本发明专利技术提供一种具有高可靠性的发光二极管芯片，包括：半导体外延叠层，从上至下依次包括第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；凹陷区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，至少贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出凹陷表面；至少一电极，配置在所述凹陷表面上；以半导体外延叠层所在水平面的法线方向为俯视方向，从俯视方向观之，所述电极与所述凹陷区域的侧壁之间具有第一间距,所述第一间距大于等于30μm。非主动发光区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出非主动发光表面；波长转换层，至少覆盖于半导体外延叠层的上面区域及侧壁区域。外延叠层的上面区域及侧壁区域。外延叠层的上面区域及侧壁区域。
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及发光装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及发光装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种具有高可靠性的发光二极管芯片。
[0004]本专利技术所采用的技术方案具体如下：
[0005]具体来说，本专利技术一实施例提供一种发光二极管芯片，包括：
[0006]半导体外延叠层，从上至下依次包括第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；
[0007]凹陷区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，至少贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出凹陷表面；
[0008]至少一电极，配置在所述凹陷表面上；
[0009]以半导体外延叠层所在水平面的法线方向为俯视方向，从俯视方向观之，所述电极与所述凹陷区域的侧壁之间具有第一间距,所述第一间距大于等于30μm；
[0010]非主动发光区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出非主动发光表面；
[0011]波长转换层，至少覆盖于半导体外延叠层的上面区域及侧壁区域。
[0012]在一实施例中，所述非主动发光区域的侧壁到相邻发光二极管芯片上的电极之间的第二间距大于等于所述第一间距。
[0013]在一实施例中，所述第一间距大于等于50μm，或者所述第一间距大于等于85μm。
[0014]在一实施例中，至少一所述非主动发光区域由所述半导体外延叠层的侧壁向内凹陷形成。
[0015]在一实施例中，所述非主动发光区域与所述凹陷区域以轴对称和/或中心对称的方式设置在半导体外延叠层的边缘。
[0016]在一实施例中，从俯视方向观之，所述非主动发光区域的面积占所述凹陷区域的面积的25％以下。
[0017]在一实施例中，所述发光二极管芯片包括一凹陷区域以及三非主动发光区域，所述三非主动发光区域包括与凹陷区域中心对称的第一非主动发光区域、以及与凹陷区域分别轴对称的第二非主动发光区域、第三非主动发光区域。
[0018]在一实施例中，从俯视方向观之，所述第一非主动区域的面积小于等于所述第二非主动发光区域和第三非主动发光区域的面积之和的25％。
[0019]在一实施例中，所述第二非主动发光区域的面积或者第三非主动发光区域的面积均大于所述第一非主动区域的面积。
[0020]在一实施例中，所述发光二极管芯片包括二凹陷区域以及二非主动发光区域，分别配置在所述半导体外延叠层的四角，且所述二凹陷区域则分别位于所述半导体外延叠层的同一侧边上。
[0021]在一实施例中，所述非主动发光区域的侧壁到所述发光二极管芯片的边缘的距离在15μm以上。
[0022]在一实施例中，从俯视方向观之，所述非主动发光区域小于等于主动发光区域总面积的10％。
[0023]在一实施例中，从俯视方向观之，所述非主动发光区域的面积小于等于所述凹陷区域的面积的25％,或者所述非主动发光区域的面积小于等于所述凹陷区域的面积的20％。
[0024]在一实施例中，从俯视方向观之，所述电极的面积小于等于所述凹陷区域的面积的40％。
[0025]本专利技术另一实施例提供一种发光二极管芯片，包括：
[0026]半导体外延叠层，从上至下依次包括第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；
[0027]第一电连接层，与第一导电类型半导体层电性连接；
[0028]第二电连接层，与第二导电类型半导体层电性连接并部分裸露于所述半导体外延叠层之外；
[0029]所述半导体外延叠层具有至少一凹处，所述凹处至少贯穿所述第二导电类型半导体层、发光层延伸至第一导电类型半导体层；
[0030]所述第一电连接层经由所述凹处电连接至第一导电类型半导体层，并通过绝缘层与发光层、第二导电类型半导体层以及第二电连接层彼此电绝缘；
[0031]至少一电极，配置在所述第二电连接层裸露部分的表面上并与第二导电类型半导体层电性连接；
[0032]以半导体外延叠层所在水平面的法线方向为俯视方向，从俯视方向观之，所述电极与所述凹陷区域的侧壁之间具有第一间距，所述第一间距大于等于30μm；
[0033]非主动发光区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出非主动发光表面；
[0034]波长转换层，至少覆盖于半导体外延叠层的上面区域及侧壁区域。
[0035]本专利技术一实施例提供一种发光装置，具有如上所述的发光二极管芯片。
[0036]基于上述，与现有技术相比，本专利技术提供的发光二极管芯片可以有效解决波长转换层偏移导致的漏光现象。
[0037]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0039]图1为本专利技术一实施例提供的一种发光二极管芯片的俯视图；
[0040]图1A为图1所示实施例的一种发光二极管芯片的俯视图及X
‑
X
’
处的侧视剖面图；
[0041]图1B为图1所示实施例的一种发光二极管芯片的俯视图及Y
‑
Y
’
处的侧视剖面图；
[0042]图1C为图1所示实施例上表面具有波长转换层的发光二极管芯片的侧视剖面图；
[0043]图1D为本专利技术另一实施例提供的一种发光二极管芯片的俯视图；
[0044]图2为本专利技术另一实施例提供的一种发光二极管芯片的俯视图；
[0045]图2A为图2所示实施例虚线框内结构的放大示意图；
[0046]图3为本专利技术一实施例提供的发光二极管芯片的俯视图；
[0047]图3A为图3所示实施例提供的发光二极管芯片构成的发光二极管阵列的俯视图
[0048]图3B为图3A中虚线框内结构的放大示意图；
[0049]图4为本专利技术另一实施例提供的发光二极管芯片的俯视图；
[0050]图4A为图4所示实施例提供的发光二极管芯片构成的发光二极管阵列的俯视图；
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，包括：半导体外延叠层，从上至下依次包括第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；凹陷区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，至少贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出凹陷表面；至少一电极，配置在所述凹陷表面上；以半导体外延叠层所在水平面的法线方向为俯视方向，从俯视方向观之，所述电极与所述凹陷区域的侧壁之间具有第一间距,所述第一间距大于等于30μm；非主动发光区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出非主动发光表面；波长转换层，至少覆盖于半导体外延叠层的上面区域及侧壁区域。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述非主动发光区域的侧壁到相邻发光二极管芯片上的电极之间的第二间距大于等于所述第一间距。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一间距大于等于50μm，或者所述第一间距大于等于85μm。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：至少一所述非主动发光区域由所述半导体外延叠层的侧壁向内凹陷形成。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述非主动发光区域与所述凹陷区域以轴对称和/或中心对称的方式设置在半导体外延叠层的边缘。6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：从俯视方向观之，所述非主动发光区域的面积占所述凹陷区域的面积的25％以下。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片包括一凹陷区域以及三非主动发光区域，所述三非主动发光区域包括与凹陷区域中心对称的第一非主动发光区域、以及与凹陷区域分别轴对称的第二非主动发光区域、第三非主动发光区域。8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于：从俯视方向观之，所述第一非主动区域的面积小于等于所述第二非主动发光区域和第三非主动发光区域的面积之和的25％。9.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二非主动发光区域的面积或者第三非主动发光区域的面积均大于所述第一非主动区域的面积。10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡琳榕，廖生地，连文黎，杨力勋，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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