本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括阵列基板和彩膜基板；阵列基板包括：第一衬底，第一衬底具有多个子像素区；位于第一衬底上的TFT电路层；位于TFT电路层背离第一衬底一侧的多个激光二极管，激光二极管与子像素区一一对应；彩膜基板包括：第二衬底，第二衬底与第一衬底相对；位于第二衬底朝向第二衬底一侧的色转换层，色转换层包括多个与激光二极管一一对应的色转换膜，至少部分色转换膜内包含量子点。该显示面板中，每个激光二极管可以出射的激光准直，在射向色转换膜时，避免产生发射串扰，光线不会照射到其它子像素区内，很大程度的解决了显示面板的串色问题，从而提高显示面板的色纯度和显示色域。示色域。示色域。
【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]量子点(quantum dot，简称QD)材料的发光光谱具有很窄的半峰宽，因此，QD在光致发光显示和电致发光显示领域有潜在的应用价值，QD
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OLED(量子点和有机电致发光二极管技术结合的显示)是QD材料光致发光显示的一个典型代表，虽然QD材料光学特性优异，但是OLED出光方向是不固定的，既有垂直出光，也有不同角度的发散出光。在对盒式QD
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OLED结构中，由于TFE封装层和中间填充层的存在，发光层和QD彩膜之间存在较大盒厚，相邻子像素之间除了PDL(像素界定层)和BM(黑矩阵)之外，缺乏挡光结构，容易造成子像素之间大角度出光的干扰，导致QD
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OLED存在亮度偏低、串色等问题，降低屏幕的显示色域和色纯度。
技术实现思路
[0003]本专利技术公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板中，每个子像素区内，激光二极管可以出射的激光准直，每个激光二极管的出光角度较小，可以准直的照射在对应的色转换膜中，在射向色转换膜时，避免产生发射串扰，光线不会照射到其它子像素区内，很大程度的解决了显示面板的串色问题，尤其对盒式结构的显示面板的串色问题，从而提高显示面板的色纯度和显示色域。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0005]一种显示面板，包括：阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板；所述阵列基板包括：<br/>[0006]第一衬底，所述第一衬底上具有多个子像素区；
[0007]位于所述第一衬底上的TFT电路层；
[0008]位于所述TFT电路层背离所述第一衬底一侧的多个激光二极管，所述多个激光二极管与所述子像素区一一对应设置；
[0009]所述彩膜基板包括：
[0010]第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底相对；
[0011]位于所述第二衬底朝向所述第二衬底一侧的色转换层，所述色转换层包括多个与所述激光二极管一一对应的色转换膜，至少部分所述色转换膜内包含量子点。
[0012]上述显示面板中，每个子像素区内，激光二极管可以出射的激光准直，每个激光二极管的出光角度较小，可以准直的照射在对应的色转换膜中，在射向色转换膜时，避免产生发射串扰，光线不会照射到其它子像素区内，很大程度的解决了显示面板的串色问题，尤其对盒式结构的显示面板的串色问题，从而提高显示面板的色纯度和显示色域。
[0013]可选地，所述激光二极管包括设于所述TFT电路层上依次层叠的底部分布式布拉格反射镜、发光二极管、以及顶部分布式布拉格反射镜。
[0014]可选地，所述发光二极管包括有机电致发光二极管、MiniLED、MicroLED或量子点
电致发光二极管。
[0015]可选地，所述底部分布式布拉格反射镜包括至少一个第一介质层和至少一个第二介质层，所述第一介质层的数量与所述第二介质层的数量相同，所述第一介质层和所述第二介质层交替层叠设置，所述第一介质层的折射率与所述第二介质层的折射率不相同；
[0016]所述顶部分布式布拉格反射镜包括至少一个第三介质层和至少一个第四介质层，所述第三介质层和所述第四介质层交替层叠设置，所述第三介质层的数量与所述第四介质层的数量相同，所述第三介质层的折射率与所述第四介质层的折射率不相同。
[0017]可选地，所述第一介质层包括TiO2，所述第二介质层包括SiO2；和/或，
[0018]所述第三介质层包括ZnS，所述第四介质层包括MgF2。
[0019]可选地，每个所述色转换膜内包含有散射粒子。
[0020]可选地，所述激光二极管的发光为蓝色，且部分所述色转换膜内包含所述量子点，包含所述量子点的色转换膜中，一部分所述色转换膜内包含的所述量子点为红色量子点，另一部分色转换膜内包含的所述量子点为绿色量子点。
[0021]可选地，所述彩膜基板还包括位于所述第二衬底和所述色转换层之间的彩膜层，所述彩膜层包括多个与所述色转换膜一一对应的色阻、以及位于所述色阻周围的黑矩阵。
[0022]可选地，所述彩膜基板还包括：
[0023]位于所述色转换膜周围的阻挡层；
[0024]覆盖于所述色转换膜和阻挡层上的第一封装层。
[0025]可选地，所述阵列基板还包括：
[0026]位于所述TFT电路层上且位于所述激光二极管周围的像素界定层；
[0027]覆盖于所述激光二极管和所述像素界定层上的第二封装层。
[0028]本专利技术还提供了一种显示装置，包括如上述技术方案提供的任意一种显示面板。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的一种激光二极管的结构示意图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的一种激光二极管的结构示意图；
[0032]图4为本专利技术实施例提供的一种顶部分布式布拉格反射镜中光线反射光路示意图；
[0033]图标：1
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阵列基板；2
