一种转接板的测试方法技术

本发明专利技术提供一种转接板的测试方法，所述转接板的测试方法包括：在电极层背离载台的一侧设置介质层；将测试转接板放置在介质层上；采用电容测试装置测试电极层和每个第一测试凸块之间的测试电容；采用电容测试装置获取电极层和每个第二测试凸块之间的测试电容；根据电极层和第一测试凸块之间的测试电容、以及电极层和第二测试凸块之间的测试电容获取测试转接板的测试电容平均值和测试电容标准差；若测试电容标准差小于或等于第一阈值，则测试转接板通过测试，将测试电容平均值作为测试转接板的电容基准值，利用测试转接板的电容基准值对转接板进行测试。本发明专利技术的测试方法简化了测试手段，提高了测试效率，降低了测试成本，有利于进行规模化测试。进行规模化测试。进行规模化测试。

【技术实现步骤摘要】
一种转接板的测试方法


[0001]本专利技术涉及集成电路测试
，具体涉及一种转接板的测试方法。

技术介绍

[0002]过去几十年中，电子器件一直遵循摩尔定律通过减小加工线宽提高器件性能。但是，当工艺尺寸到达9nm甚至更小以后摩尔定律开始难以为继。半导体行业发展的重点逐渐转移到小型化、多功能的微系统上，即所谓的超越摩尔路线，硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术是实现微系统小型化的关键。通过对芯片进行减薄和刻蚀，形成硅通孔以实现上下层芯片的互联，这可以缩短芯片间的互联线，实现高速、低功耗和小面积的要求。
[0003]然而当前的硅通孔转接板技术还未完全成熟，在制备过程中可能由于工艺原因而形成绝缘层完整性缺损(表现为漏电流过大或陡增)、凸点开路等故障，硅通孔转接板质量不合格会导致堆叠后的芯片无法正常工作。基于硅通孔转接板的先进封装结构对硅通孔转接板本身的可靠性要求较高，因此需要对硅通孔转接板进行测试，以确保硅通孔转接板的导电通孔以及重新布线层的良率。
[0004]现阶段主流硅通孔转接板测试方法为晶圆探针电阻法测试。由于晶圆探针电阻法测试需要同时对硅通孔转接板的正反面进行测试，解决方案包括使用导线将背面凸点引出进行测试，或者将硅通孔转接板悬空后用探针接触两端进行测试。如果使用导线将背面凸点引出，操作手段繁琐，测试效率极低，无法进行大规模测试；如果将硅通孔转接板悬空，则由于硅通孔转接板很薄，容易发生翘曲甚至碎裂，导致硅通孔转接板的损耗，提高测试成本。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术难以兼顾测试效率和测试成本的缺陷，进而提供一种转接板的测试方法。
[0006]本专利技术提供一种转接板的测试方法，包括：提供载台和测试转接板，所述测试转接板的一侧具有若干第一测试凸块，所述测试转接板的另一侧具有若干第二测试凸块，所述测试转接板中具有连接所述第一测试凸块和所述第二测试凸块的导电连接件；在所述载台上设置电极层；在所述电极层背离所述载台的一侧设置介质层；将所述测试转接板放置在所述介质层上，所述第二测试凸块朝向所述介质层；采用电容测试装置测试所述电极层和每个所述第一测试凸块之间的测试电容；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第一测试凸块之间的测试电容之后，将所述测试转接板上下翻转放置在所述介质层上，使所述第一测试凸块朝向所述介质层；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第二测试凸块之间的测试电容；根据所述电极层和第一测试凸块之间的测试电容、以及所述电极层和第二测试凸块之间的测试电容获取测试转接板的测试电容平均值和测试电容标准差；若所述测试电容标准差小于或等于第一阈值，则所述测试转接板通过测试，将所述测试电容平均值作为所述测试转接板的电容基准值，利用所述测试转接板的电容基准值对转接板进
行测试。
[0007]可选的，所述测试转接板包括第一测试区域至第N测试区域，N为大于或等于2的整数；任意一个第k测试区域的一侧均具有若干第一测试凸块；k为小于或等于N的正整数；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第一测试凸块之间的测试电容的步骤包括：获取第一测试区域一侧的每个所述第一测试凸块和所述电极层之间的电容、至第N测试区域一侧的每个所述第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第二测试凸块之间的测试电容的步骤包括：获取第一测试区域另一侧的每个所述第二测试凸块和所述电极层之间的电容、至第N测试区域另一侧的每个所述第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容；根据所述电极层和第一测试凸块之间的测试电容、以及所述电极层和第二测试凸块之间的测试电容获取测试转接板的测试电容平均值和测试电容标准差的步骤包括：根据第k测试区域一侧的每个第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容、第k测试区域另一侧的每个第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容获取第k测试区域的测试电容平均值，所述第k测试区域的测试电容平均值为第k测试区域一侧的每个第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容、与第k测试区域另一侧的每个第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容的平均值；根据第k测试区域一侧的每个第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容、第k测试区域另一侧的每个第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容、以及第k测试区域的测试电容平均值获取第k测试区域电容标准差；若所述第k测试区域电容标准差小于或等于第一阈值，则第k测试区域通过测试，将所述第k测试区域电容平均值作为第k测试区域的电容基准值；若所述第k测试区域电容标准差大于第一阈值，则第k测试区域未通过测试。
