锭生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开锭生长装置。在本发明专利技术一实施方式的锭生长装置中，锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，本发明专利技术的锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅，从而可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。

【技术实现步骤摘要】
锭生长装置


[0001]本专利技术涉及锭生长装置。

技术介绍

[0002]单晶硅为大多数半导体部件的基础材料，这些物质将被制造成具有高纯度的单晶体，这种制造方法中的一种就是丘克拉斯基法。
[0003]在这种丘克拉斯基结晶法中，在将硅放入坩埚后，通过对坩埚进行加热来使硅熔融。而且，在单晶晶种(single crystal seed)与这种熔融的硅相接触的状态下，通过旋转及向上提拉，来使具有规定直径的锭(ingot)生长。
[0004]在作为这种丘克拉斯基法之一的连续生长型丘克拉斯基法(CCz)中，通过向坩埚的内部持续注入固态的多晶硅来对所消耗的熔融硅进行补充并使锭持续生长。
[0005]在向坩埚的内部注入固态的多晶硅的过程中，将产生熔融硅飞溅的现象。而且，若这种熔融硅飞溅，则将在熔融硅产生波动，因而存在锭的单晶收率下降的问题。
[0006]而且，在向坩埚的内部注入固态的多晶硅的过程中，将导致熔融硅的温度剧烈变化。温度的变换将成为降低锭的单晶收率的主要原因。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术的一实施方式，本专利技术的目的在于提供可在向坩埚供给固态硅材料的过程中防止在坩埚的内部中的熔融硅产生波动并可防止坩埚的内部中的熔融硅产生剧烈的温度变化的锭生长装置。
[0008]本专利技术一实施方式的锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，上述锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，可沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅。
[0009]在此情况下，上述倾斜面能够以使得从上述主坩埚的内侧朝向外侧形成的上述倾斜面的倾斜度相同或使得倾斜度从内侧朝向外侧逐渐减小的方式形成。
[0010]在此情况下，上述主坩埚侧面部能够以垂直于上述主坩埚底部或朝向外侧倾斜的方式形成。
[0011]在此情况下，上述倾斜面与上述主坩埚侧面部相连接的连接部分可形成曲面。
[0012]在此情况下，上述主坩埚倾斜部可包括引导槽，上述引导槽形成于上述倾斜面，用于对向上述倾斜面上供给的熔融硅进行引导。
[0013]在此情况下，沿着上述主坩埚的圆周方向，可在上述倾斜面上形成多个上述引导槽。
[0014]在此情况下，上述引导槽可在上述倾斜面上形成从内侧朝向外侧弯曲的螺旋形。
[0015]在此情况下，上述锭生长装置还可包括：基座，以包围上述主坩埚底部、上述主坩
埚侧面部以及上述主坩埚倾斜部的外侧面的方式形成；以及加热器，位于上述基座的外部，通过对上述基座进行加热来对上述主坩埚进行加热。
[0016]在此情况下，上述锭生长装置还可包括预备坩埚，通过使固态硅材料熔融来生成上述熔融硅，向上述主坩埚供给上述熔融硅，上述预备坩埚可包括：熔融部，使上述固态硅材料熔融；以及突出部，从上述熔融部沿着朝向上述主坩埚的方向延伸而成，以能够从上述熔融部沿着上述主坩埚的倾斜面向上述主坩埚的内部供给熔融硅，设置有用于向上述主坩埚引导上述熔融硅的引导面，上述预备坩埚能够以能够位于第一位置及第二位置的方式进行移动，在上述第一位置上，形成使上述固态硅材料熔融的状态，在上述第二位置上，形成用于向上述主坩埚供给上述熔融硅的状态。
[0017]在此情况下，在上述第一位置上，上述引导面可朝向上述主坩埚的上侧倾斜。
[0018]在此情况下，在上述第二位置上，在上述引导面与上述主坩埚底部之间形成的角度可小于在上述倾斜面与上述主坩埚底部之间形成的角度。
[0019]在此情况下，在上述第二位置上，上述突出部的端部以相邻的方式位于上述倾斜面上，在第一位置上，上述突出部的端部与上述倾斜面之间的距离大于在上述第二位置上的上述突出部的端部与上述倾斜面之间的距离。
[0020]根据上述结构，本专利技术一实施方式的锭生长装置可在向主坩埚的内部供给熔融硅时沿着倾斜面向上述主坩埚的内部引导熔融硅，从而可防止熔融硅向主坩埚的周边飞溅。
[0021]并且，本专利技术一实施方式的锭生长装置通过倾斜面向主坩埚供给熔融硅，而不是直接向主坩埚供给熔融硅，因而可防止在坩埚的内部中的熔融硅产生波动，防止主坩埚的内部中的熔融硅的温度剧烈变化。