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彩膜基板；3
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填充胶；11
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第一衬底；12
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TFT电路层；13
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激光二极管；14
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像素界定层；15
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第二封装层；21
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第二衬底；22
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色转换层；23
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彩膜层；24
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第一封装层；221
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色转换膜；222
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阻挡层；131
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底部分布式布拉格反射镜；132
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发光二极管；133
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顶部分布式布拉格反射镜；1331
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第一介质层；1332
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第二介质层；1321
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阳极；1322
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空穴注入层；1323
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空穴传输层；1324
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发光层；1325
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电子传输层；1326
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电子注入层；1327
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透明阴极。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]如图1和图2所示，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板1以及与阵列基板1对盒的彩膜基板2；其中，阵列基板包括有第一衬底11，第一衬底11上具有多个子像素区，多个子像素区可以呈阵列分布；在第一衬底11上设置有TFT电路层12，在TF本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板；所述阵列基板包括：第一衬底，所述第一衬底上具有多个子像素区；位于所述第一衬底上的TFT电路层；位于所述TFT电路层背离所述第一衬底一侧的多个激光二极管，所述多个激光二极管与所述子像素区一一对应设置；所述彩膜基板包括：第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底相对；位于所述第二衬底朝向所述第二衬底一侧的色转换层，所述色转换层包括多个与所述激光二极管一一对应的色转换膜，至少部分所述色转换膜内包含量子点。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述激光二极管包括设于所述TFT电路层上依次层叠的底部分布式布拉格反射镜、发光二极管、以及顶部分布式布拉格反射镜。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光二极管包括有机电致发光二极管、MiniLED、MicroLED或量子点电致发光二极管。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述底部分布式布拉格反射镜包括至少一个第一介质层和至少一个第二介质层，所述第一介质层的数量与所述第二介质层的数量相同，所述第一介质层和所述第二介质层交替层叠设置，所述第一介质层的折射率与所述第二介质层的折射率不相同；所述顶部分布式布拉格反射镜包括至少一个第三介质层和至少一个第四介质层，所述第三介质层和所述第四介质层交替层叠设置，所述第三介质层的数量与所述第四介质层的数量相同，所述第三介质层的折射率与所述第四介质层的折射率不相同。5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杨，黄维，赵德江，卢天豪，田禹，靳倩，孙倩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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