显示装置制造方法及图纸

技术编号:33047883 阅读:17 留言:0更新日期:2022-04-15 09:32
一种显示装置,包括基板、第一数据线、扫描线、第一子像素、钝化层以及共用电极。第一子像素包括第一主驱动元件、第一副驱动元件、第一电容电极以及第一像素电极。第一主驱动元件包括第一主栅极、第一主沟道层、第一主源极与第一主漏极。第一副驱动元件包括第一副栅极、第一副沟道层、第一副源极与第一副漏极。第一电容电极电性连接第一主漏极以及第一副源极。第一像素电极电性连接第一副漏极。共用电极与第一电容电极之间具有第一主电容。共用电极与第一像素电极之间具有第一副电容。一像素电极之间具有第一副电容。一像素电极之间具有第一副电容。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请为分案申请,原申请的申请日为:2019年06月21日,优先权日为:2018年08月10日、2019年02月20日;原申请的申请号为:201910542067.0;原申请的专利技术名称为:显示装置。


[0002]本专利技术是有关于一种显示装置,且特别是有关于一种共用电极重叠于电容电极以及像素电极的显示装置。

技术介绍

[0003]近年来,随着显示技术的不断进步,观赏者对于显示装置解析度的要求也越来越高。为了提高显示装置的解析度,显示装置中各个子像素的尺寸必须被缩小。然而,小尺寸的子像素通常存储电容也相对较小,容易有馈通(feed through)电压大或串扰(Crosstalk)的问题产生,有时甚至会有漏电的情况产生。
[0004]降低帧数(flame rate)能使显示装置的耗电量下降,藉此能增加显示装置的使用时间。然而,若显示装置中的存储电容太小或显示装置漏电,则容易因为存储电容维持电压的能力不足而使帧数难以降低。因此,为了增加高解析度显示装置的使用时间,目前亟需改善小尺寸的子像素漏电的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种显示装置,可以改善漏电的问题。
[0006]本专利技术的一实施方式提供一种显示装置,包括基板、第一数据线、扫描线、第一子像素、钝化层以及共用电极。第一数据线以及扫描线位于基板上。第一子像素位于基板上。第一子像素包括第一主驱动元件、第一副驱动元件、第一电容电极以及第一像素电极。第一主驱动元件包括第一主栅极、第一主沟道层、第一主源极与第一主漏极。第一主栅极电性连接扫描线。第一主沟道层重叠于第一主栅极。第一主源极与第一主漏极电性连接第一主沟道层。第一主源极电性连接第一数据线。第一副驱动元件包括第一副栅极、第一副沟道层、第一副源极与第一副漏极。第一副栅极电性连接扫描线。第一副沟道层重叠于第一副栅极。第一副源极与第一副漏极电性连接第一副沟道层。第一主漏极电性连接第一副源极。第一电容电极电性连接第一主漏极以及第一副源极。第一像素电极电性连接第一副漏极。钝化层位于第一主源极、第一主漏极、第一副源极以及第一副漏极上。第一电容电极以及第一像素电极位于钝化层上。共用电极重叠于第一电容电极以及第一像素电极。共用电极与第一电容电极之间具有第一主电容。共用电极与第一像素电极之间具有第一副电容。第一电容电极、第一像素电极以及共用电极的材料包括透明导电材料。
[0007]基于上述,第一副驱动元件的第一副源极电性连接至第一电容电极,且第一副漏极电性连接至第一像素电极,藉此共用电极与第一电容电极之间的第一主电容能减少第一副漏极与第一副源极之间的电压差而改善漏电的问题,使得即使停止对扫描线施加电压
(即关闭第一主驱动元件以及第一副驱动元件),第一像素电极上的电压能仍能维持一段时间。如此一来,能藉由调降显示装置的帧数来降低能量损耗。
[0008]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述,但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0009]图1A是依照本专利技术的一实施方式的一种显示装置的上视示意图。
[0010]图1B是沿着图1A线aa

的剖面示意图。
[0011]图1C是沿着图1A线bb

的剖面示意图。
[0012]图2是依照本专利技术的一实施方式的一种显示装置的上视示意图。
[0013]图3A是依照本专利技术的一实施方式的一种显示装置的上视示意图。
[0014]图3B是沿着图3A线aa

