一种硅基OLED微显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种硅基OLED微显示器，从下至上依次包括：硅基衬底、金属阳极层、有机功能层、透明导电膜层、半透半反射金属层、薄膜封装层、彩色光刻胶层和玻璃盖板；所述金属阳极层包括红子像素、绿子像素和蓝子像素；所述透明导电膜层对应红子像素、绿子像素和蓝子像素的各部分厚度不同；所述金属阳极层、有机功能层、透明导电膜层和半透半反射金属层组成F

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED微显示器


[0001]本专利技术涉及微显示器领域，特别是涉及一种硅基OLED微显示器。

技术介绍

[0002]目前OLED面板行业，通常采用如下两种方式实现全彩显示：一、利用红绿蓝子像素并列法；二、利用白光OLED加彩色滤光膜(CF)的方式。方法一已广泛应用与中小尺寸AMOLED领域，其优点为无需经过彩色滤光膜，不会造成亮度的损失，因此可以实现高亮度和低功耗。
[0003]但是在微显示领域，子像素大小通常小于5μm，目前受制于OLED蒸镀设备的对位精度，以及精细金属掩膜板(fine metal mask,FMM)的开口无法做到足够小，以匹配面板中的子像素。因此在领域中，通常采用白光OLED加彩色滤光膜的方式实现全彩显示。但是CF透光率较低，会导致亮度衰减，发光效率损失，并且色域受限于CF的色域。提高色域则必须增加CF的厚度，这导致透光率的进一步减少，降低了器件亮度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种硅基OLED微显示器，能够有效提高OLED微显示器的亮度和色域。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0006]一种硅基OLED微显示器，从下至上依次包括：硅基衬底、金属阳极层、有机功能层、透明导电膜层、半透半反射金属层、薄膜封装层、彩色光刻胶层和玻璃盖板；
[0007]所述金属阳极层包括红子像素、绿子像素和蓝子像素；
[0008]所述透明导电膜层对应红子像素、绿子像素和蓝子像素的各部分厚度不同；
[0009]所述金属阳极层、有机功能层、透明导电膜层和半透半反射金属层组成F
‑
P型微腔。
[0010]可选的，所述金属阳极层材料为Al、Ag、Ti、Mo、TiN或其组合。
[0011]可选的，所述有机功能层，包括：空穴传输层、发光层和电子传输层。
[0012]可选的，所述有机功能层的厚度为100nm，折射率n≈1.7。
[0013]可选的，所述透明导电膜层的材料为透明导电氧化物，透光率＞80％，折射率n≈2.0。
[0014]可选的，所述透明导电膜层对应红子像素、绿子像素和蓝子像素的各部分厚度分别为65
‑
75nm、40
‑
53nm、28
‑
35nm。
[0015]可选的，所述半透半反射金属层厚度为10
‑
20nm，透光率为30％
‑
50％。
[0016]可选的，所述彩色光刻胶层包括红色CF、绿色CF和蓝色CF，所述红色CF、绿色CF和蓝色CF与下方的红子像素、绿子像素、蓝子像素一一对应。
[0017]可选的，所述薄膜封装层的材料是氧化铝、氮化硅、有机膜层或其组合。
[0018]可选的，所述透明导电膜层通过如下方式制作：
[0019]依次利用涂胶、光刻、显影、刻蚀的工艺，将所述红子像素、绿子像素和蓝子像素上方的透明导电膜层形成出不同的厚度。
[0020]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0021]本专利技术提供的一种硅基OLED微显示器，在红子像素、绿子像素和蓝子像素对应的有机功能层与半透半反射金属层之间，通过将透明导电膜层刻蚀出不同的厚度，形成不同腔长的光学微腔，从而分别使得红、绿、蓝波长范围内的光得到输出增强，光谱窄化的效果，最终提升微显示器的亮度、发光效率和色域。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术提供的硅基OLED微显示器结构示意图；
[0024]符号说明：
[0025]11
‑
硅基衬底，12
‑
金属阳极层，13
‑
有机功能层，14
‑
透明导电膜层，15
‑
半透半反射金属层，16
‑
薄膜封装层，17
‑
彩色光刻胶层，18
‑
玻璃盖板，121
‑
红子像素，122
‑
绿子像素，123
‑
蓝子像素，131
‑
空穴传输层，132
‑
发光层，133
‑
电子传输层，171
‑
红色CF，172
‑
绿色CF，173
‑
蓝色CF。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]本专利技术的目的是提供一种硅基OLED微显示器，能够有效提高OLED微显示器的亮度和色域。
[0028]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0029]图1为本专利技术提供的硅基OLED微显示器的示意图，如图1所示，在硅基衬底11表面，是已制作好的金属阳极层12，分别包括：红子像素121、绿子像素122、蓝子像素123，阳极材料通常是Al、Ag、Ti、Mo、TiN或其组合，具有高功函数，有利于空穴的注入，作为OLED阳极的同时，起到反射光线的作用。
[0030]设置于金属阳极层12之上的是有机功能层13，分别包括：空穴传输层131、发光层132、电子传输层133。发光层132包含红绿蓝三种颜色的发光材料，经其组合，OLED器件发出白光。有机功能层13的厚度通常在100nm左右。有机材料的折射率n≈1.7。
[0031]设置于电子传输层133之上的是透明导电膜层14，其材料为透明导电氧化物，常见材料如ITO、IZO、AZO等。在可见光波长范围内，透光率＞80％，折射率n≈2.0。通过低温磁控溅射技术，沉积在有机功能层13之上。再通过涂胶、光刻、显影、刻蚀的技术，分别在红绿蓝
子像素上方形成不同的厚度。为了将红光波长范围600
‑
640nm、绿光波长范围500
‑
550nm、蓝光波长范围450
‑
480nm内的光子得到输出增强，红绿蓝子像素上方的透明导电膜层14的厚度分别在65
‑
75nm、40
‑
53nm、28
‑
35nm。
[0032]设置于透明导电膜层14之上的是半透半反射金属层15，其材料为OLED常用阴极金属，功函数较低，有利于电子的注入，如Mg、Ag、Al、Ca或其组合，厚度通常在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED微显示器，其特征在于，从下至上依次包括：硅基衬底、金属阳极层、有机功能层、透明导电膜层、半透半反射金属层、薄膜封装层、彩色光刻胶层和玻璃盖板；所述金属阳极层包括红子像素、绿子像素和蓝子像素；所述透明导电膜层对应红子像素、绿子像素和蓝子像素的各部分厚度不同；所述金属阳极层、有机功能层、透明导电膜层和半透半反射金属层组成F
‑
P型微腔。2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器，其特征在于，所述金属阳极层材料为Al、Ag、Ti、Mo、TiN或其组合。3.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器，其特征在于，所述有机功能层，包括：空穴传输层、发光层和电子传输层。4.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器，其特征在于，所述有机功能层的厚度为100nm，折射率n≈1.7。5.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器，其特征在于，所述透明导电膜层的材料为透明导电氧化物，透光率＞80％，折射率n≈2.0。6.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴远武，王绍华，王健波，吴迪，
申请(专利权)人：湖畔光电科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：