本实用新型专利技术涉及硅片生产制造技术领域,公开一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备。该硅片湿法刻蚀用槽体结构包括槽体、溢流组件和调节螺栓,槽体内盛装有刻蚀溶液;溢流组件包括固定板和活动板,固定板设置于槽体的槽壁上,活动板上设置有容纳槽,活动板可上下活动地设置于容纳槽内,活动板上设置有轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔;调节螺栓能旋拧于第一螺纹孔内并抵接于容纳槽的槽底;或者容纳槽的槽底对应第一螺纹孔设置有第二螺纹孔,调节螺栓依次穿设于第一螺纹孔和第二螺纹孔内。所述硅片湿法刻蚀用槽体结构,结构简单,只需要旋拧调节螺栓即可实现活动板与固定板之间相对位置的调节,从而起到调节槽体内刻蚀溶液的液面高度的效果。的液面高度的效果。的液面高度的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备
[0001]本技术涉及硅片生产制造
,尤其涉及一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备。
技术介绍
[0002]太阳能电池主要是以半导体材料硅为基体,利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质,当掺入硼、磷等杂质时,硅晶体中就会存在着一个空穴,形成N型半导体;当掺入磷原子以后,硅晶体中就会有一个电子,形成P型半导体;P型半导体与N型半导体结合在一起形成PN结,当太阳光照射硅晶体后,PN结中N型半导体的空穴往P型区移动,而P型半导体的电子往N型区移动,从而形成N型区到P型区的电流,在PN结中形成电势差,这就形成了太阳能电池。太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。目前在单晶硅太阳能电池的制备工艺中,扩散工序是采取将两片硅片并列放置操作,由于气流的关系,不可避免地会在硅片的非扩散面边缘形成PN结,从而导致硅片短路。因此,需要在扩散后增加一步刻蚀工艺,将扩散工序中形成在硅片四周及背面的PN结去除,以使硅片上下表面隔断。
[0003]目前通常采用湿法刻蚀机对扩散后的硅片进行刻蚀,湿法刻蚀机包括机体,机体上设置有用于输送硅片的输送滚轮,在输送滚轮的下方沿硅片的移动方向依次设置有刻蚀槽、碱洗槽、清洗槽以及干燥槽,它是利用沾液方式来进行湿法刻蚀的,蚀刻槽内放置足量的刻蚀液体,使得放置于输送滚轮上的硅片漂浮在刻蚀液面上,刻蚀液对硅片的四周以及背面进行腐蚀。在对硅片进行刻蚀时,各个槽体内的液体的液面需要严格控制,如果液面过高,使得硅片完全浸入液体内会使硅片漂浮在液面上,输送滚轮起不到传送硅片的作用;如果液位过低,则无法对硅片的背面和四周进行刻蚀、碱洗及清洗的操作。在现有技术中,如图1所示,每个槽体内均设置有溢流板200,溢流板200通过连接螺栓300固定于槽体100的槽壁上,且溢流板200的上端设置有倾斜面。采用这种方式,连接螺栓300通常位于槽体100的底部,在需要调节溢流板200相对槽体100的高度时,需要操作人员先将槽体100内部的液体排出才能实现对溢流板200的调节,操作步骤比较繁琐,且会影响刻蚀效率。
[0004]因此,亟需提出一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备,以解决上述问题。
技术实现思路
[0005]基于以上所述,本技术的目的在于提供一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备,结构简单,方便调节。
[0006]为达上述目的,本技术采用以下技术方案:
[0007]一种硅片湿法刻蚀用槽体结构,包括:
[0008]槽体,所述槽体内盛装有刻蚀溶液;
[0009]溢流组件,包括固定板和活动板,所述固定板设置于所述槽体的槽壁上,所述固定板上设置有容纳槽,所述活动板可上下活动地设置于所述容纳槽内,所述活动板上设置有
轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔;
[0010]调节螺栓,所述调节螺栓能旋拧于所述第一螺纹孔内并抵接于所述容纳槽的槽底;或者所述容纳槽的槽底对应所述第一螺纹孔设置有第二螺纹孔,所述调节螺栓依次穿设于所述第一螺纹孔和所述第二螺纹孔内。
[0011]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述活动板的上表面与水平面平行。
[0012]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述活动板上沿其高度方向设置有刻度线。
[0013]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述调节螺栓的数量为多个,多个所述调节螺栓沿所述活动板的长度方向间隔排布,每个所述调节螺栓均对应一个所述第一螺纹孔。
