本发明专利技术公开一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法，本方法针对对个对照试验组进行不同条件的写入后，模拟NAND Flash的最大保存时间，然后进行不同条件的读取，从而判断各种条件下错误数是否仍在可纠错范围内，防止重要数据丢失，判断出各种条件下的错误情况后，为后续的读写提供指导，避免错误数超过可纠错范围。可纠错范围。可纠错范围。
【技术实现步骤摘要】
一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法
[0001]本专利技术涉及一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法，属于存储器
技术介绍
[0002]NAND Flash是非易失性存储器，掉电数据不丢失，体积小，可以实现廉价高效的大容量存储，因此受到广泛应用。
[0003]一般而言，一片NAND Flash是由许多块（Block）组成，每个块（Block）包含许多字线（Word line），每个字线（Word line）包含若干页（Page）。用户可以对NAND Flash进行擦除（Erase）、写入（Write）和读取（Read）操作，其中，块（Block）一般是擦除操作的最小寻址单元，字线（Word line）一般是写入操作的最小寻址单元，页（Page）一般是读取操作的最小寻址单元。
[0004]NAND Flash由于内部原理和制作工艺限制，数据保存时间越久越容易出现位（Bit）反转，即写入的数据在读出时有些位由1变0，有些位由0变1。即读取时的数据与写入数据不一致。
[0005]NAND Flash写入方式一般分为TLC和SLC方式写入，其中以SLC方式写入，对同一Block而言存入数据量少，但稳定性高；以TLC方式写入反之。有些重要数据是以SLC方式写入NAND Flash。
[0006]但是，某些NAND Flash在芯片初期SLC和TLC Block的数据保存时间可以达到室温下5年之久。因此，我们需要提供一种快速可靠的，针对NAND Flash 最大保存时长错误数的分析方法，判断各种条件下错误数是否仍在可纠错范围内，防止重要数据丢失。
技术实现思路
[0007]本专利技术要解决的技术问题是提供一种针对NAND Flash最大保存时长错误数的分析方法，判断最大保存时长各种条件下错误数是否仍在可纠错范围内，防止重要数据丢失。
[0008]为了解决所述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种针对NAND Flash最大保存时长错误数的分析方法，包括以下步骤：S01）、选取NAND Flash的多个Block，根据NAND Flash手册确定其使用时的写入方式；S02）、按照步骤S01）确定的写入方式，对选取的Block根据不同磨损程度、不同写入量进行擦除写入，并进行分组，形成不同的对照试验组；S03）、在室温下，对步骤S02）形成的对照试验组正常擦除写入一次，写入量与步骤S02）相同；S04）、数据写入完成后断电开始保存，数据保存条件为温箱高温离线保存，保存温度在80
°
C 到100
°
C之间，保存时间按照手册给定的40℃保存时长计算得出；S05）、Block按照步骤S04）计算的高温保存时间保存后，降至室温，然后将Block放
入治具中，在常温下稳定后，使用默认电压轴（0,0,0,0,0,0,0）和NAND Flash厂商提供的所有读循环电压轴进行重复读取，获取所有Block的比特出错概率信息；S06）、在每个对照试验组的各字线中选定一定数量的字节，统计这些字节正常读取和重复读取的位反转情况；S07）、分析不同读取次数的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取；S08）、分析不同磨损程度的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取；S09）、分析不同写入量的比特出错概率信息情况，其他条件为生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴、第n次读取，n由步骤S07）得出S10）、分析不同读取电压轴的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最大保存时长、第n次读取，n由步骤S07）得出。
[0009]进一步的，步骤S05）使用默认电压轴（0,0,0,0,0,0,0）和NAND Flash厂商提供的所有读循环电压轴进行重复读取时，使用一个电压轴读取三次，每次间隔0.8
‑
1.5秒，分别记录比特出错概率信息信息；一个电压轴读取完后，间隔25
‑
35分钟再读取下一个电压轴。
[0010]进一步的，按照手册给定的40℃保存时长计算得出高温保存时间的公式为：AF = exp(EA/kB*(1/Tnow
‑
1/T
40℃
))，其中，exp表示以自然常数e为底的指数函数，Ea为1.0~1.1eV，kB为波尔兹曼常数，Tnow为高温保存Block的开尔文温度，T
40℃
为40℃对应的开尔文温度，高温保存时间等于40℃保存时长除以温度加速系数。
[0011]进一步的，每个对照试验组的Block数量为100。
[0012]进一步的，步骤S06）中，在每个对照试验组的各字线中选定4千字节，统计这些字节正常读取和重复读取的位反转情况。
[0013]进一步的，步骤S04中，断电保存温度最高不超过NAND手册上的最大保存温度，高温保存时间按照手册给定的40℃保存时长除以温度加速系数计算得出。具体的，断电保存温度为110
°
C，保存时间为2.1天本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种快速可靠的，针对NAND Flash 最大保存时长错误数的分析方法，判断各种条件下错误数是否仍在可纠错范围内，防止重要数据丢失。判断出各种条件下的错误情况后，为后续的读写提供指导，避免错误数超过可纠错范围。
附图说明
[0014]图1为本方法实施的具体流程图；图2为不同读取次数、写入量100%、生命末期（磨损程度PE30K）、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取，各WL每4千字节的最大位反转情况示意图；图3为不同读取次数、写入量100%、磨损程度PE10K、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取，各WL每4千字节的最大位反转情况示意图；图4为对比分析不同写入量的BER情况示意图，其他条件为生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴、第2次读取；图5为对比分析不同读取电压轴的BER情况示意图，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最大保存时长、第2次读取。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的说明。
[0016]实施例1本实施例公开一种针对NAND Flash最大保存时长错误数的分析方法，如图1所示，包括以下步骤：S01）、选取一定数量的Block，首先根据NAND Flash手册确定其使用时的写入方式，一般分为TLC和SLC方式写入。因重要数据是以SLC方式写入NAND Flash，故下面测试SLC方式写入；S02）、按照S01)确定的写入方式，根据不同磨损程度（PE）、不同写入量进行擦除写入(PE)，并进行分组；比如，一级分组时根据写入量分为i个一级分组，二级分组时，按照一级分组的写入量，根据磨损程度（PE）将NAND Flash再分为j个二级分组，共得到i*j个对照试验组。
[0017]具体的，一级分组时，将NA本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种针对NAND Flash最大保存时长错误数的分析方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选取NAND Flash的多个Block，根据NAND Flash手册确定其使用时的写入方式；S02）、按照步骤S01）确定的写入方式，对选取的Block根据不同磨损程度、不同写入量进行擦除写入，并进行分组，形成不同的对照试验组；S03）、在室温下，对步骤S02）形成的对照试验组正常擦除写入一次，写入量与步骤S02）相同；S04）、数据写入完成后断电开始保存，数据保存条件为温箱高温离线保存，保存温度在80
°
C 到100
°
C之间，保存时间按照手册给定的40℃保存时长计算得出；S05）、Block按照步骤S04）计算的高温保存时间保存后，降至室温，然后将Block放入治具中，在常温下稳定后，使用默认电压轴（0,0,0,0,0,0,0）和NAND Flash厂商提供的所有读循环电压轴进行重复读取，获取所有Block的比特出错概率信息；S06）、在每个对照试验组的各字线中选定一定数量的字节，统计这些字节正常读取和重复读取的位反转情况；S07）、分析不同读取次数的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取；S08）、分析不同磨损程度的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取；S09）、分析不同写入量的比特出错概率信息情况，其他条件为生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴、第n次读取，n由步骤S07）得出S10）、分析不同读取电压轴的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋书斌，曹成，李瑞东，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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