本实用新型专利技术公开了一种链式涂源装置，用于在硅片表面涂覆一层掺杂源，包括若干根用于传送硅片的传动轴、贯穿传动轴的沉积腔室、第一槽体及第二槽体；所述沉积腔室的顶部设置有喷头，所述沉积腔室的底部设置有负压风机；所述沉积腔室的两侧沿硅片行进方向设置有开口；所述第一槽体设置在第二槽体的内部，所述第二槽体的底部设置有多个超声波雾化器。本实用新型专利技术的链式涂源装置提高了掺杂源涂覆的均匀性；涂源过程不与硅片表面接触，降低了硅片划伤率；本实用新型专利技术的链式涂源装置配合链式退火装置，适合任何尺寸硅片，实现了链式扩散吸杂的大规模生产；本实用新型专利技术的链式涂源装置配合链式退火装置和激光掺杂装置，实现激光掺杂SE电池的制作。制作。制作。
【技术实现步骤摘要】
一种链式涂源装置及扩散系统
[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种链式涂源装置及扩散系统。
技术介绍
[0002]目前，太阳能电池片为了追求更高的转换效率，其规格越来越向大尺寸电池片的方向发展，导致太阳能电池扩散工序所用的扩散炉炉管的管径变大，炉管空间的增加所带来的问题也越来越明显。扩散炉管的密封性变差，扩散工艺的调试难度也随之加大，使得位于炉管不同位置的硅片的扩散效果差异增大，以及单片硅片的扩散均匀性变差，最终导致太阳能电池的转换效率降低，一致性变差。
[0003]此外，现有的管式扩散需要自动化设备装卸硅片，大大增加了生产成本，无法实现大规模的连续化生产，而且自动化设备还会带来硅片碎片率增加和划伤率增加的风险。
技术实现思路
[0004]专利技术目的：本技术的目的是提出一种链式涂源装置，能够提高硅片表面掺杂源的均匀性，改善硅片的扩散均匀性，能够实现大规模的产业化连续生产。
[0005]本技术的另一目的是提出一种扩散系统。
[0006]技术方案：本技术所采用如下技术方案：
[0007]一种链式涂源装置，用于在硅片表面涂覆一层掺杂源，包括若干根用于传送硅片的传动轴、贯穿传动轴的沉积腔室、第一槽体及第二槽体；所述沉积腔室的顶部设置有喷头，所述沉积腔室的底部设置有负压风机；所述沉积腔室的两侧沿硅片行进方向设置有开口；
[0008]所述第一槽体设置在第二槽体的内部，所述第二槽体的底部设置有多个超声波雾化器；所述第一槽体用于盛放掺杂源溶液，所述第二槽体用于盛放水溶液；
[0009]所述第一槽体通过管路连接所述喷头；所述超声波雾化器将第一槽体内的掺杂源转换成雾滴状后通过喷头喷涂在硅片表面。
[0010]优选的，所述喷头同所述负压风机的进气口位置上下对应。
[0011]优选的，所述沉积腔室两侧的开口处设置有风幕机。
[0012]优选的，所述喷头可根据硅片的尺寸和数量设置多个。
[0013]优选的，所述喷头与硅片之间的距离可调，用于控制掺杂源的喷涂厚度和喷涂面积。
[0014]优选的，所述喷头位于装置出口的一侧设置有烘干模块，用于烘干硅片表面的掺杂源。
[0015]优选的，所述喷头位于装置入口的一侧设置有第一传感器，所述第一传感器感应到硅片时，所述超声波雾化器开始工作，第一槽体内的掺杂源溶液转换成雾滴状，通过喷头将雾滴状掺杂源喷涂在硅片表面。
[0016]优选的，所述第一槽体内部还设置有第二传感器，所述第二传感器用于感应第一
槽体内掺杂源溶液的液位。
[0017]本技术还提供了一种扩散系统，包括上述链式涂源装置，以及链式退火装置，所述链式涂源装置用于硅片表面涂覆一层掺杂源，所述链式退火装置用于对硅片表面涂覆的掺杂源进行高温推进。
[0018]本技术还提供了一种扩散系统，包括上述链式涂源装置，以及链式退火装置和激光掺杂装置；所述链式涂源装置用于在硅片表面涂覆一层掺杂源，所述链式退火装置用于对硅片表面涂覆的掺杂源进行高温推进，所述激光掺杂装置用于对硅片进行激光掺杂制备SE电池。
[0019]本技术的链式涂源装置工作时，硅片通过传动轴向前传送，当第一感应器感应到硅片时，控制系统将信号传送给位于第二槽体底部的超声波雾化器，超声波雾化器开启工作将第一槽体内的掺杂源转换成雾滴状，雾滴状的掺杂源充满管道输送至沉积腔室顶部的喷头，沉积腔室底部的负压风机开启带动雾滴状的掺杂源向下流动，将雾滴状的掺杂源喷涂在硅片上表面，实现硅片表面涂覆掺杂源的过程。喷涂时，负压风机使得沉积腔室内部呈负压状态，雾滴状的掺杂源沿着风向向下运行，提高喷涂的均匀性。表面涂覆有掺杂源的硅片通过传动轴继续向前传送至烘干模块，将硅片表面的液态掺杂源烘干，完成硅片表面涂覆掺杂源的过程。
