一种清洗组件制造技术

本发明专利技术提供了一种清洗组件，该清洗组件包括旋转支撑组件、设置在晶圆一侧的清洗装置。清洗装置包括第一喷头组件、第二喷头组件及超声波振动装置，第一喷头组件位于晶圆一侧且向晶圆表面喷淋清洗液；第二喷头组件与第一喷头组件位于晶圆的相同侧，第二喷头组件位于第一喷头组件的下方，第二喷头组件向晶圆表面喷淋清洗气体；超声波振动装置设置在第一喷头组件及第二喷头组件之间。第二喷头组件喷淋出的清洗气体能够阻挡从第一喷头组件喷淋到晶圆表面的清洗液向下流动，以在超声波振动装置及晶圆表面之间形成超声波振动装置向晶圆表面发射超声波的媒介。使清洗装置与晶圆表面没有物理上的接触，从而减少对晶圆表面的划伤，减少晶圆表面的划痕。晶圆表面的划痕。晶圆表面的划痕。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗组件


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种清洗组件。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的集成化，半导体器件上的结构体积逐渐变小。在此情况下，在半导体的制造过程中，可能由于晶圆表面的小尺寸划痕等缺陷，而影响半导体器件的加工良率。
[0003]在半导体加工过程中，对晶圆表面进行CMP(chemical mechanical polish，化学机械抛光)工艺后，会对晶圆表面进行清洗。现有技术中的清洗装置主要采用清洗刷及清洗液的方式，清洗刷与晶圆表面具有一定间隙，在清洗刷与晶圆表面之间的间隙内填充有清洗液，清洗刷旋转带动清洗液旋转，以完成对晶圆表面进行清洗。但是采用现有技术中的清洗装置，清洗刷可能划伤晶圆表面，在晶圆表面留下划痕，从而影响半导体器件的加工良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种清洗组件，用于采用超声波方式对晶圆表面进行清洗，以减少晶圆表面的划痕。
[0005]本专利技术提供了一种清洗组件，该清洗组件包括将晶圆保持在竖立状态的旋转支撑组件、以及设置在晶圆一侧的清洗装置。其中，旋转支撑组件还用于驱动晶圆绕晶圆的中心定点旋转。清洗装置包括第一喷头组件、第二喷头组件及超声波振动装置，其中，第一喷头组件位于晶圆一侧且向晶圆表面喷淋清洗液；第二喷头组件与第一喷头组件位于晶圆的相同侧，且第二喷头组件位于第一喷头组件的下方，第二喷头组件用于向晶圆表面喷淋清洗气体；超声波振动装置设置在第一喷头组件及第二喷头组件之间。且第二喷头组件喷淋出的清洗气体能够阻挡从第一喷头组件喷淋到晶圆表面的清洗液向下流动，以在超声波振动装置及晶圆表面之间形成超声波振动装置向晶圆表面发射超声波的媒介。
[0006]在上述的方案中，通过将晶圆竖立放置，在晶圆的一侧设置位置较高的第一喷头组件及位置较低的第二喷头组件及超声波振动装置，第一喷头组件喷淋到晶圆表面的清洗液，由于重力影响或晶圆旋转的影响，其会沿着晶圆表面向下流动；而使第二喷头组件中喷淋出的清洗气体能够阻挡第一喷头组件中喷淋出的清洗液向下流动，以在超声波振动装置及晶圆表面形成传播超声波的媒介；随着晶圆的旋转，能够实现对晶圆表面的清洗。与现有技术中采用清洗刷带动清洗液旋转，以对晶圆表面进行清洗的方式相比，本专利技术的方案，无需采用清洗刷，从而使清洗装置与晶圆表面没有物理上的接触，从而减少对晶圆表面的划伤，减少晶圆表面的划痕。
[0007]在一个具体的实施方式中，清洗装置的个数为两个，且两个清洗装置分别设置在晶圆相对的两侧，以同时对晶圆的正面及背面进行清洗，提高清洗效率。
[0008]在一个具体的实施方式中，旋转支撑组件包括夹持晶圆边缘处的夹持组件以及第
一驱动装置，其中，第一驱动装置驱动夹持组件旋转以带动晶圆绕晶圆的中心定点旋转，使旋转支撑组件不干涉位于晶圆相对两侧的清洗装置对晶圆进行清洗。
[0009]在一个具体的实施方式中，第一喷头组件包括设置在晶圆一侧且用于通清洗液的第一管道、以及设置在第一管道上且将清洗液喷淋在晶圆表面的多个第一喷头，以使清洗液更均匀的喷淋在晶圆表面。
[0010]在一个具体的实施方式中，超声波振动装置包括将电能转换为动能的换能器、以及设置在换能器上且与晶圆表面相对的变幅杆，变幅杆通过媒介向晶圆表面发射超声波。
[0011]在一个具体的实施方式中，该清洗装置还包括与换能器连接的射频发生器，射频发生器驱动换能器及变幅杆向晶圆表面发射频率为500Khz～2Mhz或1Ghz～30Ghz的超声波，以对超声波的频率进行调整，从而去除晶圆表面不同类型的颗粒。
[0012]在一个具体的实施方式中，变幅杆距离晶圆表面的距离小于或等于20mm。，以便于在晶圆表面及变幅杆之间形成超声波传播的媒介。
