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一种易散热半导体元器件制造技术

技术编号:33002786 阅读:12 留言:0更新日期:2022-04-09 13:07
本实用新型专利技术属于半导体技术领域,尤其涉及一种易散热半导体元器件,包括壳体和PN结,壳体内部开有空腔和U型腔,空腔位于U型腔下方内侧,U型腔为上下颠倒的U形,U型腔上端贯通出壳体上端并嵌入设置有长方片;打开塞盖以便于对U型腔内部进行添加导热硅脂,通过导热硅脂来对PN结吸热,长方片一方面能够将导热硅脂密封在U型腔内部,长方片另一方面能够对散热片支撑,侧通孔和底通孔配合使用能够便于PN结所产生的热量给发散出去,解决了现有的半导体元器件不便于散热的问题。件不便于散热的问题。件不便于散热的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种易散热半导体元器件


[0001]本技术属于半导体
,尤其涉及一种易散热半导体元器件。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间、并且利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,其作用是用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换,是电子电路的常规元器件之一。
[0003]目前,现有的半导体元器件缺少相应的散热结构,随着半导体元器件内部PN结工作时间增长而升温,温度过高会影响半导体元器件的稳定性,仅仅依靠半导体元器件自身自然散热则远远不能够达到要求。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种易散热半导体元器件,解决了现有的半导体元器件不便于散热的问题。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种易散热半导体元器件,包括壳体和PN结;
[0006]所述壳体内部开有空腔和U型腔,所述空腔位于U型腔下方内侧,所述U型腔为上下颠倒的U形,所述U型腔上端贯通出壳体上端并嵌入设置有长方片;
[0007]所述长方片上端开有凹腔,所述凹腔底部开有若干个呈均匀排列的底通孔,所述凹腔内部前后两端均开有若干个呈左右分布的侧通孔,所述长方片下端且位于底通孔下方粘接有网孔片;
[0008]每个所述底通孔内部均设置有锥斗和锥形挡片,所述锥形挡片位于锥斗上方,每个所述锥斗底部均开有圆孔,所述锥斗与锥形挡片之间均固定有一对呈左右分布的连接件。
[0009]在本技术较佳地技术方案中,所述PN结安装于空腔内部,所述壳体下端安装有底盖,所述底盖下端安装有若干根呈左右分布的针脚,每根所述针脚上端均贯穿至空腔内部并与PN结一体成型。
[0010]在本技术较佳地技术方案中,前后端的所述侧通孔分别贯通出长方片前后两端,每个所述底通孔下端均贯通出长方片下端,所述长方片与U型腔内部相通。
[0011]在本技术较佳地技术方案中,所述圆孔位于相近的两个所述连接件之间,每个所述锥斗外部分别与相应的所述底通孔内壁固定连接,所述锥斗与锥形挡片之间的间距为二至六毫米之间,所述锥斗呈“V”字形,所述锥形挡片呈上下颠倒的“V”字形。
[0012]在本技术较佳地技术方案中,所述壳体前端设置有若干根呈左右分布的插棒,每根所述插棒后端依次贯穿至U型腔和长方片内部并与其插接,所述插棒位于相邻的两个所述底通孔之间。
[0013]在本技术较佳地技术方案中,所述壳体上端且位于长方片左右两方均开有通
槽,两条所述通槽下部均延伸至U型腔内部并与其相通,两条所述通槽上部均镶嵌有塞盖,所述U型腔内部填充有导热硅脂。
[0014]在本技术较佳地技术方案中,所述长方片且位于凹腔上方设置有散热片,所述散热片下端左右两侧均固定有插片,所述插片位于凹腔左右两方,所述插片下端与长方片上端插接。
[0015]与现有技术相比,本技术实现的有益效果:打开塞盖以便于对U型腔内部进行添加导热硅脂,通过导热硅脂来对PN结吸热,以便于热量传导到散热片发散出去,插棒能够便于将长方片稳固在U型腔内,长方片一方面能够将导热硅脂密封在U型腔内部,长方片另一方面能够对散热片支撑,侧通孔和底通孔配合使用能够便于PN结所产生的热量给发散出去,锥斗与锥形挡片配合使用能够防止导热硅脂从底通孔溢出,同时散热片能够加速热量散出。
附图说明
[0016]图1为本技术整体外部结构示意图;
[0017]图2为本技术的结构A局部放大图;
[0018]图3为本技术的结构B局部放大图;
[0019]图4为本技术的整体结构分解图;
[0020]图5为本技术的整体结构装配图。
[0021]图中:1

