艺腔室的概要侧视图。
[0011]图2根据本公开内容的至少一些实施例的描绘工艺腔室的部分概要剖面侧视图。
[0012]图3根据本公开内容的至少一些实施例描绘工艺套件的等距视图。
[0013]图4根据本公开内容的至少一些实施例描绘工艺套件的等距视图。
[0014]图5描绘图4的工艺套件的顶部平面视图。
[0015]为促进理解，已尽可能地使用相同的元件符号代表附图中共用的元件。附图并非按照比例绘制，且为了清楚可能简化。一个实施例的元件及特征可有益地并入其他实施例中而无须进一步说明。
具体实施方式
[0016]此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。工艺腔室可配置成对基板执行任何适合的工艺。在一些实施例中，工艺腔室配置成执行蚀刻工艺、沉积工艺或预清洁工艺。工艺腔室包括基板支撑件，以支撑基板。泵可耦合至工艺腔室以从工艺腔室的内部空间移除粒子。专利技术人已发现包括有机材料的基板在处理期间相较于常规基板具有增加的释气水平。工艺套件设置于基板支撑件四周，以有利地减少或避免非期望的材料沉积于工艺腔室的腔室主体上，同时还提供通过工艺套件的高导通。
[0017]图1根据本公开内容的至少一些实施例，描绘具有工艺套件的工艺腔室(例如，等离子体处理腔室)的概要侧视图。在一些实施例中，等离子体处理腔室为预清洁处理腔室。然而，配置用于不同工艺的其他类型的工艺腔室还可使用或修改与此处所述的工艺套件的实施例一起使用。
[0018]腔室100为真空腔室，所述真空腔室适当地经适配用于在基板处理期间维持内部空间120内的次大气压力。在一些实施例中，腔室100可维持约1mTorr至约10mTorr的压力。腔室100包括由盖104覆盖的腔室主体106，盖104包覆定位于内部空间120的上半部中的处理空间119。在一些实施例中，腔室100包括设置于腔室主体106与盖104之间且放置于腔室主体106的侧壁上的适配器180。腔室100包括环绕各种腔室部件的工艺套件，以避免在此种部件和蚀刻的材料与其他污染物之间非想要的反应。腔室主体106、适配器180及盖104可以由金属(诸如铝)制成。腔室主体106可通过耦合至接地115而接地。
[0019]基板支撑件124设置于内部空间120内，以支撑且保持诸如半导体晶片之类的基板122，或如可以静电保持的其他此种基板。基板支撑件124可大致包括基座136(在以下关于图2更详细说明)及用于支撑基座136的中空支撑轴112。基座136包括静电卡盘150。在一些
实施例中，静电卡盘150包括介电板。中空支撑轴112提供导管，以提供例如背侧气体、工艺气体、流体、冷却剂、功率等至静电卡盘150。在一些实施例中，基板支撑件124包括边缘环187，边缘环187设置于静电卡盘150四周。在一些实施例中，边缘环187由氧化铝(Al2O3)制成。狭缝阀184可耦合至腔室主体106，以促进将基板122传送进出内部空间120。
[0020]在一些实施例中，工艺套件包括环绕基板支撑件124的内部屏蔽物117。在一些实施例中，内部屏蔽物117放置于适配器180上。在一些实施例中，内部屏蔽物117配置成界定处理空间119。在一些实施例中，内部屏蔽物117由金属(诸如铝)制成。在一些实施例中，工艺套件包括环绕基板支撑件124的下部屏蔽物105。在一些实施例中，下部屏蔽物105耦合至基座136。在一些实施例中，下部屏蔽物105由金属(诸如铝)制成。
[0021]在一些实施例中，中空支撑轴112耦合至升举机构113(诸如致动器或电机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括：管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中所述管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至所述管状主体的上端并且实质上覆盖所述中心开口，其中所述顶板具有气体入口并且具有比所述管状主体的外直径要大的直径，并且其中所述管状主体从所述顶板直向下延伸。2.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述顶板的上表面包括第一环状凹槽和第二环状凹槽。3.如权利要求2所述的工艺套件，其中所述顶板的上表面包括第三环状凹槽，所述第三环状凹槽从所述第一环状凹槽和所述第二环状凹槽径向向内设置。4.如权利要求2所述的工艺套件，其中所述顶板包括多个安装孔，所述多个安装孔从所述第一环状凹槽径向向外并且配置成将所述顶板安装至适配器。5.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述气体入口从形成于所述顶板的上表面上的埋头孔延伸至所述顶板的下表面。6.如权利要求5所述的工艺套件，其中所述埋头孔界定下表面，并且其中所述下表面包括多个开口，所述多个开口配置成将所述顶板耦合至扩散器。7.如权利要求1所述的工艺套件，进一步包括：环状环，所述环状环配置成围绕所述基板支撑件；以及环状唇部，所述环状唇部从所述环状环的上表面延伸，其中所述环状环包括多个环狭槽，所述多个环狭槽延伸通过所述环状环并且以规则间隔沿着所述环状环设置，并且其中所述环状唇部包括多个唇部狭槽，所述多个唇部狭槽延伸通过所述环状唇部，所述多个唇部狭槽以规则间隔沿着所述环状唇部设置。8.如权利要求7所述的工艺套件，其中所述管状主体的所述外直径小于所述环状唇部的内直径。9.如权利要求1至8中任一项所述的工艺套件，其中所述顶板的下部部分的外直径与所述管状主体的所述外直径实质上相同。10.如权利要求1至8中任一项所述的工艺套件，其中所述工艺套件由铝制成。11.如权利要求1至8中任一项所述的工艺套件，其中所述顶板包括上部部分和下部...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：