一种器件加工方法及器件技术

本发明专利技术提供了一种器件加工方法及器件，该器件加工方法包括：固晶、封装材料封装、一次划片、挡墙材料封装、研磨和二次划片；在研磨步骤中，将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的高度为基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度。该器件加工方法在器件的制作过程中，通过研磨工艺以降低器件的顶面出现白胶的概率，保证了器件的生产良率。证了器件的生产良率。证了器件的生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种器件加工方法及器件


[0001]本专利技术涉及到器件加工领域，具体涉及到一种器件加工方法及器件。

技术介绍

[0002]为了对发光器件的发光角度进行限制，发光器件通常会利用挡墙结构对大角度的出射光线进行阻挡，利用挡墙结构对器件的发光角度进行限制。该类发光器件在制作过程中，由于挡墙材料填充在流道中可能会出现胶体溢出流道的现象，导致白胶封装胶体的顶面出现白胶影响器件的正常出光，不能满足器件的质量要求。

技术实现思路

[0003]为了克服器件的顶面出现白胶的问题，本专利技术提供了一种器件加工方法及器件，在器件的制作过程中，通过研磨工艺以降低器件的顶面出现白胶的概率，保证器件的生产良率。
[0004]相应的，本专利技术提供了一种器件加工方法，包括：
[0005]固晶：将若干组芯片组阵列设置在总电路板上，每一组所述芯片组包括若干个芯片；
[0006]封装材料封装：采用封装材料整体封装所述若干组芯片组，所述封装材料固化后形成总封装层；
[0007]一次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为a的第一切割片于所述若干组芯片组的间隙中切割所述总封装层得到流道结构，所述流道结构将所述总封装层划分为若干个子封装层；
[0008]挡墙材料封装：采用挡墙材料填充所述流道结构，所述挡墙材料固化后形成总挡墙，所述总电路板、所述若干组芯片组、所述若干个子封装层和所述总挡墙组合形成半成品；
[0009]研磨：将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度；
[0010]二次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为b的第二切割片贯穿式切割经过所述研磨后的半成品，所述半成品被切割为若干个所述器件，其中，b<a。
[0011]可选的实施方式，所述研磨工作端为研磨面平行于所述研磨固定平台的砂轮。
[0012]可选的实施方式，所述砂轮为树脂砂轮。
[0013]可选的实施方式，所述砂轮的目数取值范围为[500，1000]。
[0014]可选的实施方式，所述砂轮在作业状态下的转速取值范围为[600rpm，800rpm]。
[0015]可选的实施方式，所述砂轮自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度的进刀速度取值范围为[0.1μm/s，0.3μm/s]。
[0016]可选的实施方式，所述研磨还包括：
[0017]所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度通过若干子步骤实现，在每一子步骤中，所述研磨工作端的研磨面运行至对应的理论高度，并在最后一次执行的子步骤中，所述研磨工作端的研磨面运行至所述预设高度；
[0018]每一所述子步骤包括：
[0019]修整设备调整：以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述修整设备的修整面的高度与所述子步骤对应的理论高度相同；
[0020]研磨设备打磨：驱动所述研磨设备运行至位于所述研磨固定平台外部的修整设备的上方后，驱使所述研磨设备工作并使所述研磨设备的研磨面运行至对应的理论高度，所述研磨面与所述修整面重合；
[0021]进给研磨：驱动所述研磨设备平移至研磨固定平台的上方。
[0022]可选的实施方式，所述研磨固定平台具有若干个真空吸盘，以所述真空芯片的顶面作为所述研磨固定平台的台面。
[0023]可选的实施方式，在所述研磨后，所述器件加工方法还包括：
[0024]粗糙度检测：对经过所述研磨后的半成品的顶面进行粗糙度检测；
[0025]在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度小于或等于0.5时，执行所述二次划片步骤；
[0026]在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度大于0.5时，再次执行所述研磨步骤。
[0027]可选的实施方式，所述研磨固定平台为吸盘。
