本发明专利技术涉及芯片技术领域，具体公开了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括以下步骤：对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果；该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。结果的判断逻辑。结果的判断逻辑。
【技术实现步骤摘要】
闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质
[0001]本申请涉及芯片
，具体而言，涉及一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]nor flash作为一种非易失性存储器，其生产后需要经过多道测试程序，如以未减划硅片为对象的测试, 以封装片为对象的测试等，以筛选出性能合格的芯片。
[0003]芯片测试程序中涉及坏存储单元测试项的测试，该测试项测试流程包括：对芯片全片写入数据，然后用读数据的方式进行全片检查，以确认芯片中是否有坏的存储单元，若无坏存储单元则芯片通过该测试项；若存在坏存储单元，则在替换掉坏存储单元后，再次用读数据的方式进行全片检查，若仍存在坏存储单元则报废芯片。
[0004]若芯片中存在坏存储单元时，该测试项的测试方式涉及两次完整的全片检查且测试结果需基于整个检查流程进行判断，测试效率低。
[0005]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0006]本申请的目的在于提供一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，以提高坏存储单元测试项的测试效率。
[0007]第一方面，本申请提供了一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，所述方法包括以下步骤：对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。
[0008]本申请实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法，对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该方法还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
[0009]所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述对所述芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。
[0010]所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，在执行所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的所述备用的存储单元时，输出坏芯片结果。
[0011]所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述二次查错处理仅包括读取数据检测。
[0012]在该示例的闪存的坏存储单元测试方法中，全芯片数据查错处理中的写入过程对芯片进行了全片的数据写入，也包括了对备用的存储单元写入数据；因此，二次查错处理过程仅包括读取数据检测，免去了数据再次写入步骤，从而提高测试效率。
[0013]所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述将所述查错结果记录在校验位上的步骤包括：将所述查错结果转换为数据1或数据0，将所述数据1或所述数据0记录在所述校验位上。
[0014]所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述校验位为一个。
[0015]在该示例的闪存的坏存储单元测试方法中，由于测试结果只有好芯片结果和坏芯片结果两项，因此，设置一个校验位便能反映出对应的测试结果。
[0016]所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤包括：采用冗余区中的所述备用的存储单元替换所述坏存储单元。
[0017]第二方面，本申请还提供了一种闪存的坏存储单元测试装置，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，所述装置包括：第一查错模块，用于对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；替换模块，用于利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；第二查错模块，用于对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；记录模块，用于将所述查错结果记录在校验位上；结果模块，用于根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。
[0018]本申请实施例的一种闪存的坏存储单元测试装置，利用替换模块对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元采用第二查错模块进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该装置还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
[0019]第三方面，本申请还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
[0020]第四方面，本申请还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
[0021]由上可知，本申请提供了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，其中，该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
附图说明
[0022]图1为本申请实施例提供的闪存的坏存储单元测试方法的流程图。
[0023]图2为本申请实施例提供的闪存的坏存储单元测试装置的结构示意图。
[0024]图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0027]第一方面，请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，方法包括以下步骤：S1、对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；具体地，坏存储单元为芯片内不能正常使用的存储单元，在本申请实施例中，主要指的是不能按照预期设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。2.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述对所述芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。3.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，在执行所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的所述备用的存储单元时，输出坏芯片结果。4.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述二次查错处理仅包括读取数据检测。5.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述将所述查错结果记录在校验位上的步骤包括：将所述查错结果转换为数据1或数据0，将所述数据1或所述数据0记录在所述校验位上。6.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文静，王明，李佳泽，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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