[0020]作为一种优选方案，本技术的扩散系统，包括上述链式涂源装置，以及链式退火装置。利用上述链式涂源装置将烘干后的硅片通过传动轴继续向前传送，进入链式退火装置，链式退火装置对硅片表面涂覆的掺杂源进行高温推进，完成硅片的扩散吸杂工艺。
[0021]作为另一种优选方案，本技术的扩散系统，包括上述链式涂源装置，以及链式退火装置和激光掺杂装置。利用上述链式涂源装置将烘干后的硅片通过传动轴继续向前传送，进入链式退火装置，链式退火装置对硅片表面涂覆的掺杂源进行高温推进，完成硅片的扩散吸杂工艺；硅片通过传动轴继续向前传送，进入激光掺杂装置，完成激光掺杂SE的制作。
[0022]有益效果：与现有技术相比，本技术具有以下优点：
[0023]（1）本技术的链式涂源装置提高了掺杂源涂覆的均匀性；
[0024]（2）本技术的链式涂源装置涂源过程不与硅片表面接触，在一定程度上降低了硅片划伤率；
[0025]（3）本技术的一种扩散系统，将链式涂源装置配合链式退火装置，适合任何尺寸的硅片，避免了人为操作引起的碎片率，实现了链式扩散或链式吸杂的大规模产业化生产；
[0026]（4）本技术的另一种扩散系统，将链式涂源装置配合链式退火装置和激光掺杂装置，可实现激光掺杂SE电池的制作，适用范围广泛，实用价值高。
附图说明
[0027]图1是本技术的链式涂源装置的结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和实施例对本技术的技术方案作进一步的说明。
[0029]实施例1
[0030]如图1，本技术的链式涂源装置，用于在硅片10表面涂覆一层掺杂源，包括链式传动的若干根用于传送硅片10的传动轴1、贯穿部分传动轴1的沉积腔室2、第一槽体3和第二槽体4。沉积腔室2的顶部设置有喷头21，底部设置有负压风机22，两侧沿硅片行进方向设置有开口23，开口23的顶部设置有风幕机24。
[0031]其中，喷头21的数量可以根据硅片10的尺寸和单排行进硅片的数量设置多个，确保硅片表面均匀地喷涂掺杂源。喷头21同负压风机22的进气口位置上下对应。进一步地，喷头21与硅片10的之间的距离可以根据硅片10表面所需的掺杂源量进行上下调节，便于控制掺杂源的喷涂厚度和喷涂面积，确保有效地覆盖完整的硅片10，满足多种使用环境。
[0032]其中，第一槽体3设置在第二槽体4的内部，第一槽体3的底部和第二槽体4的底部之间设置有多个超声波雾化器5。第一槽体3用于盛放掺杂源溶液，第二槽体4用于盛放水溶液。第一槽体3的顶部通过管路连接喷头21，超声波雾化器5将第一槽体3的掺杂源溶液转换成雾滴状后通过喷头21喷涂在硅片10的表面。
[0033]其中，喷头21位于装置出口的一侧设置有烘干模块6，用于烘干硅片表面的液态掺杂源。喷头21位于装置入口的一侧设置有第一传感器，第一传感器感应到硅片时，控制系统开启超声波雾化器5工作，第一槽体3内部的掺杂源溶液转换成雾滴状，通过喷头21将雾滴状掺杂源喷涂在硅片10的上表面。第一槽体3内部还设置有第二传感器，用于感应掺杂本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种链式涂源装置，用于在硅片表面涂覆一层掺杂源，其特征在于：包括若干根用于传送硅片的传动轴、贯穿传动轴的沉积腔室、第一槽体及第二槽体；所述沉积腔室的顶部设置有喷头，所述沉积腔室的底部设置有负压风机；所述沉积腔室的两侧沿硅片行进方向设置有开口；所述第一槽体设置在第二槽体的内部，所述第二槽体的底部设置有多个超声波雾化器；所述第一槽体用于盛放掺杂源溶液，所述第二槽体用于盛放水溶液；所述第一槽体通过管路连接所述喷头；所述超声波雾化器将第一槽体内的掺杂源转换成雾滴状后通过喷头喷涂在硅片表面。2.根据权利要求1所述的一种链式涂源装置，其特征在于：所述喷头同所述负压风机的进气口位置上下对应。3.根据权利要求2所述的一种链式涂源装置，其特征在于：所述沉积腔室两侧的开口处设置有风幕机。4.根据权利要求3所述的一种链式涂源装置，其特征在于：所述喷头可根据硅片的尺寸和数量设置多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：王敏，任常瑞，潘浩，谈璧璇，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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