的剖面示意图。
[0015]图3C是沿着图3A线bb

的剖面示意图。
[0016]图4是依照本专利技术的一实施方式的一种显示装置的上视示意图。
[0017]其中,附图标记:
[0018]10、20、30、40:显示装置
[0019]AA:显示区
[0020]BM:黑矩阵
[0021]CE1:第一电容电极
[0022]CE2:第二电容电极
[0023]CE3:第三电容电极
[0024]CF:色彩转换元件
[0025]CM:共用电极
[0026]DD:源极驱动电路
[0027]DL:数据线
[0028]DL1:第一数据线
[0029]DL2:第二数据线
[0030]DL3:第三数据线
[0031]I1:第一介电材料层
[0032]I2:第二介电材料层
[0033]N:方向
[0034]M:显示介质层
[0035]MCH1:第一主沟道层
[0036]MCH2:第二主沟道层
[0037]MCH3:第三主沟道层
[0038]MD1:第一主漏极
[0039]MD2:第二主漏极
[0040]MD3:第三主漏极
[0041]MG1:第一主栅极
[0042]MG2:第二主栅极
[0043]MG3:第三主栅极
[0044]MS1:第一主源极
[0045]MS2:第二主源极
[0046]MS3:第三主源极
[0047]GD:栅极驱动电路
[0048]GI:栅极绝缘层
[0049]O:开口
[0050]PE1:第一像素电极
[0051]PE2:第二像素电极
[0052]PE3:第三像素电极
[0053]PV:钝化层
[0054]PX1:第二子像素
[0055]PX2:第一子像素
[0056]PX3:第三子像素
[0057]SB1:基板
[0058]SB2:对向基板
[0059]SCH1:第一副沟道层
[0060]SCH2:第二副沟道层
[0061]SCH3:第三副沟道层
[0062]SD1:第一副漏极
[0063]SD2:第二副漏极
[0064]SD3:第三副漏极
[0065]SG1:第一副栅极
[0066]SG2:第二副栅极
[0067]SG3:第三副栅极
[0068]SL:扫描线
[0069]SS1:第一副源极
[0070]SS2:第二副源极
[0071]SS3:第三副源极
[0072]TH1:第一通孔
[0073]TH2:第二通孔
[0074]TH3:第三通孔
[0075]TH4:第四通孔
[0076]TH5:第五通孔
[0077]TH6:第六通孔
[0078]U:绝缘层
具体实施方式
[0079]下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述:
[0080]图1A是依照本专利技术的一实施方式的一种显示装置的上视示意图。图1B是沿着图1A线aa

的剖面示意图。图1C是沿着图1A线bb

的剖面示意图。为了方便说明,图1A省略本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,其特征在于,包括:一基板;一第一数据线以及一扫描线,位于该基板上;一第一子像素,位于该基板上,其中该第一子像素包括一第一主驱动元件、一第一副驱动元件、一第一电容电极以及一第一像素电极,其中该第一主驱动元件,包括:一第一主栅极,电性连接该扫描线;一第一主沟道层,重叠于该第一主栅极;以及一第一主源极与一第一主漏极,电性连接该第一主沟道层,其中该第一主源极电性连接该第一数据线;该第一副驱动元件,包括:一第一副栅极,电性连接该扫描线;一第一副沟道层,重叠于该第一副栅极;一第一副源极与一第一副漏极,电性连接该第一副沟道层,其中该第一主漏极电性连接该第一副源极,该第一电容电极电性连接该第一主漏极以及该第一副源极,且该第一像素电极电性连接该第一副漏极;一钝化层,位于该第一主源极、该第一主漏极、该第一副源极以及该第一副漏极上,其中该第一电容电极以及该第一像素电极位于该钝化层上;以及一共用电极,重叠于该第一电容电极以及该第一像素电极,其中该共用电极与该第一电容电极之间具有一第一主电容,该共用电极与该第一像素电极之间具有一第一副电容,且该第一电容电极、该第一像素电极以及该共用电极的材料包括透明导电材料;其中该第一电容电极与该第一像素电极位于该扫描线的不同侧。2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中部分该第一电容电极平行于该扫描线。3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该第一电容电极与该第一像素电极位于该扫描线的同一侧。4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该第一主电容的电容值为M1,该第一副电容的电容值为S1,10%的S1<M1≤60%的S1。5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,更包括:一第二数据线以及一第三数据线,位于该基板上;一第二子像素以及一第三子像素,位于该基板上,其中该第二子像素包括:一第二主驱动元件以及一第二副驱动元件,其中该第二主驱动元件的一第二主源极电性连接该第二数据线,且该第二主驱动元件的一第二主漏极电性连接该第二副驱动元件一第二副源极;一第二电容电极,电性连接该第二主漏极以及该第二副源极;一第二像素电极,电性连接该第二副漏极,其中该共用电极与该第二电容电极之间具有一第二主电容,该共用电极与该第二像素电极之间具有一第二副电容;该第三子像素包括:一第三主驱动元件以及一第三副驱动元件,其中该第三主驱动元件的一第三主源极电
性连接该第三数据线,且该第三主驱动元件的一第三主漏极电性连接该第三副驱动元件一第三副源极;一第三电容电极,电性连接该第三主漏极以及该第三副源极;以及一第三像素电极,电性连接该第三副漏极,其中该共用电极与该第三电容电极之间具有一第三主电容,该共用电极与该第二像素电极之间具有一第三副电容,该第...

【专利技术属性】
技术研发人员:纪佑旻苏松宇刘品妙
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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