阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板技术

本申请适用于显示技术领域，提出了一种阵列基板，包括：衬底基板；第一绝缘层，设于所述衬底基板上且设有第一凹槽；第一金属层，设于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层的一端容纳于所述第一凹槽中，另一端凸出于所述第一绝缘层的表面。本申请同时提出一种阵列基板制造方法和显示面板。上述阵列基板、阵列基板制造方法和显示面板能够降低第一金属层在衬底基板上的高度，从而第一金属层的线电阻较小，能够满足高阶产品的需求，解决了金属膜增厚造成的金属线断线、绝缘层沉积不佳造成的ITO断线的技术问题。ITO断线的技术问题。ITO断线的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板


[0001]本申请属于显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板。

技术介绍

[0002]随着液晶显示器的应用逐渐广泛，显示器逐渐向高分辨率、大尺寸的方向发展。然而，随着显示器尺寸的增加和分辨率的提高，金属线的数量将会增加，金属线的长度也会增加，从而导致金属线的电阻增大，进而造成电压信号在传输过程中的波形出现延迟失真，电压信号的失真容易导致亮度不均、闪烁、串扰等显示不良。
[0003]目前，为了改善以上问题，通常做法为增加铝膜的厚度，但是铝的电阻率太高，要使其满足高阶产品，膜厚增加太高时，为了保证穿透率，走线的顶部尺寸会过细而容易导致光阻脱落，进而产生金属线断线的问题，阵列基板的良率将受到较大影响；同时，高金属膜厚还容易导致绝缘层沉积不佳而出现褶皱，严重时可能引起氧化铟锡(ITO)断线而导致良率大大降低。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板，包括但不限于解决金属膜增厚造成的金属线断线、绝缘层沉积不佳造成的ITO断线的技术问题。
[0005]本申请第一方面的实施例提出一种阵列基板，包括衬底基板，所述阵列基板还包括：
[0006]第一绝缘层，设于所述衬底基板上且设有第一凹槽；
[0007]第一金属层，设于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层的一端容纳于所述第一凹槽中，所述第一金属层的另一端凸出于所述第一绝缘层的表面。
[0008]在一些实施例中，所述阵列基板还包括设于所述第一金属层上的有源层、第二绝缘层和第二金属层，所述第二绝缘层设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；
[0009]所述第二绝缘层上设有第二凹槽，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二金属层的一端容纳于所述第二凹槽内，所述第二金属层的另一端凸设于所述第二绝缘层的表面。
[0010]在一些实施例中，所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线；
[0011]所述第一凹槽的数量为多个，所述栅极、所述扫描线分别与所述第一凹槽一一对应设置。
[0012]在一些实施例中，所述第一绝缘层的厚度为所述第一绝缘层的材料包括SiNx、SiO2中的至少一种；所述第一金属层的材料至少包括铝。
[0013]本申请第二方面的实施例提出一种阵列基板制造方法，包括以下步骤：
[0014]在衬底基板上形成第一绝缘层；
[0015]在所述第一绝缘层上制作第一凹槽；
[0016]在所述第一绝缘层上形成第一金属层；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层的一端容纳于所述第一凹槽中，另一端凸出于所述第一绝缘层的表面。
[0017]在一些实施例中，所述第一绝缘层的厚度为且所述第一绝缘层的材料包括SiNx、SiO2中的至少一种；
[0018]在所述第一绝缘层上制作第一凹槽，包括以下子步骤：
[0019]在所述第一绝缘层上涂布光阻，并进行曝光和显影；
[0020]通过干刻，在所述第一绝缘层上形成第一凹槽；
[0021]去除所述光阻。
[0022]在一些实施例中，在所述第一绝缘层上形成第一金属层，包括以下子步骤：
[0023]在所述第一绝缘层的表面沉积第一金属层，所述第一金属层部分容纳于所述凹槽中；
[0024]在所述第一金属层上涂布光阻，并进行曝光和显影；
[0025]对所述第一金属层进行湿蚀刻，然后剥离光阻，得到图案化的所述第一金属层。
[0026]在一些实施例中，所述阵列基板制造方法还包括：
[0027]在所述第一金属层上形成第二绝缘层和有源层；
[0028]在所述第二绝缘层和所述有源层上形成第二金属层；
[0029]通过构图工艺将所述第二金属层图案化，得到薄膜晶体管；
