全电压采样电路、驱动芯片、LED驱动电路及采样方法技术

本发明专利技术公开了一种全电压采样电路、驱动芯片、LED驱动电路及采样方法中，全电压采样电路包括主采样模块，接入第一输入电压和第二输入电压，第一输入电压与第二输入电压的差值为差分电压，根据第一输入电压和第二输入电压输出第一采样信号，第一采样信号表征差分电压；辅助采样模块，接入第一输入电压和第二输入电压，根据第一输入电压和第二输入电压输出第二采样信号，第二采样信号也表征差分电压；处理模块，分别与主采样模块和辅助采样模块连接，取第一采样信号和第二采样信号的电压或电流中的较大值作为采样结果输出，进而确保在全电压范围内采样结果的准确性。压范围内采样结果的准确性。压范围内采样结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
全电压采样电路、驱动芯片、LED驱动电路及采样方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及全电压采样电路、驱动芯片、LED驱动电路及采样方法。

技术介绍

[0002]传统电感电流差分采样电路中的MOS管可以采用高压管以及低压隔离管。但是由于MOS管的漏极和源极之间都需要消耗一定的压降满足工作在饱和区的要求，因此当输入电压太低的时候，使得采样电路无法正常工作。
[0003]具体来说，如图1，对应为采样电路输出的采样电压与输入电压的变化曲线，从图中可以看出，当输入电压很小的时候，采样得到的电压比实际电压要小，因为此时器件尚未饱和。随着输入电压逐渐增大，采样电压也逐渐增大，当输入电压大到足以使器件都饱和的时候，理想情况下，采样电压＝实际电压，此后输入电压再增大，只要实际电压不变，采样电压不变。因此传统的电感电流差分采样电路在输入电压很小时采样结果会存在偏差，采样结果不准确。
[0004]因而现有技术还有待改进和提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种全电压采样电路、驱动芯片、LED驱动电路及采样方法，能够有效解决在输入电压很小时采样结果不准确的问题。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：
[0007]本申请实施例提供一种全电压采样电路，包括：
[0008]主采样模块，接入第一输入电压和第二输入电压，第一输入电压与第二输入电压的差值为差分电压，根据第一输入电压和第二输入电压输出第一采样信号，第一采样信号表征差分电压；
[0009]辅助采样模块，接入第一输入电压和第二输入电压，根据第一输入电压和第二输入电压输出第二采样信号，第二采样信号也表征差分电压；
[0010]处理模块，分别与主采样模块和辅助采样模块连接，取第一采样信号和第二采样信号的电压或电流中的较大值作为采样结果输出。
[0011]在一些实施例的全电压采样电路中，当第一输入电压小于参考电压时，处理模块以第二采样信号为采样结果输出，当第一输入电压大于参考电压时，处理模块以第一采样信号为采样结果输出。
[0012]在一些实施例的全电压采样电路中，当第一输入电压小于参考电压时，差分电压和第一采样信号的电压的差值随第一输入电压的增加而减小。
[0013]在一些实施例的全电压采样电路中，当第一输入电压大于参考电压时，差分电压和第二采样信号的电压的差值随第一输入电压的增加而增大。
[0014]在一些实施例的全电压采样电路中，当第一输入电压小于参考电压时，第一采样
信号的电压或电流被钳位为第二采样信号的电压或电流。
[0015]在一些实施例的全电压采样电路中，辅助采样模块包括：
[0016]分压电阻组，接入第一输入电压和第二输入电压，用于对第一输入电压和第二输入电压进行分压后输出第一分压信号和第二分压信号；
[0017]第一运算放大器，与分压电阻组连接，用于根据第一分压信号和第二分压信号输出第二采样信号。
[0018]在一些实施例的全电压采样电路中，辅助采样模块还包括：
[0019]保护单元，接入第一输入电压和第二输入电压，并与分压电阻组连接，用于在第一输入电压大于供电电压时为第一运算放大器提供过压保护。
[0020]在一些实施例的全电压采样电路中，分压电阻组包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一电阻的一端接入第一输入电压，第一电阻的另一端和第三电阻的一端均与第一运算放大器的正相输入端连接，第三电阻的另一端接地，第二电阻的一端接入第二输入电压，第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第一运算放大器的反相输入端连接，第四电阻的另一端与第一运算放大器的输出端连接。
[0021]在一些实施例的全电压采样电路中，保护单元包括第一MOS管和第二MOS管；第一MOS管的源极接入第一输入电压，第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极均接入供电电压，第一MOS管的漏极与分压电阻组连接，第二MOS管的源极接入第二输入电压，第二MOS管的漏极与分压电阻组连接；其中第一MOS管和第二MOS管均为高压MOS管。
[0022]在一些实施例的全电压采样电路中，处理模块包括第二运算放大器，第二运算放大器的正相输入端接收第二采样信号，第二运算放大器的反相输入端与第二运算放大器的输出端连接，第二运算放大器的输出端还与主采样模块连接。
[0023]在一些实施例的全电压采样电路中，主采样模块包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管和电流源；