[0013]在一个具体的实施方式中，第二喷头组件包括与变幅杆连接且用于通清洗气体的第二管道、以及设置在第二管道上且将清洗气体喷射在晶圆表面的多个第二喷头，以使清洗气体更均匀的喷洒在晶圆表面，形成较为均匀的声波传播。
[0014]在一个具体的实施方式中，清洗装置还包括驱动超声波振动装置及第二喷头组件远离或靠近晶圆表面的第二驱动装置，以驱动超声波振动装置及第二喷头组件移动。
[0015]在一个具体的实施方式中，清洗液为去离子水或化学清洗液，清洗气体为高纯氮，以提高清洗的效率。
附图说明
[0016]图1为本专利技术实施例提供的一种清洗组件的结构示意图；
[0017]图2为本专利技术实施例提供的另一种清洗组件的结构示意图；
[0018]图3为图2中提供的清洗组件的俯视结构示意图；
[0019]图4为本专利技术实施例提供的一种超声波振动装置的结构示意图。
[0020]附图标记：
[0021]10-晶圆
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11-夹持组件
[0022]21-第一管道
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22-第二管道
[0023]31-第一喷头
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32-第二喷头
[0024]40-超声波振动装置 41-换能器
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42-变幅杆
具体实施方式
[0025]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]为了方便理解本专利技术实施例提供的清洗组件，下面首先说明一下本专利技术实施例提供的清洗组件的应用场景，该清洗组件用于对晶圆表面进行清洗，其可以对刚刚经过CMP工艺后的晶圆进行清洗。下面结合附图对该清洗组件进行详细的叙述。
[0027]参考图1及图2，本专利技术实施例提供的清洗组件包括将晶圆10保持在竖立状态的旋转支撑组件以及设置在晶圆10一侧的清洗装置，其中，旋转支撑组件还用于驱动晶圆10绕晶圆10的中心定点旋转。晶圆10保持竖立状态是指晶圆10处于竖直或接近于竖直的状态。该晶圆10具有相对的正面及背面、以及连接正面及背面的边缘。晶圆10绕晶圆10的中心做定点旋转指的是，晶圆10能够绕晶圆10的中轴线旋转。清洗装置位于晶圆10的一侧，用于对晶圆10的正面或背面进行清洗。
[0028]在设置旋转支撑组件时，旋转支撑组件可以包括吸附在晶圆10表面的吸盘、以及带动吸盘转动从而实现晶圆10定点旋转的驱动机构，该驱动机构可以为电机。在对晶圆10正面进行清洗时，吸盘吸附在晶圆10的背面，清洗装置位于晶圆10的正面；在对晶圆10背面进行清洗时，吸盘吸附在晶圆10的正面，清洗装置位于晶圆10的背面。应当注意的是，上述仅仅示出了设置旋转支撑组件的一种方式，除此之外，还可以采用其他的设置方式。
[0029]另外，参考图2及图3，清洗装置的个数还可以为两个，且两个清洗装置分别设置在晶圆10相对的两侧，以同时对晶圆10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗组件，其特征在于，包括：将晶圆保持在竖立状态并驱动所述晶圆绕所述晶圆的中心定点旋转的旋转支撑组件；设置在所述晶圆一侧的清洗装置，所述清洗装置包括：位于所述晶圆一侧且向所述晶圆表面喷淋清洗液的第一喷头组件；与所述第一喷头组件位于所述晶圆相同侧且向所述晶圆表面喷淋清洗气体的第二喷头组件，且所述第二喷头组件位于所述第一喷头组件下方；设置在所述第一喷头组件与所述第二喷头组件之间的超声波振动装置；其中，所述第二喷头组件喷淋出的清洗气体能够阻挡从所述第一喷头组件喷淋到所述晶圆表面的清洗液向下流动，以在所述超声波振动装置及所述晶圆表面之间形成所述超声波振动装置向所述晶圆表面发射超声波的媒介。2.如权利要求1所述的清洗组件，其特征在于，所述清洗装置的个数为两个，且所述两个清洗装置分别设置在所述晶圆相对的两侧。3.如权利要求2所述的清洗组件，其特征在于，所述旋转支撑组件包括：夹持所述晶圆边缘处的夹持组件；第一驱动装置，驱动所述夹持组件旋转以带动所述晶圆绕所述晶圆的中心定点旋转。4.如权利要求1所述的清洗组件，其特征在于，所述第一喷头组件包括：设置在所述晶圆一侧且用于通所述清洗液的第一管道；设...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相一，张月，杨涛，卢一泓，刘青，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：