本发明专利技术公开了一种钳位电路及DDR PHY电路。钳位电路包括钳位模块和电压供给模块，电压供给模块用于给钳位模块的第一输入端和钳位模块的第二输入端供给电压，以使得钳位模块在电源VDD上电的过程中具有第一状态和第二状态；在第一状态下，钳位模块的第一晶体管和第二晶体管均处于导通状态，第二状态存在于第一状态之后，在第二状态下，钳位模块的第一晶体管和第二晶体管均处于截止状态。本发明专利技术能有效解决DDR PHY IO在上电时功耗异常的问题。IO在上电时功耗异常的问题。IO在上电时功耗异常的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种钳位电路及DDR PHY电路
[0001]本专利技术属于存储器
，更具体地，涉及一种钳位电路及DDR PHY电路。
技术介绍
[0002]近几年，云计算、5G、物联网、人工智能等产业的迅速发展使得对内存的需求大增。作为内存技术的关键模块，DDR PHY的市场需求也在高速增长。DDR PHY是DRAM和内存控制器通信的桥梁，其负责把内存控制器发过来的数据转换成符合DDR协议的信号，并发送到DRAM；相反地，其也负责把DRAM发送过来的数据转换成符合DFI协议的信号并发送给内存控制器。
[0003]DDR PHY IO在上电(power up)时，DDR PHY内部的功能模块还没有进入正常工作状态，因此，IO处于不确定的状态，部分的IO可能会开启并具有驱动能力，导致IO上产生很大的功耗，进而导致电源上电速度慢，严重情形下甚至会导致电源上电异常。此外，IO处于不确定状态时，其与内存颗粒的连接不可控，容易导致颗粒初始化异常。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种钳位电路及DDR PHY电路，在上电时对DDR PHY的IO电位进行钳位，以确认IO口的状态，能有效解决DDR PHY IO在上电时功耗异常的问题。
[0005]为实现上述目的，按照本专利技术的一个方面，提供了一种钳位电路，包括钳位模块和电压供给模块；钳位模块包括第一晶体管、第一反相器、第二晶体管和第二反相器；第一晶体管的第一端用于连接电源VDD，第一晶体管的第二端连接第一反相器的输出端和第二反相器的输入端，第二晶体管的第一端用于接地，第二晶体管的第二端连接第一反相器的输入端和第二反相器的输出端；第一晶体管的第二端、第一反相器的输出端以及第二反相器的输入端的公共端作为钳位模块的第一输出端，第二晶体管的第二端、第一反相器的输入端以及第二反相器的输出端的公共端作为钳位模块的第二输出端，第一晶体管的控制端作为钳位模块的第一输入端，第二晶体管的控制端作为钳位模块的第二输入端；电压供给模块用于给钳位模块的第一输入端和钳位模块的第二输入端供给电压，以使得钳位模块在所述电源VDD上电的过程中具有第一状态和第二状态；在第一状态下，第一晶体管和第二晶体管均处于导通状态，第二状态存在于第一状态之后，在第二状态下，第一晶体管和第二晶体管均处于截止状态
[0006]在一些实施方式中，电压供给模块包括第三晶体管、第一电阻、第三反相器、第四反相器和第五反相器；第三晶体管的第一端用于连接电源，第三晶体管的第二端连接第三反相器的输入端和第一电阻的第一端，第三晶体管的控制端连接第三晶体管的第二端，第一电阻的第二端用于接地，第三反相器的输出端连接第四反相器的输入端，第四反相器的输出端连接钳位模块的第一输入端，用于为第一晶体管的控制端提供电压，第四反相器的输出端还连接第五反相器的输入端，第五反相器的输出端连接钳位模块的第二输入端，用
于为第二晶体管的控制端提供电压。
[0007]在一些实施方式中，该钳位电路还包括电压检测模块，电压检测模块用于检测电源VDD的电压，并在电源VDD的电压大于预设阈值时，使电压供给模块提供正确的电压。
[0008]在一些实施方式中，电压检测模块包括第四晶体管、第五晶体管、检测阈值调节模块和第二电阻；第四晶体管的第一端用于连接电源VDD，第四晶体管的第二端连接检测阈值调节模块的第一端，第五晶体管的第一端用于连接电源VDD，第五晶体管的第二端连接第三晶体管的控制端，第四晶体管的控制端连接第五晶体管的控制端和第四晶体管的第二端，检测阈值调节模块的第二端连接第二电阻的第一端，第二电阻的第二端用于接地，检测阈值调节模块的控制端用于连接电源VDD。
[0009]在一些实施方式中，检测阈值调节模块包括一个晶体管或者包括多个串联的晶体管。
[0010]在一些实施方式中，检测阈值调节模块包括第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；第六晶体管的第一端构成检测阈值调节模块的第一端，第六晶体管的第二端连接第七晶体管的第一端，第七晶体管的第二端连接第八晶体管的第一端，第八晶体管的第二端构成检测阈值调节模块的第二端，第六晶体管的控制端、第七晶体管的控制端以及第八晶体管的控制端连接，构成检测阈值调节模块的控制端。
[0011]在一些实施方式中，第一电阻和第二电阻的阻值比为m:1，其中，m＞1；第四晶体管和第五晶体管的沟道宽长比的比值为1:N，其中，N＞1。