[0024]第五电阻的一端与第一信号输入端连接，第五电阻的另一端与第十三MOS管的源极和第三MOS管的漏极连接，第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极均与第七电阻的一端和第五MOS管的源极连接，第三MOS管的源极与第五MOS管的漏极连接，第四MOS管的漏极与第六电阻的一端连接，第六电阻的另一端与第二信号输入端连接，第四MOS管的源极与第六MOS管的漏极连接，第六MOS管的栅极和第五MOS管的栅极均与第七电阻的另一端和第七MOS管的源极连接，第六MOS管的源极和第八MOS管的源极均与第十三MOS管的栅极连接，第七MOS管的栅极、第八MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极和第八电阻的一端均与电流源连接，第十一MOS管的源极、第十二MOS管的栅极、第九MOS管的栅极和第十MOS管的栅极均与第八电阻的另一端连接，第十一MOS管的漏极与第十二MOS管的源极连接，第十二MOS管的漏极接地，第七MOS管的漏极与第九MOS管的源极连接，第九MOS管的漏极接地，第八MOS管的漏极与第十MOS管的源极连接，第十MOS管的漏极接地，第十三MOS管的漏极与第九电阻的一端和第一采样信号输出端连接，第九电阻的另一端接地。
[0025]在一些实施例的全电压采样电路中，还包括采样电阻，采样电阻的一端与第一输入电压的输入端连接，采样电阻的另一端与第二输入电压的输入端连接。
[0026]本实施例中还提供了一种驱动芯片，包括至少部分上述的全电压采样电路，应用
于LED驱动电路或者DC
‑
DC变换器。
[0027]本实施例中还提供了一种LED驱动电路，包括：
[0028]电感，和LED发光单元串联连接；
[0029]采样电阻，和电感串联连接；
[0030]上述的全电压采样电路，用于通过采样电阻感测通过LED发光单元的感应电流。
[0031]本实施例中还提供了一种采样方法，应用于上述的全电压采样电路，包括：
[0032]获取主采样模块输出的第一采样信号和辅助采样模块输出的第二采样信号；
[0033]当第一采样信号的电压或电流小于或等于第二采样信号的电压或电流时，将第二采样信号的电压或电流作为采样结果输出；
[0034]当第一采样信号的电压或者电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全电压采样电路，其特征在于，包括：主采样模块，接入第一输入电压和第二输入电压，所述第一输入电压与所述第二输入电压的差值为差分电压，根据所述第一输入电压和所述第二输入电压输出第一采样信号，所述第一采样信号表征所述差分电压；辅助采样模块，接入所述第一输入电压和所述第二输入电压，根据所述第一输入电压和所述第二输入电压输出第二采样信号，所述第二采样信号也表征所述差分电压；处理模块，分别与所述主采样模块和所述辅助采样模块连接，取所述第一采样信号和所述第二采样信号的电压或电流中的较大值作为采样结果输出。2.根据权利要求1所述的全电压采样电路，其特征在于，当所述第一输入电压小于参考电压时，所述处理模块以第二采样信号为采样结果输出，当所述第一输入电压大于参考电压时，所述处理模块以所述第一采样信号为采样结果输出。3.根据权利要求2所述的全电压采样电路，其特征在于，当所述第一输入电压小于所述参考电压时，差分电压和所述第一采样信号的电压的差值随所述第一输入电压的增加而减小。4.根据权利要求2所述的全电压采样电路，其特征在于，当所述第一输入电压大于所述参考电压时，差分电压和所述第二采样信号的电压的差值随所述第一输入电压的增加而增大。5.根据权利要求2所述的全电压采样电路，其特征在于，当所述第一输入电压小于所述参考电压时，所述第一采样信号的电压或电流被钳位为所述第二采样信号的电压或电流。6.根据权利要求2所述的全电压采样电路，其特征在于，所述辅助采样模块包括：分压电阻组，接入所述第一输入电压和所述第二输入电压，用于对所述第一输入电压和所述第二输入电压进行分压后输出第一分压信号和第二分压信号；第一运算放大器，与所述分压电阻组连接，用于根据所述第一分压信号和所述第二分压信号输出所述第二采样信号。7.根据权利要求6所述的全电压采样电路，其特征在于，所述辅助采样模块还包括：保护单元，接入所述第一输入电压和所述第二输入电压，并与所述分压电阻组连接，用于在所述第一输入电压大于供电电压时为所述第一运算放大器提供过压保护。8.根据权利要求6所述的全电压采样电路，其特征在于，所述分压电阻组包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一电阻的一端接入所述第一输入电压，所述第一电阻的另一端和所述第三电阻的一端均与所述第一运算放大器的正相输入端连接，所述第三电阻的另一端接地，所述第二电阻的一端接入所述第二输入电压，所述第二电阻的另一端和所述第四电阻的一端均与所述第一运算放大器的反相输入端连接，所述第四电阻的另一端与所述第一运算放大器的输出端连接。9.根据权利要求7所述的全电压采样电路，其特征在于，所述保护单元包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的源极接入所述第一输入电压，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极均接入供电电压，所述第一MOS管的漏极与所述分压电阻组连接，所述第二MOS管的源极接入所述第二输入电压，所述第二MOS管的漏极与所述分压电阻组连接；其中所述第一MOS管和所述第二MOS管均为高压MOS管。10.根据权利要求1所述的全电压采样电路，其特征在于，所述处理模块包括第二运算
放大器，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振，郁炜嘉，范敏敏，
申请(专利权)人：上海晶丰明源半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：