一种WBGA电磁屏蔽封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体封装技术领域，公开了一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在有开窗的WBGA基板的正面上贴上芯片；S2、在WBGA基板开窗处引出引线，芯片与WBGA基板背面通过引线形成电连接；S3、在塑封模具上预先安置金属片，塑封时同时在WBGA基板开窗处塑封体表面形成第一电磁屏蔽层；S4、在塑封体的上表面采用金属溅射形成第二电磁屏蔽层；S5、进行后续处理，得到WBGA电磁屏蔽封装结构。本发明专利技术通过在塑封模具中预先安置金属片，塑封同时在基板开窗处塑封体表面形成电磁屏蔽层，可对整条WBGA产品各颗芯片起到全方位电磁屏蔽作用，有效避免了芯片间及外部电磁干扰源的电磁干扰作用。电磁干扰作用。电磁干扰作用。

【技术实现步骤摘要】
一种WBGA电磁屏蔽封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，特别涉及一种WBGA电磁屏蔽封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着Memory芯片、可移动设备、消费电子类产品的应用日益增长，Window Ball Grid Array(WBGA)封装产品也日益增加。不可避免地，该类封装产品需考虑电磁干扰的影响。
[0003]目前采用WBGA封装形式的产品，包含以下几个特点：
[0004](1)芯片粘在基板正面，通过穿过基板开窗处的引线与基板背面形成电连接；
[0005](2)对电磁干扰较敏感；
[0006](3)结构复杂，封装结构紧凑；
[0007]在高频电子通过引线时将形成强烈电磁干扰，从而干扰大规模集成电路，其导致不能正常工作或在错误状态下工作。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种WBGA电磁屏蔽封装结构及其制备方法，解决了传统封装结构存在强烈电磁干扰的问题。
[0009]本专利技术是通过以下技术方案来实现：
[0010]一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0011]S1、在有开窗的WBGA基板的正面上贴上芯片；
[0012]S2、在WBGA基板开窗处引出引线，芯片与WBGA基板背面通过引线形成电连接；
[0013]S3、在塑封模具上预先铺设金属片，塑封时同时在WBGA基板开窗处塑封体下表面形成第一电磁屏蔽层；
[0014]S4、在塑封体的上表面贴装金属盖，形成第二电磁屏蔽层；
[0015]S5、进行后续处理，得到WBGA电磁屏蔽封装结构。
[0016]进一步，S1中，芯片通过胶水粘贴在WBGA基板上。
[0017]进一步，S5中的后续处理依次包括植球及切割；
[0018]植球的过程为：在WBGA基板的背面焊盘植上锡球；
[0019]切割的过程为：将整条WBGA基板切割成一颗一颗的封装颗粒。
[0020]进一步，S1中，WBGA基板的正面预制有第三电磁屏蔽层。
[0021]本专利技术还公开了一种WBGA电磁屏蔽封装结构，包括有开窗的WBGA基板，在WBGA基板的正面上贴上芯片；
[0022]芯片与WBGA基板背面通过引线形成电连接；在芯片的正面填充有上塑封层，在WBGA基板开窗一侧填充有下塑封层；
[0023]在下塑封层的表面包覆有第一电磁屏蔽层，在上塑封层的表面包覆有第二电磁屏
蔽层。
[0024]进一步，第一电磁屏蔽层采用金属片。
[0025]进一步，金属片采用铜或铝。
[0026]进一步，WBGA基板上覆盖有第三电磁屏蔽层。
[0027]进一步，在WBGA基板的背面焊盘上植有锡球。
[0028]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益的技术效果：
[0029]本专利技术公开了一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，通过在塑封模具中预先安置金属片，塑封同时在基板开窗处塑封体表面形成第一电磁屏蔽层，搭配第二电磁屏蔽层结构，可对整条WBGA产品各颗芯片起到全方位电磁屏蔽作用，有效避免了芯片间及外部电磁干扰源的电磁干扰作用。
附图说明
[0030]图1为本专利技术的一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法的流程图；
[0031]图2为本专利技术的一种WBGA电磁屏蔽封装结构；
[0032]其中，1为芯片，2为WBGA基板，3为胶水，4为引线，5为上塑封层，6为下塑封层，7为第一电磁屏蔽层，8为锡球，9为第二电磁屏蔽层，10为第三电磁屏蔽层。
具体实施方式
[0033]下面结合具体的实施例对本专利技术做进一步的详细说明，所述是对本专利技术的解释而不是限定。
[0034]如图1所示，本专利技术公开了一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0035]S1、上芯：在有开窗的WBGA基板2的正面上贴上芯片1；
[0036]S2、引线4键合：在WBGA基板2开窗处引出引线4，芯片1与WBGA基板2背面通过引线4形成电连接；
[0037]S3、塑封并形成电磁屏蔽层：在塑封模具上预先铺设金属片，塑封时同时在WBGA基板2开窗处塑封体下表面形成第一电磁屏蔽层7；
[0038]S4、在塑封体的上表面贴装金属盖，形成第二电磁屏蔽层9；
[0039]S5、进行后续处理，得到WBGA电磁屏蔽封装结构。
[0040]所述后续处理依次包括植球及切割；
[0041]植球：在WBGA基板2的背面焊盘植上锡球8；
[0042]切割：将整条WBGA基板2切割成一颗一颗的封装颗粒。
[0043]S1中，芯片1通过胶水3粘贴在WBGA基板2上。
[0044]S3中，金属片采用铜或铝。
[0045]如图2所示，本专利技术公开的一种FCCSPWBGA电磁屏蔽封装结构，包括有开窗的WBGA基板2，在WBGA基板2的正面上贴上芯片1；芯片1与WBGA基板2背面通过引线4形成电连接；在芯片1的正面填充有上塑封层5，在WBGA基板2开窗一侧填充有下塑封层6；在下塑封层6的表面包覆有第一电磁屏蔽层7，在上塑封层5的表面包覆有第二电磁屏蔽层9。
[0046]更优地，WBGA基板2上覆盖有第三电磁屏蔽层10，在WBGA基板2的背面焊盘上植有
锡球8。
[0047]具体地，第三电磁屏蔽层10可在基板厂完成，基板制作完成后通过金属溅射在对应位置形成第三电磁屏蔽层10。
[0048]需要说明的是，在本文中术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0049]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在有开窗的WBGA基板(2)的正面上贴上芯片(1)；S2、在WBGA基板(2)开窗处引出引线(4)，芯片(1)与WBGA基板(2)背面通过引线(4)形成电连接；S3、在塑封模具上预先铺设金属片，塑封时同时在WBGA基板(2)开窗处塑封体下表面形成第一电磁屏蔽层(7)；S4、在塑封体的上表面贴装金属盖，形成第二电磁屏蔽层(9)；S5、进行后续处理，得到WBGA电磁屏蔽封装结构。2.根据权利要求1所述的一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，S1中，芯片(1)通过胶水粘贴在WBGA基板(2)上。3.根据权利要求1所述的一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，S5中的后续处理依次包括植球及切割；植球的过程为：在WBGA基板(2)的背面焊盘植上锡球(8)；切割的过程为：将整条WBGA基板(2)切割成一颗一颗的封装颗粒。4.根据权利要求1所述的一种WBGA电磁屏蔽封装结构的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：周健威，胡金花，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：