二极管转移方法以及二极管转移装置制造方法及图纸

本申请公开了一种二极管转移方法以及二极管转移装置，所述二极管转移方法包括以下步骤：提供一拾取装置，所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层；所述拾取装置拾取二极管芯片；以及加热升高所述受热膨胀层的温度，所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸，拉大所述二极管芯片之间的间距。本申请的技术效果在于，实现二极管扩大间距并有序排列的巨量转移目标。列的巨量转移目标。列的巨量转移目标。

【技术实现步骤摘要】
二极管转移方法以及二极管转移装置


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种二极管转移方法以及二极管转移装置。

技术介绍

[0002]和现有的液晶显示面板技术相比，微发光二极管的分辨率更大，对比度更高，响应更快，能耗更低，是极具潜力的新一代显示技术。
[0003]在目前的技术中，微发光二极管只能先在衬底上通过外延生长，在制备完成后再通过转移操作将巨量的微发光二极管转移到显示基板上，按一定规律形成阵列结构。
[0004]但是控制数以万计的微发光二极管准确进行“巨量转移”，是一项待解决的技术难点。在外延生长中，微发光二极管间距小，不满足应用要求，需要在转移过程中扩大间距，实现微发光二极管的有序排列。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于，提供一种二极管转移方法以及二极管转移装置，可以解决现有的微发光二极管在转移过程中间距减小且容易造成无序排列等技术问题。
[0006]为实现上述目的，本申请提供一种二极管转移方法，包括以下步骤：提供一拾取装置，所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层；所述拾取装置拾取二极管芯片；以及加热处理使得所述受热膨胀层温度升高，膨胀后带动所述柔性电路层延伸，拉大所述二极管芯片之间的间距。
[0007]进一步地，所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。
[0008]进一步地，所述导热金属单体包括铜、铝、镍中的一种。
[0009]进一步地，所述导热金属单体包括铁镍铬合金、锰镍铜合金中的一种。
[0010]进一步地，所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET、ABS塑料、硅橡胶中的一种。
[0011]进一步地，所述二极管转移方法还包括：当所述二极管芯片到指定位置后，对所述拾取装置断电，释放所述二极管芯片。
[0012]进一步地，所述二极管转移方法还包括：释放所述二极管芯片后，降低温度使得所述受热膨胀层恢复到原始状态。
[0013]为实现上述目的，本申请还提供一种二极管转移装置，包括：拾取装置，用于拾取待转移的二极管；柔性电路层，设于所述拾取装置一侧的表面；受热膨胀层，设于所述柔性电路层远离所述拾取装置一侧的表面；以及温度控制装置，用于控制所述二极管转移装置内温度的升降。
[0014]进一步地，所述温度控制装置控制温度上升时，所述受热膨胀层受热膨胀，带动所述柔性电路层延伸拉长，拉大拾取装置之间的间距；所述温度控制装置控制温度下降时，所述受热膨胀层紧缩后恢复到初始状态，所述柔性电路层恢复原状，减小拾取装置之间的间距。
[0015]进一步地，所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。
[0016]本申请的技术效果在于，受热膨胀层受热膨胀，带动其下方的柔性电路层以及二极管芯片一起延展，扩大两个二极管芯片之间的间隙，同时，也能实现转移后二极管有序排列的效果，完成巨量转移的目标。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本申请实施例提供的二极管转移方法的流程图；
[0019]图2是本申请实施例提供的二极管转移装置的结构示意图；
[0020]图3是本申请实施例提供的受热膨胀层膨胀前的结构示意图；
[0021]图4是本申请实施例提供的受热膨胀层膨胀后的结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]100、拾取装置；200、柔性电路层；300、受热膨胀层；400、二极管芯片；
[0024]D1、第一间距；D2、第二间距。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0026]本申请实施例提供一种二极管转移方法以及二极管转移装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
[0027]如图1至图4所示，本申请实施例提供一种二极管转移方法，包括步骤S1～S5。
[0028]S1提供一拾取装置100，所述拾取装置100上设置有柔性电路层200以及受热膨胀层300。所述拾取装置100用以拾取待转移的二极管芯片400，本实施例中，具有多个拾取装置100，每一拾取装置100对应一个二极管芯片400，所述拾取装置100由电机统一控制。
[0029]所述柔性电路层200采用柔性材料制成，具有较高的延展性以及回弹性。所述柔性电路层200电连接至所述拾取装置100的电机，控制所述拾取装置100的通断电。
[0030]所述受热膨胀层300设于所述柔性电路层200远离所述拾取装置100一侧的表面，在本实施例中，参考附图2，所述受热膨胀层300设于所述柔性电路层200的上表面，且与所述柔性电路层200完全贴合，便于在后续的受热膨胀过程中，所述柔性电路层200能跟随所述受热膨胀层300一起延伸与收缩，进而实现拉伸二极管芯片400之间间距的效果。
[0031]所述受热膨胀层300的材质包括导热金属或高分子聚合物，具有较高的热膨胀系数，热膨胀现象指的是物体由于温度改变而有胀缩现象，其变化能力以等压下，单位温度变
化所导致的长度量值的变化，即热膨胀系数表示。各物体的热膨胀系数不同，一般金属的热膨胀系数单位为1/度(摄氏)。
[0032]所述导热金属为热膨胀系数较高的金属，包括金属单体或金属合金，例如铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)等，其中在20℃的温度条件下，铝的热膨胀系数为23.2，铜的热膨胀系数为17.5，镍的热膨胀系数为13.0。金属合金包括铁镍铬合金(Fe
‑
Ni
‑
Cr)、锰镍铜(Mn
‑
Ni
‑
Cu)合金等。
[0033]所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、ABS塑料、硅橡胶中的一种。还可在高分子聚合物中掺杂有机添加物或无机添加物，掺杂高分子聚合物也可作为所述受热膨胀层300的材料。
[0034]S2所述拾取装置100拾取二极管芯片400，具体地，在拾取之前，所述柔性电路层200对所述拾取装置100的电机进行驱动，控制其开启，具体抓取过程在本实施例中不作详细描述。
[0035]如图3所示，所述受热膨胀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一拾取装置，所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层；所述拾取装置拾取二极管芯片；以及加热升高所述受热膨胀层的温度，所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸，拉大所述二极管芯片之间的间距。2.如权利要求1所述的二极管转移方法，其特征在于，所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。3.如权利要求2所述的二极管转移方法，其特征在于，所述导热金属单体包括铜、铝、镍中的一种。4.如权利要求2所述的二极管转移方法，其特征在于，所述导热金属单体包括铁镍铬合金、锰镍铜合金中的一种。5.如权利要求2所述的二极管转移方法，其特征在于，所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET、ABS塑料、硅橡胶中的一种。6.如权利要求1所述的二极管转移方法，其特征在于，还包括：当所述二极管芯片到指定位置后，对所述拾取装置断电，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪琴，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：