壳体、2

底盖、3

针脚、4

PN结、5

U型腔、6

通槽、7

塞盖、8

散热片、9

空腔、10

凹腔、11

侧通孔、12

长方片、13

底通孔、14

插棒、15

锥斗、16

锥形挡片、17

圆孔、18

连接件、19

插片、20

网孔片。
具体实施方式
[0022]请参阅图1

5,本技术提供一种技术方案:一种易散热半导体元器件,包括壳体1和PN结4;
[0023]所述壳体1内部开有空腔9和U型腔5,所述空腔9位于U型腔5下方内侧,所述U型腔5为上下颠倒的U形,所述U型腔5上端贯通出壳体1上端并嵌入设置有长方片12;
[0024]所述长方片12上端开有凹腔10,所述凹腔10底部开有若干个呈均匀排列的底通孔13,所述凹腔10内部前后两端均开有若干个呈左右分布的侧通孔11,所述长方片12下端且位于底通孔13下方粘接有网孔片20;
[0025]每个所述底通孔13内部均设置有锥斗15和锥形挡片16,所述锥形挡片16位于锥斗15上方,每个所述锥斗15底部均开有圆孔17,所述锥斗15与锥形挡片16之间均固定有一对呈左右分布的连接件18;
[0026]PN结4安装于空腔9内部,壳体1下端安装有底盖2,底盖2下端安装有若干根呈左右分布的针脚3,每根针脚3上端均贯穿至空腔9内部并与PN结4一体成型;
[0027]前后端的侧通孔11分别贯通出长方片12前后两端,每个底通孔13下端均贯通出长方片12下端,长方片12与U型腔5内部相通,壳体1前端设置有若干根呈左右分布的插棒14,每根插棒14后端依次贯穿至U型腔5和长方片12内部并与其插接,插棒14位于相邻的两个底通孔13之间,第一次填充使用时,拔出插棒14而将U型腔5打开,U型腔5内部填充有导热硅
脂,在U型腔5内部注入导热硅脂,盖住长方片12并将插上插棒14,使得插棒14穿过长方片12,插棒14能够便于将长方片12稳固在U型腔5内,长方片12且位于凹腔10上方设置有散热片8,散热片8下端左右两侧均固定有插片19,插片19位于凹腔10左右两方,插片19下端与长方片12上端插接,将插片19插入到长方片12上端而使得散热片8安装稳固,长方片12一方面能够将导热硅脂密封在U型腔5内部,长方片12另一方面能够对散热片8支撑;
[0028]PN结4所发出的热量会发散到壳体1表面和长方片12表面,使得热量通过导热硅脂吸收,以便于热量传导到散热片8发散出去,圆孔17位于相近的两个连接件18之间,每个锥斗15外部分别与相应的底通孔13内壁固定连接,锥斗15与锥形挡片16之间的间距为二至六毫米之间,锥斗15呈“V”字形,锥形挡片16呈上下颠倒的“V”字形,锥斗15与锥形挡片16配本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种易散热半导体元器件,包括壳体(1)和PN结(4),其特征在于:所述壳体(1)内部开有空腔(9)和U型腔(5),所述空腔(9)位于U型腔(5)下方内侧,所述U型腔(5)为上下颠倒的U形,所述U型腔(5)上端贯通出壳体(1)上端并嵌入设置有长方片(12);所述长方片(12)上端开有凹腔(10),所述凹腔(10)底部开有若干个呈均匀排列的底通孔(13),所述凹腔(10)内部前后两端均开有若干个呈左右分布的侧通孔(11),所述长方片(12)下端且位于底通孔(13)下方粘接有网孔片(20);每个所述底通孔(13)内部均设置有锥斗(15)和锥形挡片(16),所述锥形挡片(16)位于锥斗(15)上方,每个所述锥斗(15)底部均开有圆孔(17),所述锥斗(15)与锥形挡片(16)之间均固定有一对呈左右分布的连接件(18)。2.如权利要求1所述的一种易散热半导体元器件,其特征在于:所述PN结(4)安装于空腔(9)内部,所述壳体(1)下端安装有底盖(2),所述底盖(2)下端安装有若干根呈左右分布的针脚(3),每根所述针脚(3)上端均贯穿至空腔(9)内部并与PN结(4)一体成型。3.如权利要求1所述的一种易散热半导体元器件,其特征在于:前后端的所述侧通孔(11)分别贯通出长方片(12)前后两端,每个所述底通孔(13)下端均贯通出长方片(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭晶晶
申请(专利权)人:谭晶晶
类型:新型
国别省市:

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