一种同步整流电路及控制方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种同步整流电路及控制方法，该电路包括：初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；其中：所述脉宽控制单元的输出端连接所述第一开关器件的控制端，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路的导通或断开；所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路的导通或断开。开。开。

【技术实现步骤摘要】
一种同步整流电路及控制方法


[0001]本专利技术涉及一种开关电源的同步整流电路，尤其涉及一种同步整流电路及控制方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展，对电路工作时损耗的要求也进一步提高，低电压、高电流的工作模式有利于降低电路的整体损耗。传统的开关电源电路一般采用整流二极管将交流电能转换为直流电能，但由于整流二极管的导通压降比较高，使得开关电源电路的损耗较高，因此，同步整流技术被应用于开关电源电路的设计中，即通过采用低导通电阻的场效应晶体管来代传统的整流二极管，能够有效地降低整流损耗和提高功率，满足低电压、高电流的需要。
[0003]整流二极管为单向导电型器件，可以直接通过二极管上的电压决定整流二极管为导通状态或关断状态，不需要单独设计驱动电路用于控制整流二极管的工作状态。但场效应晶体管为电压驱动型器件，需要根据驱动电路产生的驱动信号控制场效应晶体管的工作状态，因此，在同步整流技术中，驱动电路的设计是至关重要的。
[0004]在相关技术的开关电源电路中，驱动电路包括初级整流驱动电路和次级整流驱动电路，其中，初级整流驱动电路起整流作用，次级整流驱动电路其续流作用，初级整流驱动电路和次级整流驱动电路分别由对应的控制驱动芯片所控制，这使得电源电路的结构比较复杂，同时，使用两个控制驱动芯片也使得电源电路的成本较高。
[0005]综上所述，如何简化电源电路的结构，同时降低开关电源电路的成本是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术主要提供一种同步整流电路及控制方法。
[0007]本专利技术主要提供一种同步整流电路，所述同步整流电路包括初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；其中：
[0008]所述脉宽控制单元的输出端连接所述第一开关器件的控制端，所述第一开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路导通，所述第一开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路断开；
[0009]所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间；所述第二开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路导通，所述第二开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路断开。
[0010]在一种实现方式中，所述第一开关器件包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第一开关器件的控制端。
[0011]在一种实现方式中，所述初级整流驱动电路还包括变压器的初级线圈和交流电源；其中：
[0012]所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与接地端连接，所述变压器的初级线圈连接在所述交流电源和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极之间。
[0013]在一种实现方式中，所述初级整流驱动电路还包括第一电容；其中：
[0014]所述第一电容连接在所述交流电源与接地端之间。在一种实现方式中，所述第二开关器件包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第二开关器件的控制端。
[0015]在一种实现方式中，所述同步整流电路还包括第一负载、第一直流电源；其中：
[0016]所述第一负载连接在所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间，所述第一直流电源与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和源极的公共端连接。
[0017]在一种实现方式中，所述次级整流驱动电路还包括变压器的次级线圈和第二直流电源；其中：
[0018]所述变压器的次级线圈连接在所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和所述第二直流电源之间。
[0019]在一种实现方式中，所述次级整流驱动电路还包括第二电容；其中：
[0020]所述第二电容连接在所述第二直流电源与接地端之间。
[0021]本专利技术实施例还提供了一种同步整流电路的控制方法，所述控制方法应用于同步整流电路中，所述同步整流电路包括初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；所述方法包括：
[0022]所述脉宽控制单元的输出端连接所述第一开关器件的控制端，所述第一开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第一开关器件控制所述初级整流驱动电路导通，所述第一开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第一开关器件控制所述初级整流驱动电路断开；
[0023]所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间；所述第二开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第二开关器件控制所述次级整流驱动电路导通，所述第二开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第二开关器件控制所述次级整流驱动电路断开。
[0024]上述方案中，所述第一开关器件包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第一开关器件的控制端。
[0025]基于本专利技术实施例提供的同步整流电路及控制方法中，所述同步整流电路包括初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；其中：所述脉宽控制单元的
输出端连接所述第一开关器件的控制端，所述第一开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路导通，所述第一开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路断开；所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间；所述第二开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路导通，所述第二开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路断开。
[0026]可以看出，本专利技术实施例将第一开关器件的控制端和光电耦合器的发光源分别与脉宽控制单元的输出端连接，将光电耦合器的受光器与第二开关器件的控制端连接。通过脉宽控制单元发出驱动信号，第一开关器件接收到驱动信号，实现控制初级整流驱动电路的导通或断开，同时，光电耦合器的发光源接收到驱动信号，实现控制第二开关器件接收驱动信号，从而实现控制次级整流驱动电路的导通或断开。也就是说，本专利技术实施例仅采用一个控制驱动的芯片，就可以实现对初级整流驱动电路和次级整流驱动电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同步整流电路，其特征在于，包括初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；其中：所述脉宽控制单元的输出端连接所述第一开关器件的控制端，所述第一开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路导通，所述第一开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路断开；所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间；所述第二开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路导通，所述第二开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路断开。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关器件包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第一开关器件的控制端。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述初级整流驱动电路还包括变压器的初级线圈和交流电源；其中：所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与接地端连接，所述变压器的初级线圈连接在所述交流电源和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极之间。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述初级整流驱动电路还包括第一电容；其中：所述第一电容连接在所述交流电源与接地端之间。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二开关器件包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第二开关器件的控制端。6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述同步整流电路还包括第一负载...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡希桐，白东培，马瑞达，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，
类型：发明
国别省市：