一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，包括基于薄膜晶体管的前置放大电路，所述前置放大电路由第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4构成，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2组成了电流转换电压电路，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成了共源放大电路，所述电流转换电压电路将与光照强度相关的微弱电流转换为与光照强度相关的电压，并输出给所述共源放大电路，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出。本实用新型专利技术的有益效果是：采用薄膜晶体管作为光电探测器，提高了颜色传感器的灵敏度，可用于柔性面板，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器


[0001]本技术涉及颜色传感器，尤其涉及一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器。

技术介绍

[0002]传统的颜色传感器主要是基于光电二极管，是无源传感器,无内部增益，灵敏度较低。
[0003]因此，如何提高颜色传感器的灵敏度是本技术技术人员所亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器。
[0005]本技术提供了一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，包括基于薄膜晶体管的前置放大电路，所述前置放大电路由第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4构成，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2组成了电流转换电压电路，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成了共源放大电路，所述电流转换电压电路将与光照强度相关的微弱电流转换为与光照强度相关的电压，并输出给所述共源放大电路，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出给后端的逻辑计算单元，通过后端的逻辑计算单元计算后，将电压值计算成对应的RGB值，并通过标准输出接口输出。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述第一薄膜晶体管TFT1用于接收光照，其输入信号为光照强度。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述第一薄膜晶体管TFT1和第四薄膜晶体管TFT4均采用双栅薄膜晶体管。
[0009]作为本技术的进一步改进，第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3可以采用双栅薄膜晶体管，也可以采用普通的单栅薄膜晶体管。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述第一薄膜晶体管TFT1的顶栅极对应设置有滤光片，输入光（例如白光）经过所述滤光片的滤光后，由第一薄膜晶体管TFT1的顶栅极接收。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述第一薄膜晶体管TFT1的漏极连接电源电压，所述第一薄膜晶体管TFT1的源极与所述第二薄膜晶体管TFT2的漏极连接于A点，所述第二薄膜晶体管TFT2的源极接地，所述第三薄膜晶体管TFT3的漏极、栅极分别连接电源电压，所述第三薄膜晶体管TFT3的源极与所述第四薄膜晶体管TFT4的漏极连接于B点，B点用于输出电压，所述第四薄膜晶体管TFT4的源极接地，所述第四薄膜晶体管TFT4的底栅极与所述第二薄膜晶体管TFT2的栅极连接于A点，电流流经第二薄膜晶体管TFT2后，在A点产生一个与
光照强度正相关的电压，然后，将A点电压接入到第四薄膜晶体管TFT4的底栅极，而第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成的共源放大电路，让A点电压放大，放大后的电压信号从B点输出。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述第一薄膜晶体管TFT1的底栅极外加偏置电压，所述第四薄膜晶体管TFT4的顶栅极外加偏置电压。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述第四薄膜晶体管TFT4的宽长比大于所述第三薄膜晶体管TFT3的宽长比。
[0014]作为本技术的进一步改进，所述第四薄膜晶体管TFT4的宽长比与所述第三薄膜晶体管TFT3的宽长比的比例倍数介于10倍至100倍之间。
[0015]作为本技术的进一步改进，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3的宽长比相同。
[0016]作为本技术的进一步改进，输入光（例如白光）经过不同的滤光片滤光后，得到不同的颜色，而不同的颜色对应不同的前置放大电路。
[0017]本技术的有益效果是：通过上述方案，采用薄膜晶体管作为光电探测器，提高了颜色传感器的灵敏度，降低了成本。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的方案。
[0019]图1是本技术一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器的前置放大电路图。
[0020]图2是本技术一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器的前置放大电路图的仿真结构。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0023]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地
连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。
[0025]如图1至图2所示，一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，包括基于薄膜晶体管的前置放大电路，所述前置放大电路由第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4构成，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2组成了电流转换电压电路，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成了共源放大电路，所述电流转换电压电路将与光照强度相关的微弱电流转换为与光照强度相关的电压，并输出给所述共源放大电路，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出给后端的逻辑计算单元，通过后端的逻辑计算单元计算后，将电压值计算成对应的RGB值，并通过标准输出接口输出。
[0026]所述第一薄膜晶体管TFT1用于接收光照，其输入信号为光照强度。
[0027]所述第一薄膜晶体管TFT1和第四薄膜晶体管TFT4均采用双栅薄膜晶体管。
[0028]所述第一薄膜晶体管TFT1的顶栅极对应设置有滤光片，白光经过所述滤光片的滤光后，由第一薄膜晶体管TFT1的顶栅极接收。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，其特征在于：包括基于薄膜晶体管的前置放大电路，所述前置放大电路由第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4构成，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2组成了电流转换电压电路，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成了共源放大电路，所述电流转换电压电路将与光照强度相关的微弱电流转换为与光照强度相关的电压，并输出给所述共源放大电路，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出。2.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，其特征在于：所述第一薄膜晶体管TFT1用于接收光照，其输入信号为光照强度。3.根据权利要求2所述的基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，其特征在于：所述第一薄膜晶体管TFT1和第四薄膜晶体管TFT4均采用双栅薄膜晶体管。4.根据权利要求3所述的基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，其特征在于：所述第一薄膜晶体管TFT1的顶栅极对应设置有滤光片，输入光经过所述滤光片的滤光后，由第一薄膜晶体管TFT1的顶栅极接收。5.根据权利要求4所述的基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，其特征在于：所述第一薄膜晶体管TFT1的漏极连接电源电压，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴慧，
申请(专利权)人：深圳知微创新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：