半导体电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体电路，包括塑封外壳、第一电路基板和第二电路基板，所述第一电路基板与所述第二电路基板设置在所述塑封外壳内，所述第一电路基板与所述第二电路基板分体式设置且间隔预设距离，所述第一电路基板上设置有整流桥堆和功率因数校正模块，所述第二电路基板上设置有驱动功率模块，所述驱动功率模块包括驱动芯片和与所述驱动芯片电连接的逆变桥。本实用新型专利技术所提出的半导体电路，其通过两块电路基板分别设置整流桥堆、功率因数校正模块和驱动功率模块，避免整流桥堆和功率因数校正模块对驱动功率模块造成干扰，从而提高驱动功率模块的可靠性，延长驱动功率模块的使用寿命。使用寿命。使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本技术涉及功率半导体领域，特别涉及一种半导体电路。

技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品,兼有GTR(大功率晶体管)高电流、低饱和电压和高耐压的优点，以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。半导体电路内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便，不仅减小了体积，缩短了开发时间，也增强了可靠性，适应了当今功率器件的发展方向。
[0003]半导体电路中通常会集成有驱动功率模块、功率因数校正模块和整流桥堆，驱动功率模块、功率因数校正模块和整流桥堆布置于同一块电路基板上，整流桥堆用于将交流电转换为直流电，功率因数校正模块用于检测电力被有效利用的程度。
[0004]然而，由于整流桥堆直接与外部电网电连接，其输入的电信号未经过处理，因此，会对处于同一块电路基板上的驱动功率模块造成干扰，影响驱动功率模块的可靠性。此外，由于整流桥堆与功率因数校正模块工作时会产生的大量的热，该热量会通过电路基板快速的传递至驱动功率模块，导致驱动功率模块的温度迅速升高，影响驱动功率模块的可靠性，甚至会缩短驱动功率模块的使用寿命。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提出一种半导体电路，旨在解决上述
技术介绍
中所提出的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提出一种半导体电路，所述半导体电路包括塑封外壳、第一电路基板和第二电路基板，所述第一电路基板与所述第二电路基板设置在所述塑封外壳内，所述第一电路基板与所述第二电路基板分体式设置且间隔预设距离，所述第一电路基板上设置有整流桥堆和功率因数校正模块，所述第二电路基板上设置有驱动功率模块，所述驱动功率模块包括驱动芯片和与所述驱动芯片电连接的逆变桥。
[0007]优选地，所述整流桥堆包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一交流输入端、第二交流输入端、正极输出端、负极输出端；
[0008]所述第一二极管与所述第二二极管的负极分别与所述正极输出端电连接，所述第三二极管与所述第四二极管的正极分别与所述负极输出端电连接，所述第一二极管的正极与所述第四二极管的负极分别与所述第一交流输入端电连接，所述第二二极管的正极与所述第三二极管的负极分别与所述第二交流输入端电连接。
[0009]优选地，所述功率因数校正模块包括信号控制端、信号输出端、电源输入端、驱动电阻、开关管和输出二极管；
[0010]所述驱动电阻的一端与所述信号控制端电连接，所述驱动电阻的另一端与所述开关管的栅极电连接，所述开关管的源极接地，所述开关管的漏极和所述输出二极管的正极
分别与所述电源输入端电连接，所述输出二极管的负极与所述信号输出端电连接。
[0011]优选地，所述功率因数校正模块还包括续流二极管，所述续流二极管的正极接地，所述续流二极管的负极与所述电源输入端电连接。
[0012]优选地，所述第一电路基板和所述第二电路基板上分别设有电路布线层，所述整流桥堆、所述功率因数校正模块分别位于所述第一电路基板所在的所述电路布线层上，所述驱动功率模块位于所述第二电路基板所在的所述电路布线层上。
[0013]优选地，所述第一电路基板和所述第二电路基板上还分别设有绝缘层，所述绝缘层位于所述第一电路基板与设于所述第一电路基板上的所述电路布线层之间以及所述第二电路基板与设于所述第二电力基板上的所述电路布线层之间。
[0014]优选地，还包括金属绑线，所述金属绑线用于所述整流桥堆、功率因数校正模块和驱动功率模块之间的电连接、所述整流桥堆与所述电路布线层之间的电连接、所述功率因数校正模块与所述电路布线层之间的电连接以及所述驱动功率模块与所述电路布线层之间的电连接。
[0015]优选地，所述第一电路基板与所述第二电路基板上还分别设有引脚，所述引脚的一端与所述第一电路基板或所述第二电路基板电连接，所述引脚的另一端显露于所述塑封外壳的外部。
[0016]优选地，所述第一电路基板与所述第二电路基板的间距为0.1
‑
5.0毫米。
[0017]与现有技术相比，本技术实施例的有益技术效果在于：
[0018]本技术所提出的半导体电路，其通过两块电路基板分别设置整流桥堆、功率因数校正模块和驱动功率模块，避免整流桥堆和功率因数校正模块对驱动功率模块造成干扰，从而提高驱动功率模块的可靠性，延长驱动功率模块的使用寿命。
附图说明
[0019]图1为本技术一实施例中半导体电路的结构示意图；
[0020]图2为本技术中整流桥堆的电路结构示意图；
[0021]图3为本技术中功率因数校正模块的电路结构示意图；
[0022]图4为本技术中半导体电路的剖面图；
[0023]图5为本技术中半导体电路的俯视图。
具体实施方式
[0024]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0026]还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直
接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0027]另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0028]本技术提到的半导体电路，是一种将功率开关器件和高压驱动电路等集成在一起，并在外表进行密封封装的一种电路模块，在电力电子领域应用广泛，如驱动电机的变频器、各种逆变电压、变频调速、冶金机械、电力牵引、变频家电等领域应用。这里的半导体电路还有多种其他的名称，如模块化智能功率系统(Modular Intelligent Power System，MIPS)、智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)，或者称本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，其特征在于，包括塑封外壳、第一电路基板和第二电路基板，所述第一电路基板与所述第二电路基板设置在所述塑封外壳内，所述第一电路基板与所述第二电路基板分体式设置且间隔预设距离，所述第一电路基板上设置有整流桥堆和功率因数校正模块，所述第二电路基板上设置有驱动功率模块，所述驱动功率模块包括驱动芯片和与所述驱动芯片电连接的逆变桥。2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述整流桥堆包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一交流输入端、第二交流输入端、正极输出端、负极输出端；所述第一二极管与所述第二二极管的负极分别与所述正极输出端电连接，所述第三二极管与所述第四二极管的正极分别与所述负极输出端电连接，所述第一二极管的正极与所述第四二极管的负极分别与所述第一交流输入端电连接，所述第二二极管的正极与所述第三二极管的负极分别与所述第二交流输入端电连接。3.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述功率因数校正模块包括信号控制端、信号输出端、电源输入端、驱动电阻、开关管和输出二极管；所述驱动电阻的一端与所述信号控制端电连接，所述驱动电阻的另一端与所述开关管的栅极电连接，所述开关管的源极接地，所述开关管的漏极和所述输出二极管的正极分别与所述电源输入端电连接，所述输出二极管的负极与所述信号输出端电连接。4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述功率因数校正模块还包括续流二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，左安超，潘志坚，黄浩，张土明，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：