处理装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够检查和修理设置在大气中的被处理物的处理装置和一种适用于其的处理方法，所述处理装置包括：支撑部，所述支撑部设置在大气中且能够安置被处理物；腔部，所述腔部配置在支撑部的一侧且与被处理物相向的部分以开口的方式设置；第一发射部，所述第一发射部的至少一部分配置在腔部；第二发射部，所述第二发射部的至少一部分配置在腔部；检查部，所述检查部与第一发射部和第二发射部连接且用于检查被处理物的缺陷；及源供应部，所述源供应部与腔部连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源。积薄膜的源。积薄膜的源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理装置和方法


[0001]本专利技术涉及处理装置和方法。更具体地说，涉及能够检查和修理设置在大气中的被处理物的处理装置和方法。

技术介绍

[0002]在显示装置的制造中，基板上可能会产生各种缺陷。因此，在显示装置的制造中，可以进行检查缺陷的工艺和修理发现的缺陷的工艺。
[0003]扫描电子显微镜和聚焦离子束装置用于基板上形成的薄膜的图像生成、成分分析及切割等。扫描电子显微镜和聚焦离子束装置可以通过在基板上的薄膜注射带电粒子并收集从基板发射的二次粒子及X射线来构成在基板上形成的薄膜的图像并分析成分。此外，聚焦离子束装置可以通过在基板上的薄膜注射带电粒子来切割薄膜。
[0004]化学气相沉积修理装置用于修复在基板上形成的缺陷的工艺。化学气相沉积修理装置可以通过将金属源供应到基板的缺陷位置并照射激光而沉积薄膜来连接导电线的断开部位。
[0005]以往，使用各自不同的装置进行检查工艺和修复工艺，因此存在工艺生产性降低的问题。
[0006]本专利技术的
技术介绍
记载在以下专利文献中。
[0007](现有技术文献)
[0008](专利文献)
[0009](专利文献1)KR10
‑
2016
‑
0134235 A
[0010](专利文献2)KR10
‑
1680291 B1