[0028]相应的，本专利技术还提供了一种器件，基于以上任一项所述的器件加工方法加工。
[0029]综上，本专利技术提供了一种器件加工方法及器件，在半成品制成后，通过研磨工艺将半成品的顶部进行研磨，以将溢出至总封装层顶部的挡墙材料去除，降低了在半成品阶段中总封装层的顶面存在挡墙材料的概率，提高器件产品的生产良率；通过将研磨固定平台设计为吸盘，保证了高度基准的统一性，提高研磨精度；相应的，研磨设备的研磨面在作业前和作业过程中能通过修整设备进行及时修整，能够进一步保证研磨的精确性，对提高器件产品的成型质量具有有益效果。
附图说明
[0030]图1为本专利技术实施例的器件加工方法流程图。
[0031]图2示出了本专利技术实施的整板器件剖面结构局部示意图。
[0032]图3示出了本专利技术实施的一次划片后的流道结构剖面局部示意图。
[0033]图4示出了本专利技术实施的挡墙材料封装后的器件半成品剖面局部示意图。
[0034]图5示出了本专利技术实施的研磨设备俯视结构示意简图。
[0035]图6示出了本专利技术实施例经过研磨步骤后的半成品剖面结构局部示意图。
[0036]图7为本专利技术实施例的器件剖面结构示意图。
[0037]图8为本专利技术实施例的一次硫化作业结构示意图。
[0038]图9为本专利技术实施例的总顶防硫化膜的局部剖面结构示意图。
[0039]图10为本专利技术实施例中感测器件结构示意图。
[0040]图11为本专利技术实施例中基板正面结构示意图。
[0041]图12为本专利技术实施例中基板背面结构示意图。
[0042]图13为本专利技术实施例中感测器件侧面结构示意图。
具体实施方式
[0043]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0044]图1为本专利技术实施例的器件加工方法流程图。
[0045]本专利技术实施例提供了一种器件加工方法，包括以下步骤：
[0046]S101：固晶；
[0047]将若干组芯片组阵列固定在总电路板上，每一组所述芯片组包括若干个芯片；具体的，芯片组是指组成一个器件所需的若干个芯片，可选的，在本专利技术实施例中，所述芯片组包括的若干个芯片分别为红光芯片、绿光芯片和红外光芯片，具体的，具有红光芯片、绿光芯片和红外光芯片的该类器件，能够应用于人体感测领域。
[0048]具体的，在固晶作业完成后，根据芯片类型的不同可能还需要执行焊线作业。具体的，若所述若干个组芯片组中的部分芯片具有顶面引脚，通过焊线工艺将每一个所述顶面引脚电性连接至所述总电路板上；
[0049]具体的，若芯片组中的部分芯片的类型为垂直芯片或正装芯片，则该部分芯片具有顶面引脚；顶面引脚需要通过打线焊线的工艺电性连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件加工方法，其特征在于，包括：固晶：将若干组芯片组阵列设置在总电路板上，每一组所述芯片组包括若干个芯片；封装材料封装：采用封装材料整体封装所述若干组芯片组，所述封装材料固化后形成总封装层；一次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为a的第一切割片于所述若干组芯片组的间隙中切割所述总封装层得到流道结构，所述流道结构将所述总封装层划分为若干个子封装层；挡墙材料封装：采用挡墙材料填充所述流道结构，所述挡墙材料固化后形成总挡墙，所述总电路板、所述若干组芯片组、所述若干个子封装层和所述总挡墙组合形成半成品；研磨：将所述半成品置于研磨固定平台的台面上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度；二次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为b的第二切割片贯穿式切割经过所述研磨后的半成品，所述半成品被切割为若干个所述器件，其中，b<a。2.如权利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，所述研磨工作端为研磨面平行于所述研磨固定平台的砂轮。3.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮为树脂砂轮。4.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮的目数取值范围为[500，1000]。5.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮在作业状态下的转速取值范围为[600rpm，800rpm]。6.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱明军，李军政，邱俊东，雷美琴，陈燕，王高辉，颜栋甫，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：