[0012]在一些实施方式中，在电源VDD上电完成达到稳定电压时，钳位模块处于第二状态。
[0013]根据本专利技术的另一方面，提供了一种DDR PHY电路，包括上述钳位电路，钳位电路用于在电源VDD上电时对DDR PHY电路的IO口电位进行钳位。
[0014]在一些实施方式中，该DDR PHY电路还包括驱动器，驱动器的第一输入端连接钳位模块的第一输出端，驱动器的第二输入端连接钳位模块的第二输出端，驱动器的输出端连接IO口。
[0015]总体而言，通过本专利技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：在DDR PHY的驱动器(Driver)前添加钳位(Latch)模块，在上电时对IO电位进行钳位，以确认IO口电位，避免由于IO口状态不确定导致的上电功耗异常等问题；通过栅(gate)电压供给模块为钳位模块的晶体管提供稳定的栅压，使对应的晶体管在上电时短暂导通，以使得上电过程中Latch的IO电平为期望的已知状态；通过增设电压检测模块，检测电源电压，并在电源电压大于某个阈值时，使得电压供给模块中的反相器能够正常翻转，为钳位模块中的晶体管提供期望的栅压，确保上电完成后gate信号不会影响到IO的正常工作。
附图说明
[0016]图1是本专利技术实施例的DDR PHY电路结构示意图；
[0017]图2是本专利技术实施例的电压供给模块的结构示意图；
[0018]图3是图2所示的电压供给模块在瞬态响应下的正常输出电压曲线；
[0019]图4是图2所示的电压供给模块在瞬态响应下的异常输出电压曲线；
[0020]图5是本专利技术另一实施例的电压供给模块的结构示意图；
[0021]图6是本专利技术又一实施例的电压供给模块的结构示意图；
[0022]图7是图6所示的电压供给模块在瞬态响应下的输出电压曲线。
具体实施方式
[0023]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。正如本领域技术人员可以认识到的那样，在不脱离本申请的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0024]为了避免DDR PHY IO口电平在上电时处于不确定状态，在Driver前添加一个确立上电时IO电位的钳位模块，十分有必要。如图1所示，本专利技术实施例的DDR PHY电路包括驱动器101和钳位模块102。驱动本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钳位电路，其特征在于，包括钳位模块和电压供给模块；所述钳位模块包括第一晶体管、第一反相器、第二晶体管和第二反相器；所述第一晶体管的第一端用于连接电源VDD，所述第一晶体管的第二端连接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端，所述第二晶体管的第一端用于接地，所述第二晶体管的第二端连接所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端；所述第一晶体管的第二端、所述第一反相器的输出端以及所述第二反相器的输入端的公共端作为所述钳位模块的第一输出端，所述第二晶体管的第二端、所述第一反相器的输入端以及所述第二反相器的输出端的公共端作为所述钳位模块的第二输出端，所述第一晶体管的控制端作为所述钳位模块的第一输入端，所述第二晶体管的控制端作为所述钳位模块的第二输入端；所述电压供给模块用于给所述钳位模块的第一输入端和所述钳位模块的第二输入端供给电压，以使得所述钳位模块在所述电源VDD上电的过程中具有第一状态和第二状态；在所述第一状态下，所述第一晶体管和所述第二晶体管均处于导通状态，所述第二状态存在于所述第一状态之后，在所述第二状态下，所述第一晶体管和所述第二晶体管均处于截止状态。2.如权利要求1所述的钳位电路，其特征在于，所述电压供给模块包括第三晶体管、第一电阻、第三反相器、第四反相器和第五反相器；所述第三晶体管的第一端用于连接电源，所述第三晶体管的第二端连接所述第三反相器的输入端和所述第一电阻的第一端，所述第三晶体管的控制端连接所述第三晶体管的第二端，所述第一电阻的第二端用于接地，所述第三反相器的输出端连接所述第四反相器的输入端，所述第四反相器的输出端连接所述钳位模块的第一输入端，用于为所述第一晶体管的控制端提供电压，所述第四反相器的输出端还连接所述第五反相器的输入端，所述第五反相器的输出端连接所述钳位模块的第二输入端，用于为所述第二晶体管的控制端提供电压。3.如权利要求1所述的钳位电路，其特征在于，还包括电压检测模块，所述电压检测模块用于检测所述电源VDD的电压，并在所述电源VDD的电压大于预设阈值时，使所述电压供给模块提供正确的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高专，徐彬，
申请(专利权)人：芯动科技珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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