技术实现思路

[0011]要解决的技术问题
[0012]本专利技术提供一种能够检查和修理设置在大气中的被处理物的处理装置和方法。
[0013]解决问题的方案
[0014]根据本专利技术实施方式的处理装置，其作为处理被处理物的处理装置，包括：支撑部，所述支撑部设置在大气中且能够安置被处理物；腔部，所述腔部配置在所述支撑部的一侧，并且与所述被处理物相向的部分以开口的方式设置；第一发射部，所述第一发射部的至少一部分配置在所述腔部；第二发射部，所述第二发射部的至少一部分配置在所述腔部；检查部，所述检查部与所述第一发射部和第二发射部连接且用于检查所述被处理物的缺陷；及源供应部，所述源供应部与所述腔部连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源。
[0015]所述腔部配置在所述支撑部的上侧，所述第一发射部和第二发射以贯通所述腔部的上部的方式配置，在所述腔部的下部可以形成有开口。
[0016]所述第一发射部和第二发射部朝向所述开口配置，所述源供应部以至少一部分贯通所述腔部的方式设置，喷射口可以倾斜地形成在所述开口的周边。
[0017]所述第一发射部和第二发射部能够向所述被处理物上发射粒子束。
[0018]所述第一发射部具备透射窗，所述第一发射部能够通过所述透射窗和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的电子和X射线，所述第二发射部具备孔，所述第二发射部能够通过所述孔和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射离子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的离子和X射线。
[0019]所述检查部可以利用由所述第一发射部和第二发射部中的至少一个所生成的被处理物的图像和成分信息来检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型。
[0020]可以包括控制部，所述控制部以能够根据所述被处理物的缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的方式，控制所述第二发射部和所述源供应部的运行。
[0021]所述腔部在内部具备真空室，所述真空室容纳有所述透射窗和孔，所述腔部的开口具有数十至数百微米的大小且能够围绕电子束和离子束的行进路径。
[0022]所述源供应部可以包括：源供应管，所述源供应管以贯通所述腔部的壁体的方式设置，并且所述喷射口朝向所述被处理物的一个表面开口；及源供应源，所述源供应源在内部存储用于沉积薄膜的源并连接在所述源供应管。
[0023]根据本专利技术实施方式的处理方法，其作为在大气中处理被处理物的方法，包括：设置在内部形成有真空的腔部的步骤；在与所述腔部相向的大气中设置被处理物的步骤；利用通过所述腔部发射的束获取所述被处理物的图像和成分信息的步骤；检查所述被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤；及利用通过所述腔部发射的束根据所述缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的步骤。
[0024]获取所述被处理物的图像和成分信息的步骤可以包括：由与所述腔部连接的第一发射部和第二发射部中的至少一个产生电子束和离子束中的至少一种的步骤；通过所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束和离子束中的至少一种的步骤；通过所述腔部的开口收集从所述被处理物发射的电子和离子中的至少一种及X射线的步骤；及利用所述电子和离子中的至少一种及X射线生成所述被处理物的图像和成分信息的步骤。
[0025]检查所述缺陷有无和缺陷类型的步骤可以包括：将所述被处理物的图像和成分信息与预先输入的基准信息进行比较，从而判断所述被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤。
[0026]切割所述薄膜的步骤可以包括：向所述薄膜的缺陷产生区域发射离子束而切割所述缺陷产生区域的步骤。
[0027]形成所述薄膜的步骤可以包括：通过连接在所述腔部的源供应管向所述薄膜的缺陷产生区域喷射用于沉积薄膜的气体的过程；及向所述缺陷产生区域发射离子束而沉积薄膜的步骤。
[0028]专利技术的效果
[0029]根据本专利技术的实施方式，在与内部形成有真空的腔部相向的大气中设置被处理物，可以利用通过腔部发射的束获取被处理物的图像和成分信息。此外，可以利用被处理物的图像和成分信息检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型，当发现被处理物的缺陷时，可以利用通过腔部发射的束而根据缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜。即，可以在不移动被处理物且不更换装置的情况下，被处理物的检查和修理能够在一系列
处理工艺中一次性完成。因此，能够节省被处理物的移动时间，能够提高处理工艺的生产性。
[0030]此外，根据本专利技术的实施方式，由于能够在大气中检查和修理例如基板等被处理物，因此可以利用一个处理装置处理大小不同的多个基板，还可以在大气中容易地处理具有在真空氛围中难以处理的材质的基板，例如柔性材质的基板。
附图说明
[0031]图1是根据本专利技术实施例的处理装置的示意图。
[0032]图2是用于说明根据本专利技术实施例的处理方法的图。
具体实施方式
[0033]以下，将参照附图详细说明本专利技术的实施例。然而，本专利技术不限于以下所公开的实施例，而是将以各种不同的形态体现。本专利技术的实施例只是使本专利技术的公开变得完整，并为了向本领域普通技术人员完整地告知专利技术的范围而提供。为了说明本专利技术的实施例，附图可能被夸大，且附图中的相同标记指称相同要素。
[0034]根据本专利技术实施例的处理装置和方法可以是大气压处理装置和方法。另一方面，后述的粒子束可以包括带电粒子束和中性粒子束。这里，带电粒子束可以包括正离子束、负离子束及电子束。正离子束和负离子束统称为离子束。中性粒子束可以包括原子束和中子束。另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理大气中的被处理物的处理装置，包括：支撑部，所述支撑部设置在大气中且能够安置被处理物；腔部，所述腔部配置在所述支撑部的一侧，并且与所述被处理物相向的部分以开口的方式设置；第一发射部，所述第一发射部的至少一部分配置在所述腔部；第二发射部，所述第二发射部的至少一部分配置在所述腔部；检查部，所述检查部与所述第一发射部和第二发射部连接且用于检查所述被处理物的缺陷；及源供应部，所述源供应部与所述腔部连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源。2.根据权利要求1所述的处理装置，其中，所述腔部配置在所述支撑部的上侧，所述第一发射部和第二发射以贯通所述腔部的上部的方式配置，在所述腔部的下部形成有开口。3.根据权利要求2所述的处理装置，其中，所述第一发射部和第二发射部朝向所述开口配置，所述源供应部以至少一部分贯通所述腔部的方式设置，喷射口倾斜地形成在所述开口的周边。4.根据权利要求1所述的处理装置，其中，所述第一发射部和第二发射部能够向所述被处理物上发射粒子束。5.根据权利要求1所述的处理装置，其中，所述第一发射部具备透射窗，所述第一发射部能够通过所述透射窗和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的电子和X射线，所述第二发射部具备孔，所述第二发射部能够通过所述孔和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射离子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的离子和X射线。6.根据权利要求5所述的处理装置，其中，所述检查部利用由所述第一发射部和第二发射部中的至少一个所生成的被处理物的图像和成分信息来检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型。7.根据权利要求6所述的处理装置，其中，包括控制部，所述控制部以能够根据所述被处理物的缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的方式，控制所述第二发射部和所述源供应部的运行。8.根据权利要求5所述的处理装置，其中，所述腔部在内部具备真空室，所述真空室容纳有所述透射...

【专利技术属性】
技术研发人员：成明俊，芮世熙，宋恩范，卞仁宰，李钟洙，
申请(专利权)人：查目科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：