半导体装置及半导体装置的工作方法制造方法及图纸

提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第二晶体管的栅极的信号和供应到第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，并且该半导体装置具有根据供应到第一晶体管的背栅极的电位而改变从第一输出端子输出的电位的功能。功能。功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的工作方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的工作方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置及电器。
[0002]本专利技术的一个方式不限定于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]蓄电装置(也称为电池、二次电池)被应用于小型电器、汽车等各种领域。随着电池的应用范围的扩大，利用将多个电池单元串联连接的多单元结构的电池堆叠的应用增多。
[0004]蓄电装置具备检测出过放电、过充电、过电流或短路等充放电时的异常的电路。如此，在进行电池的保护及控制的电路中，为了检测出充放电时的异常，取得电压或电流等的数据。此外，在这种电路中，根据被观察的数据，停止充放电或进行单元平衡等控制。
[0005]专利文献1公开了被用作电池保护电路的保护IC。在专利文献1所记载的保护IC中，公开了其内部设有多个比较器(Comparator)并对参考电压和连接有电池的端子的电压进行比较来检测出充放电时的异常的结构。
[0006]专利文献2公开了使用场效应晶体管的比较器。
[0007][先行技术文献][0008][专利文献][0009][专利文献1]美国专利申请公开第2011
‑
267726号说明书
[0010][专利文献2]日本专利申请公开第2009
‑
71653号公報

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的技术问题
[0012]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够降低功耗的新颖的结构的比较电路、放大电路、电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。
[0013]注意，本专利技术的一个方式的目的不局限于上述目的。上述列举的目的并不妨碍其他目的的存在。此外，其他目的是上面没有提到而将在下面的记载中进行说明的目的。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上面没有提到的目的。注意，本专利技术的一个方式实现上述目的及/或其他目的中的至少一个目的。
[0014]解决技术问题的手段
[0015]本专利技术的一个方式是一种半导体装置的工作方法，该半导体装置包括第一输出端
子、第二输出端子、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管具有背栅极，第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第二晶体管的栅极的信号和供应到第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，该工作方法包括如下步骤：背栅极被供应第一电位的第一步骤；以及背栅极被供应第二电位的第二步骤，并且在第一步骤中从第一输出端子输出的电位低于在第二步骤中从第一输出端子输出的电位。
[0016]此外，在上述结构中，第一晶体管优选在沟道形成区域中包含氧化物半导体。
[0017]此外，在上述结构中，在第二步骤中流过第一晶体管的源极与漏极之间的电流优选低于在第一步骤中流过第一晶体管的源极与漏极之间的电流。
[0018]此外，在上述结构中，优选的是，还包括第四晶体管、第五晶体管以及电容器，第四晶体管的源极及漏极中的一个与第一输出端子电连接，第五晶体管的源极及漏极中的一个与第四晶体管的栅极电连接，电容器的一个电极与第四晶体管的栅极电连接，另一个电极与第一输出端子电连接，并且在第一步骤及第二步骤中，第五晶体管处于关闭状态。
[0019]此外，在上述结构中，优选的是，第一晶体管的源极及漏极中的另一个被供应低电位信号，第四晶体管的源极及漏极中的另一个及第五晶体管的源极及漏极中的另一个被供应高电位信号。
[0020]此外，本专利技术的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子、第二输出端子、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及选择电路，第一晶体管具有背栅极，选择电路具有选择两个以上的电位中的一个并将该一个电位供应到背栅极的功能，第二晶体管的栅极与第一输入端子电连接，第三晶体管的栅极与第二输入端子电连接，第一晶体管具有背栅极，第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，第一晶体管在沟道形成区域中包含氧化物半导体，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第一输入端子的信号和供应到第二输入端子的信号的比较结果的功能，并且该半导体装置具有通过降低从选择电路供应到背栅极的电位而降低从第一输出端子输出的电位的功能。
[0021]此外，在上述结构中，优选的是，还包括第四晶体管、第五晶体管以及电容器，第四晶体管的源极及漏极中的一个与第一输出端子电连接，第五晶体管的源极及漏极中的一个与第四晶体管的栅极电连接，电容器的一个电极与第四晶体管的栅极电连接，并且另一个电极与第一输出端子电连接。
[0022]此外，本专利技术的一个方式是一种蓄电系统，该蓄电系统包括上述半导体装置、存储装置以及二次电池，二次电池的正极与第一输入端子电连接，存储装置与第二输入端子电连接，存储装置具有保持供应到第二输入端子的信号的功能，并该蓄电系统具有根据供应到第一输入端子的信号和供应到第二输入端子的信号的比较结果而控制二次电池的充电及放电中的一个以上的功能。
[0023]专利技术效果
[0024]本专利技术的一个方式可以提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。此外，本专利技术的一个方式可以提供一种能够降低功耗的新颖的结构的比较电路、放大电路、电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。
[0025]注意，本专利技术的一个方式的效果不局限于上述列举的效果。上述列举的效果并不妨碍其他效果的存在。其他效果是下面记载的在本节中未说明的效果。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载导出并适当地抽出该在本节中未说明的效果。注意，本专利技术的一个方式至少具有上述列举的效果及/或其他效果中的一个效果。因此，本专利技术的一个方式有时不具有上述列举的效果。
附图说明
[0026]图1A及图1B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的工作方法，该半导体装置包括第一输出端子、第二输出端子、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，其中，所述第一晶体管具有背栅极，所述第一晶体管的源极及漏极中的一个与所述第二晶体管的源极及漏极中的一个及所述第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，所述第三晶体管的源极及漏极中的另一个与所述第一输出端子电连接，所述第二晶体管的源极及漏极中的另一个与所述第二输出端子电连接，所述半导体装置具有从所述第一输出端子及所述第二输出端子输出供应到所述第二晶体管的栅极的信号和供应到所述第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，所述工作方法包括如下步骤：所述背栅极被供应第一电位的第一步骤；以及所述背栅极被供应第二电位的第二步骤，并且，在所述第一步骤中从所述第一输出端子输出的电位低于在所述第二步骤中从所述第一输出端子输出的电位。2.根据权利要求1所述的半导体装置的工作方法，其中所述第一晶体管在沟道形成区域中包含氧化物半导体。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的工作方法，其中在第二步骤中流过所述第一晶体管的源极与漏极之间的电流低于在第一步骤中流过所述第一晶体管的源极与漏极之间的电流。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的工作方法，该半导体装置还包括第四晶体管、第五晶体管以及电容器，其中所述第四晶体管的源极及漏极中的一个与所述第一输出端子电连接，所述第五晶体管的源极及漏极中的一个与所述第四晶体管的栅极电连接，所述电容器的一个电极与所述第四晶体管的栅极电连接，另一个电极与所述第一输出端子电连接，并且在所述第一步骤及所述第二步骤中，所述第五晶体管处于关闭状态。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥圭，青木健，上妻宗广，池田隆之，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：