电子设备、芯片封装结构及其制作方法技术

本申请实施例提供一种电子设备、芯片封装结构及其制作方法，该芯片封装结构包括：基板、至少一个桥接板以及至少两个第一芯片；所述桥接板与至少两个所述第一芯片电连接，所述第一芯片还与所述基板电连接；所述桥接板的至少部分位于所述基板的内部，且所述桥接板朝向所述第一芯片的一面与所述基板朝向所述第一芯片的一面相齐平，能够提高芯片封装的集成度，从而能够更好的满足实际应用场景对系统集成度的更高需求。的更高需求。的更高需求。

【技术实现步骤摘要】
电子设备、芯片封装结构及其制作方法


[0001]本申请实施例涉及集成电路封装
，特别涉及一种电子设备、芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着手持式和穿戴式通讯产品的普及以及使用功能的逐渐增加，轻薄化、小型化且具有统合性功能的系统封装(System in Package，SiP)芯片，如应用于CPU(Central Processing Unit，CPU)模组、射频系统(System on Chip
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System in Package，RF
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SiP)等系统封装芯片的需求与日俱增。而系统封装芯片往往需要集成更多的功能、更高的传输效率，并能够达到体积的微缩。
[0003]相关技术中，在进行芯片封装时，一般是在印制电路板的内部埋设有桥接芯片，桥接芯片作为连接到芯片的桥梁，然后在桥接芯片的上表面另外设置有连接层，连接层位于桥接芯片与芯片之间，并连接到印制电路板，使得布线层朝向芯片的一面与印制电路板朝向芯片的一面共平面，这样桥接芯片既可通过连接层与芯片实现电连接。
[0004]然而，上述方案中，连接层的密度较低，连接层作为连接桥接芯片与芯片之间的桥梁时，会对桥接芯片的高密度造成浪费，导致芯片封装的整体密度较低，从而导致芯片封装的集成度较低，无法满足实际应用场景对系统集成度的更高需求。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种电子设备、芯片封装结构及其制作方法，能够提高芯片封装结构的集成度，从而能够更好的满足实际应用场景对系统集成度的更高需求。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种芯片封装结构，包括：基板、至少一个桥接板以及至少两个第一芯片；所述桥接板与至少两个所述第一芯片电连接，所述第一芯片还与所述基板电连接；所述桥接板的至少部分位于所述基板的内部，且所述桥接板朝向所述第一芯片的一面与所述基板朝向所述第一芯片的一面相齐平。
[0007]本申请实施例提供的芯片封装结构，该芯片封装结构通过将桥接板的至少部分设置在基板的内部，桥接板与至少两个第一芯片电连接，且桥接板朝向第一芯片的一面与所述基板朝向第一芯片的一面相齐平，这样，能够在设置桥接板的同时避免增大芯片封装结构的整体体积，能够提高芯片封装的集成度，从而能够更好的满足实际应用场景对系统集成度的更高需求。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述桥接板的内部设置有至少一个无源元件。通过在桥接板的内部设置至少一个无源元件，能够使得桥接板集成更多结构和功能，以实现桥接板性能的进一步提升以及封装产品电气特性的提升。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述桥接板至少包括层叠设置的：导电层以及至少一个布线层；所述导电层与所述第一芯片电连接，且至少一个所述布线层上设置有至少一个所述无源元件。
[0010]通过导电层与第一芯片电连接，能够实现桥接板与第一芯片之间的电连接。通过在至少一个布线层上设置有至少一个无源元件，能够提高桥接板的集成度以及封装产品电气特性的提升。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述导电层包括：本体部以及位于所述本体部上的第一导电体；所述第一导电体的一端与所述第一芯片电连接，所述第一导电体的另一端与所述布线层电连接。这样，第一芯片与布线层之间能够通过位于导电层的本体部上的导电层的第一导电体实现电连接。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述至少一个布线层包括：第一布线层以及第二布线层；所述第一布线层位于所述导电层和所述第二布线层之间，且所述第一布线层和所述第二布线层上设置有至少一个所述无源元件。
[0013]通过在第一布线层和第二布线层上设置有至少一个无源元件，能够提高桥接板的集成度，增加桥接板的可实现功能以及封装产品电气特性的提升。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述桥接板还包括：第一基体层；所述第二布线层位于所述第一布线层和所述第一基体层之间；所述第一基体层上开设有多个沿着所述桥接板的厚度方向延伸的第一通孔，且至少一个所述第一通孔内设置有第一导电件；所述第一导电件的一端与所述第二布线层电连接，所述第一导电件的另一端与所述基板电连接。
[0015]通过在第一基体层上开设有多个沿着桥接板的厚度方向延伸的第一通孔，且至少一个第一通孔内设置有第一导电件，第一导电件的一端与第二布线层电连接，第一导电件的另一端与基板电连接，能够实现桥接板与基板之间的垂直互联，从而能够缩短连通路径。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述至少一个布线层还包括：第三布线层；所述第一基体层位于所述第二布线层和所述第三布线层之间；所述第一导电件的另一端通过所述第三布线层与所述基板电连接。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述第三布线层上设置有至少一个所述无源元件。通过在第三布线层上设置有至少一个无源元件，能够进一步提高桥接板的集成度，增加桥接板的可实现功能。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述第一基体层所采用的材料为硅、玻璃、陶瓷或氮化铝中的任意一种或多种。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述桥接板至少包括层叠设置的：第一介电层、第二介电层以及位于所述第一介电层和所述第二介电层之间的第二基体层；所述第二基体层上开设有多个沿着所述桥接板的厚度方向延伸的第二通孔，且至少一个所述第二通孔内设置有第二导电件；所述第一介电层上设置有至少一个第二导电体，每个所述第二导电体与至少两个所述第二导电件电连接；所述第二介电层上设置有至少一个第三导电体，每个所述第三导电体与至少两个所述第二导电件电连接；所述第二导电件与所述第二导电体以及所述第三导电体共同形成所述螺旋式电感。将电感设计为立体结构的螺旋式电感，能够提高电感的品质。