[0022]并且，本专利技术一实施方式的锭生长装置可在防止在坩埚的内部中的熔融硅产生波动的同时防止主坩埚的内部中的熔融硅产生剧烈的温度变化，从而防止锭的单晶收率下降。
附图说明
[0023]图1为简要示出本专利技术一实施例的锭生长装置的图。
[0024]图2a为示出本专利技术一实施例的锭生长装置的主坩埚的立体图。
[0025]图2b为示出本专利技术一实施例的锭生长装置的主坩埚的剖视图。
[0026]图3为示出与本专利技术一实施例的锭生长装置的主坩埚的倾斜面相邻的主要结构的图。
[0027]图4为示出本专利技术再一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
[0028]图5为示出本专利技术另一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
[0029]图6为示出本专利技术还有一实施例的锭生长装置的主坩埚的图。
[0030]图7为示出本专利技术又一实施例的锭生长装置的主坩埚的立体图。
[0031]图8为示出从主坩埚的上侧观察图7中的主坩埚的图。
[0032]附图标记的说明
[0033]100：锭生长装置
[0034]110：生长炉
[0035]120：主坩埚
[0036]121：主坩埚底部
[0037]122：主坩埚侧面部
[0038]123：主坩埚倾斜部
[0039]123a：倾斜面
具体实施方式
[0040]在本说明书及专利技术要求保护范围中使用的单词和术语不应限定于通常所理解的含义或词典中的含义来解释，立足于专利技术人可以为了以最佳的方法说明自己的专利技术而对术语和概念进行定义的原则，应解释成符合本专利技术的技术思想的含义和概念。
[0041]因此，在本说明书中记载的实施例和附图中所示的结构属于本专利技术的优选一实施例，并不全面代表本专利技术的技术思想，在本专利技术的申请时间点上，相应结构可存在能够进行代替的多种等同物和变形例。
[0042]在本说明书中，“包括”或“具有”等的术语应理解为仅用于说明记载于说明书上的特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在，而不是预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
[0043]只要没有特殊情况，某个结构要素位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”等的表述不仅包括以与其他结构要素直接接触的方式位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”的情况，还包括在中间设置其他结构要素的情况。并且，只要没有特殊情况，某个结构要素与其他结构要素“相连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锭生长装置，包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，上述锭生长装置的特征在于，上述主坩埚包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅。2.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述倾斜面以使得从上述主坩埚的内侧朝向外侧形成的上述倾斜面的倾斜度相同或使得倾斜度从内侧朝向外侧逐渐减小的方式形成。3.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述主坩埚侧面部以垂直于上述主坩埚底部或朝向外侧倾斜的方式形成。4.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述倾斜面与上述主坩埚侧面部相连接的连接部分形成曲面。5.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述主坩埚倾斜部包括引导槽，上述引导槽形成于上述倾斜面，用于对向上述倾斜面上供给的熔融硅进行引导。6.根据权利要求5所述的锭生长装置，其特征在于，沿着上述主坩埚的圆周方向，在上述倾斜面上形成多个上述引导槽。7.根据权利要求5所述的锭生长装置，其特征在于，上述引导槽在上述倾斜面上形成从内侧朝向外侧弯曲的螺旋形。8.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，还包括：基座，以包围上述主...

【专利技术属性】
技术研发人员：金漌镐，李京锡，朴镇成，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：