显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置。该显示基板的制备方法包括以下步骤：在基底层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成非晶硅层，其中，所述非晶硅层包括所述显示区非晶硅层和所述驱动区非晶硅层；对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层。本申请的显示基板的制备方法将形成的非晶硅层分为显示区非晶硅层和驱动区非晶硅层，同时仅对驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层，而不对显示区非晶硅层进行退火处理，故减少了对显示区非晶硅层进行退火处理的时间，因此提高了显示基板的生产效率与产能。因此提高了显示基板的生产效率与产能。因此提高了显示基板的生产效率与产能。

【技术实现步骤摘要】
显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。目前的液晶显示器主要是以薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)液晶显示器为主。随着平面显示技术的发展，具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求被提出。非晶硅的电子迁移率较低，而低温多晶硅(LowTemperaturePloy
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silicon)可以在低温下制作，且拥有比非晶硅更高的电子迁移率。其次，低温多晶硅制作的CMOS器件可应用于使液晶显示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低温多晶硅得到了广泛地应用和研究。
[0003]目前，制作低温多晶氧化物显示基板的步骤一般是对显示基板中的整个非晶硅层进行退火，形成整面的低温多晶硅层。由于需要对整个非晶硅层进行退火处理，故该步骤需要的时间较长，因此影响了显示基板产能。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有显示基板制备方法需要对整个非晶硅层进行退火处理，故该步骤需要的时间较长，因此影响了显示基板产能的问题，提供一种显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置。
[0005]为了实现上述目的，一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0006]在基底层上形成绝缘层；r/>[0007]在所述绝缘层上形成非晶硅层，其中，所述非晶硅层包括显示区非晶硅层和驱动区非晶硅层；
[0008]对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层。
[0009]可选的，所述制备方法还包括以下步骤：
[0010]在所述非晶硅层上形成欧姆接触层。
[0011]可选的，所述制备方法还包括以下步骤：
[0012]在所述欧姆接触层上形成第一金属层；
[0013]在所述第一金属层上蚀刻形成沟道。
[0014]可选的，所述对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层为，对所述沟道内的所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层。
[0015]可选的，所述制备方法还包括以下步骤：
[0016]在所述第一金属层上形成保护层。
[0017]可选的，所述对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层为，对所述驱动区非晶硅层进行激光退火形成低温多晶硅层。
[0018]可选的，所述对所述驱动区非晶硅层进行激光退火形成低温多晶硅层为，对所述驱动区非晶硅层进行蓝色激光退火形成低温多晶硅层。
[0019]另一方面，本申请实施例还提供了一种显示基板，所述显示基板采用上述任一所述的显示基板的制备方法制备形成。
[0020]另一方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述任一所述的显示基板。
[0021]另一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一所述的显示面板。
[0022]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0023]本申请提供一种显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置，将形成的非晶硅层分为显示区非晶硅层和驱动区非晶硅层，同时仅对驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层，而不对显示区非晶硅层进行退火处理，故减少了对显示区非晶硅层进行退火处理的时间，因此提高了显示基板的生产效率与产能。
附图说明
[0024]图1为本申请实施例提供的显示基板的制备方法的流程图。
[0025]图2为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图。
[0026]图3为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图。
[0027]图4为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图。
[0028]图5(a)
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(i)分别为完成本申请实施例步骤S31至步骤S39的基底层上形成各层的截面示意图。
[0029]图6为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图。
[0030]图7为图6所示显示基板的截面示意图。
具体实施方式
[0031]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0032]需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“层叠”、“一侧”、“另一侧”以及类似的表述只是为了说明的目的。此外，本申请所提到的“第一”及“第二”等序号用语并不代表任何顺序、数量或者重要性，只是用于区分不同的部分。
[0033]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0034]目前，制作低温多晶氧化物显示基板的步骤一般是对显示基板中的整个非晶硅层进行退火，形成整面的低温多晶硅层。由于需要对整个非晶硅层进行退火处理，故该步骤需要的时间较长，因此影响了显示基板产能。
[0035]为解决上述问题，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置，以下将结合附图对进行说明。示例性的，请参阅图1，图1为本申请实施例提
供的显示基板的制备方法的流程图。该显示基板的制备方法包括以下步骤：
[0036]S01、在基底层110上形成绝缘层120；
[0037]S02、在绝缘层120上形成非晶硅层130，其中，非晶硅层130包括显示区非晶硅层131和驱动区非晶硅层132；
[0038]S03、对驱动区非晶硅层132进行退火形成低温多晶硅层133。
[0039]本申请实施例提供的显示基板的制备方法将形成的非晶硅层130分为显示区非晶硅层131和驱动区非晶硅层132，同时仅对驱动区非晶硅层132进行退火形成低温多晶硅层133，而不对显示区非晶硅层131进行退火处理，故减少了对显示区非晶硅层131进行退火处理的时间，因此提高了显示基板100的生产效率与产能。
[0040]示例性的，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图。该制备方法包括以下步骤：
[0041]S11、在基底层110上形成绝缘层120；
[0042]S12、在绝缘层120上形成非晶硅层130，其中，非晶硅层130包括显示区非晶硅层131和驱动区非晶硅层132；
[0043]S13、在非晶硅层130上形成欧姆接触层140；
[0044]S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在基底层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成非晶硅层，其中，所述非晶硅层包括显示区非晶硅层和驱动区非晶硅层；对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层。2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括以下步骤：在所述非晶硅层上形成欧姆接触层。3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括以下步骤：在所述欧姆接触层上形成第一金属层；在所述第一金属层上蚀刻形成沟道。4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括以下步骤：在所述第一金属层上形成保护层。5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对所述驱动区非晶硅层进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡道兵，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：