[0008]可选的，还包括：若所述测试转接板的任意一个第k测试区域均通过测试，则所述测试转接板通过测试；若所述测试转接板的任意一个第k测试区域未通过测试，则所述测试转接板未通过测试；若所述测试转接板未通过测试，则更换所述测试转接板，直至更换后的所述测试转接板通过测试。
[0009]可选的，利用所述测试转接板的电容基准值对转接板进行测试的步骤包括：提供转接板，所述转接板包括第一区域至第N区域；任意一个第k区域的一侧均具有若干第一凸块，任意一个第k区域的另一侧均具有若干第二凸块；将所述转接板放置在所述介质层上，所述第二凸块朝向所述介质层，或者所述第一凸块朝向所述介质层；采用电容测试装置获取第一区域一侧的每个所述第一凸块和所述电极层之间的电容、至第N区域一侧的每个所述第一凸块和所述电极层之间的电容；或者，采用电容测试装置获取第一区域另一侧的每个所述第二凸块和所述电极层之间的电容、至第N区域另一侧的每个所述第二凸块和所述电极层之间的电容；当第k区域的任意一个所述第一凸块和所述电极层之间的电容与所述第k测试区域的测试电容平均值的差值的绝对值除以所述第k测试区域的测试电容平均值得到的比值均小于或等于第二阈值，或者，当第k区域的任意一个所述第二凸块和所述电极层之间的电容与所述第k测试区域的测试电容平均值的差值的绝对值除以所述第k测试区域的测试电容平均值得到的比值均小于或等于第二阈值时，则第k区域通过测试；当第k区域的任意一个所述第一凸块和所述电极层之间的电容与所述第k测试区域的测试电容平均值的差值的绝对值除以所述第k测试区域的测试电容平均值得到的比值大于第二阈值，或者，当第k区域的任意一个所述第二凸块和所述电极层之间的电容与所述第k测试区域的测
试电容平均值的差值的绝对值除以所述第k测试区域的测试电容平均值得到的比值大于第二阈值时，则所述第k区域未通过测试。
[0010]可选的，对于第k区域的任意一个第一凸块与所述电极层，或者，对于第k区域的任意一个第二凸块与所述电极层，当获取的电容与所述第k测试区域的测试电容平均值的差值的绝对值除以所述第k测试区域的测试电容平均值得到的比值大于第二阈值，且获取的电容大于所述第k测试区域的测试电容平均值时，则判断为所述第一凸块或所述第二凸块短路；当获取的电容与所述第k测试区域的测试电容平均值的差值的绝对值除以所述第k测试区域的测试电容平均值得到的比值大于第二阈值，且获取的电容小于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转接板的测试方法，其特征在于，包括：提供载台和测试转接板，所述测试转接板的一侧具有若干第一测试凸块，所述测试转接板的另一侧具有若干第二测试凸块，所述测试转接板中具有连接所述第一测试凸块和所述第二测试凸块的导电连接件；在所述载台上设置电极层；在所述电极层背离所述载台的一侧设置介质层；将所述测试转接板放置在所述介质层上，所述第二测试凸块朝向所述介质层；采用电容测试装置测试所述电极层和每个所述第一测试凸块之间的测试电容；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第一测试凸块之间的测试电容之后，将所述测试转接板上下翻转放置在所述介质层上，使所述第一测试凸块朝向所述介质层；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第二测试凸块之间的测试电容；根据所述电极层和第一测试凸块之间的测试电容、以及所述电极层和第二测试凸块之间的测试电容获取测试转接板的测试电容平均值和测试电容标准差；若所述测试电容标准差小于或等于第一阈值，则所述测试转接板通过测试，将所述测试电容平均值作为所述测试转接板的电容基准值，利用所述测试转接板的电容基准值对转接板进行测试。2.根据权利要求1所述的转接板的测试方法，其特征在于，所述测试转接板包括第一测试区域至第N测试区域，N为大于或等于2的整数；任意一个第k测试区域的一侧均具有若干第一测试凸块；k为小于或等于N的正整数；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第一测试凸块之间的测试电容的步骤包括：获取第一测试区域一侧的每个所述第一测试凸块和所述电极层之间的电容、至第N测试区域一侧的每个所述第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容；采用电容测试装置获取所述电极层和每个所述第二测试凸块之间的测试电容的步骤包括：获取第一测试区域另一侧的每个所述第二测试凸块和所述电极层之间的电容、至第N测试区域另一侧的每个所述第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容；根据所述电极层和第一测试凸块之间的测试电容、以及所述电极层和第二测试凸块之间的测试电容获取测试转接板的测试电容平均值和测试电容标准差的步骤包括：根据第k测试区域一侧的每个第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容、第k测试区域另一侧的每个第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容获取第k测试区域的测试电容平均值，所述第k测试区域的测试电容平均值为第k测试区域一侧的每个第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容、与第k测试区域另一侧的每个第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容的平均值；根据第k测试区域一侧的每个第一测试凸块和所述电极层之间的测试电容、第k测试区域另一侧的每个第二测试凸块和所述电极层之间的测试电容、以及第k测试区域的测试电容平均值获取第k测试区域电容标准差；若所述第k测试区域电容标准差小于或等于第一阈值，则第k测试区域通过测试，将所述第k测试区域电容平均值作为第k测试区域的电容基准值；若所述第k测试区域电容标准差大于第一阈值，则第k测试区域未通过测试。3.根据权利要求2所述的转接板的测试方法，其特征在于，还包括：若所述测试转接板的任意一个第k测试区域均通过测试，则所述测试转接板通过测试；
若所述测试转接板的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿敏敏，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：