一种高度测量方法、装置及固晶装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种高度测量方法、装置及固晶装置，该高度测量方法包括如下步骤：测量图像测量装置距离固晶平台的初始高度时的光斑宽度L；把固晶平台上升H的高度，这个高度为固晶工作时的高度，通过图像测量装置测量固晶平台上两个光斑之间的初始距离L1；光斑距离测量步骤：任意时刻，通过图像测量装置测量基板上左光斑和右光斑之间的距离L2；高度偏差计算步骤：任意时刻，基板高度相对于固晶平台的高度偏差为Δh，Δh=H*|（L1

【技术实现步骤摘要】
一种高度测量方法、装置及固晶装置


[0001]本专利技术涉及LED COB封装领域，尤其涉及一种高度测量方法、装置及固晶装置。

技术介绍

[0002]COB(Chip On Board)固晶机是将晶片固定在基板上的设备，固晶时，固晶头对基板的距离很敏感，所以，准确、快速测量固晶头与基板之间的高度距离，是现有技术亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种高度测量方法，包括如下步骤：
[0004]初始高度测量步骤：测量图像测量装置距离固晶平台的初始高度H时的光斑宽度L；
[0005]移动固晶平台的高度H，此时高度为固晶平台的工作高度，左光源和右光源发出光，在固晶平台上形成两个光斑，通过图像测量装置测量固晶平台上两个光斑之间的初始距离L1；
[0006]光斑距离测量步骤：左光源和右光源发出光，在基板上形成左光斑和右光斑，任意时刻，通过图像测量装置测量基板上左光斑和右光斑之间的距离L2；
[0007]高度偏差计算步骤：任意时刻，基板高度相对于固晶平台的高度偏差为Δh，Δh＝H*|(L1
‑
L2)/(L
‑
L1)|。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述左光源和所述右光源发出激光或者红光。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述图像测量装置包括相机和计算模块。
[0010]本专利技术还提供了一种高度测量装置，包括：图像测量装置、左光源、右光源、基板和固晶平台，所述图像测量装置、左光源、右光源均位于所述基板上方，左光源和右光源发出光，在固晶平台上形成两个光斑，通过图像测量装置测量固晶平台上两个光斑之间的初始距离L1；左光源和右光源发出光，在基板上形成左光斑和右光斑，任意时刻，通过图像测量装置测量基板上左光斑和右光斑之间的距离L2；任意时刻，基板高度相对于固晶平台的高度偏差为Δh，Δh＝H*|(L1
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L2)/(L
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L1)|，H为移动固晶平台的高度，此时高度为固晶平台的工作高度。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述左光源和所述右光源发出激光或者红光。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述图像测量装置包括相机和计算模块。
[0013]本专利技术还提供了一种固晶装置，包括固晶头、以及所述的高度测量装置，根据Δh，控制固晶头下探到所述基板的高度。
[0014]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过二束交叉光源打在基板上形成两个点光斑，用图像测量装置测量两个光斑的距离，形成了一个与该距离对应的基准高度；通过比较和测量不同的光斑距离，可计算获得对应不同的基板高度或对应平整度。
附图说明
[0015]图1是本专利技术的原理框图。
具体实施方式
[0016]如图1所示，本专利技术公开了一种高度测量方法，包括如下步骤：
[0017]初始高度测量步骤：测量图像测量装置1距离固晶平台7的初始高度时的光斑宽度L；
[0018]移动固晶平台7的高度H，此时高度为固晶平台7的工作高度，左光源3和右光源2发出光，在固晶平台7上形成两个光斑，通过图像测量装置1测量固晶平台7上两个光斑之间的初始距离L1；
[0019]光斑距离测量步骤：左光源3和右光源2发出光，在基板4上形成左光斑5和右光斑6，任意时刻，通过图像测量装置1测量基板4上左光斑5和右光斑6之间的距离L2；
[0020]高度偏差计算步骤：任意时刻，基板4高度相对于固晶平台7的高度偏差为Δh，Δh＝H*|(L1
‑
L2)/(L
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L1)|。
[0021]所述左光源3和所述右光源2发出激光或者红光。
[0022]所述图像测量装置1包括相机和计算模块，相机对固晶平台7上两个光斑进行拍照，通过计算模块计算固晶平台7上两个光斑之间的初始距离L1；相机对基板4上左光斑5和右光斑6进行拍照，通过计算模块计算基板4上左光斑5和右光斑6之间的距离L2。
[0023]本专利技术还公开了一种高度测量装置，包括：图像测量装置1、左光源3、右光源2、基板4和固晶平台7，所述图像测量装置1、左光源3、右光源2均位于所述基板4上方，左光源3和右光源2发出光，在固晶平台7上形成两个光斑，通过图像测量装置1测量固晶平台7上两个光斑之间的初始距离L1；左光源3和右光源2发出光，在基板4上形成左光斑5和右光斑6，任意时刻，通过图像测量装置1测量基板4上左光斑5和右光斑6之间的距离L2；任意时刻，基板4高度相对于固晶平台7的高度偏差为Δh，Δh＝H*|(L1
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L2)/(L
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L1)|，H为移动固晶平台7的高度，此时高度为固晶平台7的工作高度。
[0024]本专利技术还公开了一种固晶装置，包括固晶头、以及所述的高度测量装置，根据Δh，控制固晶头下探到所述基板4的高度。
[0025]本专利技术通过二束交叉光源打在基板4上形成两个点光斑，用图像测量装置1测量两个光斑的距离，形成了一个与该距离对应的基准高度；通过比较和测量不同的光斑距离，可计算获得对应不同的基板高度或对应平整度。
[0026]以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高度测量方法，其特征在于，包括如下步骤：初始高度测量步骤：测量图像测量装置(1)距离固晶平台(7)的初始高度时的光斑宽度L；移动固晶平台(7)的高度H，此时高度为固晶平台(7)的工作高度，左光源(3)和右光源(2)发出光，在固晶平台(7)上形成两个光斑，通过图像测量装置(1)测量固晶平台(7)上两个光斑之间的初始距离L1；光斑距离测量步骤：左光源(3)和右光源(2)发出光，在基板(4)上形成左光斑(5)和右光斑(6)，任意时刻，通过图像测量装置(1)测量基板(4)上左光斑(5)和右光斑(6)之间的距离L2；高度偏差计算步骤：任意时刻，基板(4)高度相对于固晶平台(7)的高度偏差为Δh，Δh＝H*|(L1
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L2)/(L
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L1)|。2.根据权利要求1所述的高度测量方法，其特征在于：所述左光源(3)和所述右光源(2)发出激光或者红光。3.根据权利要求1所述的高度测量方法，其特征在于：所述图像测量装置(1)包括相机和计算模块。4.一种高度测量装置，其特征在于，包括：图像测量装置(1)、左光源(3)、右光源(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾逸，邓应铖，
申请(专利权)人：深圳市卓兴半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：