半导体电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体电路，该半导体电路包括基板以及设置在所述基板上的至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块，所述高频驱动模块包括第一驱动芯片和与所述第一驱动芯片电连接的第一三相电路；所述低频驱动模块包括第二驱动芯片和与所述第二驱动芯片电连接的第二三相电路。本实用新型专利技术提供的半导体电路模块通过将至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块集成在一起，从而在实现同时驱动不同设备的情况下，减小模块化智能功率系统的体积以及制造降低成本。系统的体积以及制造降低成本。系统的体积以及制造降低成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本技术涉及半导体电路
，具体涉及一种半导体电路。

技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，集成了智能控制IC和用于功率输出的IGBT、MOSFET、FRD等大功率器件及一些阻容元件，这些元器件通过锡基焊料焊接在铝基板上。
[0003]现有的半导体电路大多数是单个三相驱动，对于需要多个三相驱动的设备时需要用到多个半导体电路，以分别驱动对应的设备。但是，这种驱动方式的成本相对昂贵，而且开关频率及载流能力都是固定，限制了高低频的应用场景。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种半导体电路，以解决现有半导体电路只能驱动一个设备的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提出的半导体电路包括基板以及设置在所述基板上的至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块，所述高频驱动模块包括第一驱动芯片和与所述第一驱动芯片电连接的第一三相电路；所述低频驱动模块包括第二驱动芯片和与所述第二驱动芯片电连接的第二三相电路。
[0006]优选地，所述第一驱动芯片包括第一故障检测单元、第一电源检测单元、第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元、第一U相MOS 管、第一V相MOS管和第一W相MOS管，所述第一故障检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元和第一电源检测单元电连接，所述第一电源检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元和第一W相控制单元电连接，所述第一U相控制单元与所述第一U相MOS管电连接，所述第一V相控制单元与所述第一V相MOS管电连接，所述第一W相控制单元与所述第一W相MOS管电连接。
[0007]优选地，所述第一U相控制单元包括第一斯密特触发器、第二斯密特触发器、第一滤波元件、第二滤波元件、第一脉冲处理元件、第一脉冲延时元件、第一高低电平检测元件、第二高低电平检测元件和第一自举元件，所述第一斯密特触发器通过所述第一滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器通过所述第二滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器还与所述第一斯密特触发器电连接，所述第一脉冲处理元件通过所述第一脉冲延时元件分别与所述第一高低电平检测元件和第二高低电平检测元件电连接，所述第一自举元件还与所述第一高低电平检测元件电连接；
[0008]所述第一V相控制单元和第一W相控制单元与所述第一U相控制单元结构一致。
[0009]优选地，所述第二驱动芯片包括第二故障检测单元、第二电源检测单元、第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元、第二U相MOS 管、第二V相MOS管和第二W相MOS管，所述第二故障检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控
制单元和第二电源检测单元电连接，所述第二电源检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元和第二W相控制单元电连接，所述第二U相控制单元与所述第二U相MOS管电连接，所述第二V相控制单元与所述第二V相MOS管电连接，所述第二W相控制单元与所述第二W相MOS管电连接。
[0010]优选地，所述第二U相控制单元包括第三斯密特触发器、第四斯密特触发器、第三滤波元件、第四滤波元件、第二脉冲处理元件、第二脉冲延时元件、第三高低电平检测元件、第四高低电平检测元件和第二自举元件，所述第三斯密特触发器通过所述第三滤波元件与所述第二脉冲处理元件电连接，所述第四斯密特触发器通过所述第四滤波元件与所述第二脉冲处理元件电连接，所述第四斯密特触发器还与所述第三斯密特触发器电连接，所述第二脉冲处理元件通过所述第二脉冲延时元件分别与所述第三高低电平检测元件和第四高低电平检测元件电连接，所述第二自举元件还与所述第三高低电平检测元件电连接；
[0011]所述第二V相控制单元和第二W相控制单元与所述第二U相控制单元结构一致。
[0012]优选地，所述第一三相电路包括与所述第一驱动芯片电连接的第一U相单元、第一V相单元、第一W相单元、第一电容、第二电容和第三电容，所述第一电容还与所述第一U相单元电连接，所述第二电容还与所述第一V相单元电连接，所述第三电容还与所述第一W相单元电连接。