[0020]在一种可能的实现方式中，所述第一介电层上还设置有至少一个第四导电体，所述至少一个第四导电体与所述第二导电件电连接，所述至少一个第四导电体还与至少两个所述第一芯片电连接。这样，桥接板与至少两个第一芯片之间即可通过第四导电体电连接，以实现两个第一芯片经由桥接板做高密度的互联。
[0021]在一种可能的实现方式中，所述第二基体层所采用的材料为硅、玻璃、陶瓷或氮化铝中的任意一种或多种。
[0022]在一种可能的实现方式中，所述至少一个无源元件为电感器、电容器或电阻器中的任意一种或多种。
[0023]在一种可能的实现方式中，所述基板包括：第一板层以及与所述第一板层相连的第二板层；所述第一板层上开设有多个沿着所述第一板层的厚度方向延伸的第三通孔，且所述第三通孔内设置有第三导电件；所述第二板层上设置有多个连通线路，所述第三导电件的一端裸露设置，所述第三导电件的另一端与所述连通线路电连接。
[0024]通过在第一板层上开设有多个沿着第一板层的厚度方向延伸的第三通孔，在第三通孔内设置有第三导电件，且在第二板层上设置有多个连通线路，第三导电件与连通线路电连接，即可实现第一板层与第二板层之间的电连接以及信号走通。
[0025]在一种可能的实现方式中，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、至少一个桥接板以及至少两个第一芯片；所述桥接板与至少两个所述第一芯片电连接，所述第一芯片还与所述基板电连接；所述桥接板的至少部分位于所述基板的内部，且所述桥接板朝向所述第一芯片的一面与所述基板朝向所述第一芯片的一面相齐平。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述桥接板的内部设置有至少一个无源元件。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述桥接板至少包括层叠设置的：导电层以及至少一个布线层；所述导电层与所述第一芯片电连接，且至少一个所述布线层上设置有至少一个所述无源元件。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电层包括：本体部以及位于所述本体部上的第一导电体；所述第一导电体的一端与所述第一芯片电连接，所述第一导电体的另一端与所述布线层电连接。5.根据权利要求3或4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一个布线层包括：第一布线层以及第二布线层；所述第一布线层位于所述导电层和所述第二布线层之间，且所述第一布线层和所述第二布线层上设置有至少一个所述无源元件。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述桥接板还包括：第一基体层；所述第二布线层位于所述第一布线层和所述第一基体层之间；所述第一基体层上开设有多个沿着所述桥接板的厚度方向延伸的第一通孔，且至少一个所述第一通孔内设置有第一导电件；所述第一导电件的一端与所述第二布线层电连接，所述第一导电件的另一端与所述基板电连接。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一个布线层还包括：第三布线层；所述第一基体层位于所述第二布线层和所述第三布线层之间；所述第一导电件的另一端通过所述第三布线层与所述基板电连接。8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三布线层上设置有至少一个所述无源元件。9.根据权利要求6
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8任一所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一基体层所采用的材料为硅、玻璃、陶瓷或氮化铝中的任意一种或多种。10.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述桥接板至少包括层叠设置的：第一介电层、第二介电层以及位于所述第一介电层和所述第二介电层之间的第二基体层；所述第二基体层上开设有多个沿着所述桥接板的厚度方向延伸的第二通孔，且至少一个所述第二通孔内设置有第二导电件；所述第一介电层上设置有至少一个第二导电体，每个所述第二导电体与至少两个所述
第二导电件电连接；所述第二介电层上设置有至少一个第三导电体，每个所述第三导电体与至少两个所述第二导电件电连接；所述第三导电体与所述第二导电件以及所述第二导电体共同形成螺旋式电感。11.根据权利要求10所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一介电层上还设置有至少一个第四导电体；所述至少一个第四导电体与所述第二导电件电连接，所述至少一个第四导电体还与至少两个所述第一芯片电连接。12.根据权利要求10或11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二基体层所采用的材料为硅、玻璃、陶瓷或氮化铝中的任意一种或多种。13.根据权利要求2
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12任一所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一个无源元件为电感器、电容器或电阻器中的任意一种或多种。14.根据权利要求1
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13任一所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板包括：第一板层以及与所述第一板层相连的第二板层；所述第一板层上开设有多个沿着所述第一板层的厚度方向延伸的第三通孔，且所述第三通孔内设置有第三导电件；所述第二板层上设置有多个连通线路，所述第三导电件的一端裸露设置，所述第三导电件的另一端与所述连通线路电连接。15.根据权利要求14所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一板层上与所述桥接板朝向所述第二板层的一面相对应的位置处还...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕秀启，马富强，叶润清，彭宝庆，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：