[0030]其中，所述第一金属层包括扫描线和所述薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层包括信号线和所述薄膜晶体管的源极、漏极；或者，所述第一金属层包括所述信号线和所述薄膜晶体管的源极、漏极，所述第二金属层包括所述扫描线和所述薄膜晶体管的栅极，所述第一金属层和/或所述第二金属层的材料至少包括铝。
[0031]在一些实施例中，在所述第一金属层上形成第二绝缘层之后，所述阵列基板制造方法还包括：
[0032]在所述第二绝缘层上制作第二凹槽，所述第二凹槽用于容纳部分所述第二金属层。
[0033]本申请第三方面的实施例提出一种显示面板，包括如第一方面所述的阵列基板；对向基板，与所述阵列基板相对设置；以及液晶层，设于所述阵列基板与所述对向基板之间。
[0034]上述阵列基板包括衬底基板、设有第一凹槽的第一绝缘层、及一端容纳于第一凹槽内的第一金属层，由于第一金属层部分容纳于第一绝缘层中，第一金属层在衬底基板上的高度得到降低，从而改善高膜厚导致的金属层的顶部尺寸过细而使光阻附着不佳、引起金属线断线等问题，提升了产品良率；并且，第一金属层的膜厚可制作得较厚，从而第一金属层的线电阻较小，能够满足高刷新率、高阶产品的需求。同时，还解决了第一金属层上方的绝缘层沉积不佳而出现褶皱，进而引起ITO断线的问题，进一步改善了产品良率。
[0035]因此，上述阵列基板及显示面板的良率较高，能够适用于铝制程，解决了传统的铝走线在制作高阶显示产品时制程受限的问题，拓宽了铝产品的设计性。
[0036]上述阵列基板制造方法先在衬底基板上形成第一绝缘层并在第一绝缘层中制作第一凹槽，然后在第一绝缘层上形成第一金属层，从而第一金属层可部分容纳于第一凹槽
中，以降低第一金属层的高度，第一金属层可具有较高的膜厚，而不会因增厚造成金属线断线、后续的绝缘层沉积不佳造成的ITO断线的问题，制造良率较高。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1是本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
[0039]图2是本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
[0040]图3是本申请第二实施例提供的阵列基板中第二绝缘层和第二金属层的结构示意图；
[0041]图4是本申请第三实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0042]图5是本申请第四实施例提供的阵列基板制造方法的流程图之一；
[0043]图6是本申请第四实施例提供的阵列基板制造方法中第一绝缘层中第一凹槽的制作流程图；
[0044]图7是本申请第四实施例提供的阵列基板制造方法中第一金属层的制作流程图；
[0045]图8是本申请第四实施例提供的阵列基板中制造方法的流程图之二；
[0046]图9是本申请第五实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第一绝缘层，设于所述衬底基板上且设有第一凹槽；第一金属层，设于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层的一端容纳于所述第一凹槽中，所述第一金属层的另一端凸出于所述第一绝缘层的表面。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述第一金属层上的有源层、第二绝缘层和第二金属层，所述第二绝缘层设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第二绝缘层上设有第二凹槽；在垂直于所述衬底基板的方向方向上，所述第二金属层的一端容纳于所述第二凹槽内，所述第二金属层的另一端凸设于所述第二绝缘层的表面。3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线；所述第一凹槽的数量为多个，所述栅极、所述扫描线分别与所述第一凹槽一一对应设置。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为所述第一绝缘层的材料包括SiNx、SiO2中的至少一种；所述第一金属层的材料至少包括铝。5.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制作第一凹槽；在所述第一绝缘层上形成第一金属层；沿着垂直于所述衬底基板的方向，所述第一金属层的一端容纳于所述第一凹槽中，另一端凸出于所述第一绝缘层的表面。6.如权利要求5所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为且所述第一绝缘层的材料包括SiNx、SiO2中的至少一种；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯军，周佑联，许哲豪，郑浩旋，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：