[0014]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述固定板的宽度从上至下逐渐增加。
[0015]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述固定板可拆卸连接于所述槽体;或者
[0016]所述固定板焊接于所述槽体上。
[0017]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述槽体外还套设有溢流槽,所述溢流槽能承接从所述槽体内溢流的所述刻蚀溶液。
[0018]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述固定板和所述活动板均采用聚偏氟乙烯材质制成。
[0019]作为一种硅片湿法刻蚀用槽体结构的优选方案,所述溢流组件的数量为两个,两个所述溢流组件分别设置于所述槽体相对的两个槽壁上。
[0020]为达上述目的,本技术还提供一种湿法刻蚀设备,包括如以上任一方案所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构。
[0021]本技术的有益效果为:
[0022]本技术提供一种硅片湿法刻蚀用槽体结构,通过设置能相对滑动的固定板和活动板,固定板和活动板之间的相对移动可以起到调节槽体内刻蚀溶液的液面高度的效果;当需要调节固定板和活动板之间的相对位置时,只需要旋拧调节螺栓即可,简单方便,且由于调节螺栓从活动板的上方穿设于活动板和固定板,操作人员在对其进行调节时,不需要将槽体内部的刻蚀溶液排出,操作步骤简单、方便且快捷;此外,调节螺栓的顶部不会浸入刻蚀溶液中,操作人员在调节时不会接触到调节螺栓上残留的刻蚀溶液,减少了化学品腐蚀人身的风险性。
[0023]本技术还提供一种湿法刻蚀设备,通过应用上述的硅片湿法刻蚀用槽体结构,可以实现对槽体内部刻蚀溶液的液面高度的在线调节,不影响刻蚀工序的进行,刻蚀效率较高。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新
型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据本技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是现有技术提供的溢流板与槽体连接的结构示意图;
[0026]图2是本技术实施例提供的硅片湿法刻蚀用槽体结构的结构示意图。
[0027]图中:
[0028]100
‑
槽体;200
‑
溢流板;300
‑
连接螺栓;
[0029]1‑
槽体;
[0030]2‑
溢流组件;21
‑
固定板;211
‑
容纳槽;22
‑
活动板;
[0031]3‑
调节螺栓。
具体实施方式
[0032]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术,而非对本技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0033]在本技术的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片湿法刻蚀用槽体结构,其特征在于,包括:槽体(1),所述槽体(1)内盛装有刻蚀溶液;溢流组件(2),包括固定板(21)和活动板(22),所述固定板(21)设置于所述槽体(1)的槽壁上,所述固定板(21)上设置有容纳槽(211),所述活动板(22)可上下活动地设置于所述容纳槽(211)内,所述活动板(22)上设置有轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔;调节螺栓(3),所述调节螺栓(3)能旋拧于所述第一螺纹孔内并抵接于所述容纳槽(211)的槽底;或者所述容纳槽(211)的槽底对应所述第一螺纹孔设置有第二螺纹孔,所述调节螺栓(3)依次穿设于所述第一螺纹孔和所述第二螺纹孔内。2.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构,其特征在于,所述活动板(22)的上表面与水平面平行。3.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构,其特征在于,所述活动板(22)上沿其高度方向设置有刻度线。4.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构,其特征在于,所述调节螺栓(3)的数量为多个,多个所述调节螺栓(3)沿所述活动板(22)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:易书令,唐步玉,姜大俊,
申请(专利权)人:盐城阿特斯阳光能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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