[0013]优选地，所述第一U相单元包括第一三极晶体管、第一驱动电阻、第二三极晶体管和第二驱动电阻，所述第一三极晶体管的栅极通过所述第一驱动电阻与所述第一驱动芯片电连接，所述第一三极晶体管的源极与所述第二三极晶体管的漏极电连接并还与所述第一驱动芯片电连接，所述第二三极晶体管的栅极通过所述第二驱动电阻与所述第一驱动芯片电连接，所述第一电容的一端与所述第一三极晶体管的源极电连接；所述第一V相单元包括第三三极晶体管、第三驱动电阻、第四三极晶体管和第四驱动电阻，所述第三三极晶体管的栅极通过所述第三驱动电阻与第三驱动芯片电连接，所述第三三极晶体管的源极与所述第四三极晶体管的漏极电连接并还与所述第三驱动芯片电连接，所述第四三极晶体管的栅极通过所述第四驱动电阻与所述第三驱动芯片电连接，所述第二电容的一端与所述第三三极晶体管的源极电连接；所述第一W相单元包括第五三极晶体管、第五驱动电阻、第六三极晶体管和第六驱动电阻，所述第五三极晶体管的栅极通过所述第五驱动电阻与第五驱动芯片电连接，所述第五三极晶体管的源极与所述第六三极晶体管的漏极电连接并还与所述第五驱动芯片电连接，所述第六三极晶体管的栅极通过所述第六驱动电阻与所述第五驱动芯片电连接，所述第三电容的一端与所述第五三极晶体管的源极电连接。
[0014]优选地，所述第二三相电路包括与所述第二驱动芯片电连接的第二U相单元、第二V相单元、第二W相单元、第四电容、第五电容和第六电容，所述第四电容还与所述第二U相单元电连接，所述第五电容还与所述第二V相单元电连接，所述第六电容还与所述第二W相单元电连接。
[0015]优选地，所述基板上设有与所述第一驱动芯片电连接的第一供电引脚、第一PWM波输入引脚和第一故障检测引脚以及与所述第一三相电路电连接的第一母线引脚和第一自举引脚。
[0016]优选地，所述基板上还设有与所述第二驱动芯片电连接的第二供电引脚、第二PWM波输入引脚和第二故障检测引脚以及与所述第二三相电路电连接的第二母线引脚和第二
自举引脚。
[0017]本技术实施例提供的半导体电路，通过将至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块集成在一起，从而在实现同时驱动不同设备的情况下，减小模块化智能功率系统的体积以及制造降低成本。
附图说明
[0018]图1为本技术中半导体电路一实施例的模块示意图；
[0019]图2为图1中所示半导体电路的电路结构示意图；
[0020]图3为图2中所示第一驱动芯片的电路结构示意图；
[0021]图4为图3中所示第一U相控制单元的电路结构示意图；
[0022]图5为图2中所示第二驱动芯片的电路结构示意图；
[0023]图6为图5中所示第二U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块，所述高频驱动模块包括第一驱动芯片和与所述第一驱动芯片电连接的第一三相电路；所述低频驱动模块包括第二驱动芯片和与所述第二驱动芯片电连接的第二三相电路。2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一驱动芯片包括第一故障检测单元、第一电源检测单元、第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元、第一U相MOS管、第一V相MOS管和第一W相MOS管，所述第一故障检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元和第一电源检测单元电连接，所述第一电源检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元和第一W相控制单元电连接，所述第一U相控制单元与所述第一U相MOS管电连接，所述第一V相控制单元与所述第一V相MOS管电连接，所述第一W相控制单元与所述第一W相MOS管电连接。3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述第一U相控制单元包括第一斯密特触发器、第二斯密特触发器、第一滤波元件、第二滤波元件、第一脉冲处理元件、第一脉冲延时元件、第一高低电平检测元件、第二高低电平检测元件和第一自举元件，所述第一斯密特触发器通过所述第一滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器通过所述第二滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器还与所述第一斯密特触发器电连接，所述第一脉冲处理元件通过所述第一脉冲延时元件分别与所述第一高低电平检测元件和第二高低电平检测元件电连接，所述第一自举元件还与所述第一高低电平检测元件电连接；所述第一V相控制单元和第一W相控制单元与所述第一U相控制单元结构一致。4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第二驱动芯片包括第二故障检测单元、第二电源检测单元、第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元、第二U相MOS管、第二V相MOS管和第二W相MOS管，所述第二故障检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元和第二电源检测单元电连接，所述第二电源检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元和第二W相控制单元电连接，所述第二U相控制单元与所述第二U相MOS管电连接，所述第二V相控制单元与所述第二V相MOS管电连接，所述第二W相控制单元与所述第二W相MOS管电连接。5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述第二U相控制单元包括第三斯密特触发器、第四斯密特触发器、第三滤波元件、第四滤波元件、第二脉冲处理元件、第二脉冲延时元件、第三高低电平检测元件、第四高低电平检测元件和第二自举元件，所述第三斯密特触发器通过所述第三滤波元件与所述第二脉冲处理元件电连接，所述第四斯密特触发器通过所述第四滤波元件与所述第二脉冲处理元件电连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：