接合装置、接合系统以及接合方法制造方法及图纸

本公开涉及一种接合装置，该接合装置具有：第一保持部，其借助粘接有被分割出多个芯片的第一基板的带和装设了所述带的外周的环形框来保持所述第一基板；第二保持部，其以与所述第一基板隔开间隔的方式保持第二基板，所述第二基板以所述第一基板为基准配置于与所述带相反的一侧；以及推压部，其隔着所述带逐个推压所述芯片，来将所述芯片逐个地推压于所述第二基板以与所述第二基板进行接合。述第二基板以与所述第二基板进行接合。述第二基板以与所述第二基板进行接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合装置、接合系统以及接合方法


[0001]本公开涉及一种接合装置、接合系统以及接合方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了一种半导体芯片的制造方法。该制造方法依次具有下述(1)～(8)的工序。(1)向半导体晶圆的第一主表面照射激光，在半导体晶圆的内部的预定分割线形成改性部。在第一主表面预先形成半导体电路。(2)在半导体晶圆的第一主表面贴附粘接膜。粘接膜预先与粘合带层叠，从而粘接膜配置于粘合带与半导体晶圆之间。(3)对半导体晶圆的第二主表面进行磨削。(4)在半导体晶圆的厚度成为目标厚度的时间点结束磨削。(5)在半导体晶圆的第二主表面贴附拾取带，隔着拾取带将半导体晶圆固定于环形框。(6)使粘接膜与粘合带剥离，仅将粘接膜残留于半导体晶圆。(7)使拾取带扩张，并对粘接膜及半导体晶圆进行分割，得到带粘接膜的芯片。(8)由第一吸附头拾取带粘接膜的芯片。第一吸附头隔着粘接膜来保持芯片(参照专利文献1的图2)。之后，第一吸附头上下翻转，并将带粘接膜的芯片传递至第二吸附头。第二吸附头以使粘接膜朝下的方式来从芯片的上方保持该芯片。第二吸附头将芯片隔着粘接膜推压于基板的上表面，来将芯片安装于基板。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2014/080918号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开的一个方式提供一种能够抑制芯片的接合面的污染的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式所涉及的接合装置具有：第一保持部，其借助粘接有被分割出多个芯片的第一基板的带和装设了所述带的外周的环形框来保持第一基板；第二保持部，其以与所述第一基板隔开间隔的方式保持第二基板，所述第二基板以所述第一基板为基准配置于与所述带相反的一侧；以及推压部，其隔着所述带逐个推压所述芯片，来将所述芯片逐个地推压于所述第二基板以与所述第二基板进行接合。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开的一个方式，能够抑制芯片的接合面的污染。
附图说明
[0012]图1是表示一个实施方式所涉及的接合系统的俯视图。
[0013]图2是表示图1的接合系统的侧视图。
[0014]图3是表示第一基板的一例的立体图。
[0015]图4是表示第二基板的一例的立体图。
[0016]图5是表示一个实施方式所涉及的接合方法的流程图。
[0017]图6A是表示一个实施方式所涉及的接合装置的截面图。
[0018]图6B是表示继图6A之后的接合装置的动作的截面图。
[0019]图6C是表示继图6B之后的接合装置的动作的截面图。
[0020]图6D是表示继图6C之后的接合装置的动作的截面图。
[0021]图6E是将图6D的一部分放大后的截面图。
[0022]图6F是表示继图6D之后的接合装置的动作的截面图。
[0023]图7是表示图5的S6的一例的流程图。
[0024]图8A是表示变形例所涉及的接合装置的截面图。
[0025]图8B是表示继图8A之后的接合装置的动作的截面图。
[0026]图9是表示图5的S6的变形例的流程图。
具体实施方式
[0027]下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中对相同或对应的结构标注相同的标记，并且有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。
[0028]图1所示的接合系统1用于将第一基板W1与第二基板W2接合。第一基板W1如图3所示被分割出多个芯片C，芯片C被逐个地与第二基板W2接合。能够仅将良品的芯片C与第二基板W2接合，从而能够提高成品率。
[0029]由于第一基板W1如图3所示被分割出多个芯片C，因此利用带T来保持该第一基板W1。带T的外周装设于环形框F，在环形框F的开口部处，第一基板W1与带T粘接。带T覆盖第一基板W1的与接合面W1a相反方向的非接合面。
[0030]第一基板W1在每个芯片C中包括第一器件D1。第一器件D1形成于第一基板W1的接合面W1a。第一器件D1包括半导体元件、电路、或者端子等。另外，第一器件D1包括作为接合层的第一氧化硅层。第一器件D1也可以在第一氧化硅层的内部还包括第一导电层。第一导电层将第一器件D1与后述的第二器件D2电连接。
[0031]第二基板W2如图4所示包括预先形成的第二器件D2。以隔开间隔的方式在第二基板W2的接合面W2a形成多个第二器件D2。第二器件D2包括半导体元件、电路、或者端子等。另外，第二器件D2包括作为接合层的第二氧化硅层。第二器件D2也可以在第二氧化硅层的内部还包括第二导电层。第二导电层用于将第二器件D2与第一器件D1电连接。
[0032]如后所述，第一氧化硅层和第二氧化硅层通过亲水基之间的脱水缩合反应等进行接合。另外，第一导电层和第二导电层由相同的材质形成，通过热扩散等进行接合。此外，对接合的方法没有特别限定。例如，也可以使用焊料或DAF(Die Attachment Film：裸片附着膜)作为接合层。
[0033]在从与接合面W1a、W2a垂直的方向观察时，芯片C的大小与第二器件D2的大小可以相同，也可以不同。但是，在芯片C的大小与第二器件D2的大小不同的情况下，芯片C的间距在接合前后不同，因此将芯片C逐个地与第二基板W2进行接合的意义大。另外，在芯片C的大小比第二器件D2的大小小的情况下，芯片C不会从第二器件D2露出，因此容易进行芯片C的推压。
[0034]在芯片C的大小与第二器件D2的大小不同的情况下，芯片C的数量与第二器件D2的数量也不同。因而，也可以在重复将芯片C推压于第二基板W2的处理的中途进行第一基板W1或第二基板W2的更换。当良品的芯片C的剩余为零时，进行第一基板W1的更换。另外，当未接合的第二器件D2的剩余为零时，进行第二基板W2的替换。
[0035]如图1所示，接合系统1具备搬入搬出站2、处理站3以及控制装置9。搬入搬出站2和处理站3从X轴方向负侧向X轴方向正侧依次排列。
[0036]搬入搬出站2具备载置台21，载置台21具备多个载置板22。在多个载置板22载置多个盒C1、C2、C3、C4。例如，盒C1收容带环形框F的第一基板W1，盒C2收容第二基板W2，盒C3收容环形框F，盒C4收容带芯片C的第二基板W2。此外，对载置板22的数量没有特别限定。同样，对盒C1～C4的数量也没有特别限定。
[0037]搬入搬出站2具备第一搬送区域23，第一搬送区域23与载置台21邻接，并配置于载置台21的X轴方向正侧。在第一搬送区域23设置有第一搬送装置24。第一搬送装置24具有搬送臂，搬送臂沿水平方向(X轴方向及Y轴方向)以及铅垂方向移动，并以铅垂轴为中心回转。搬送臂在多个盒C1～C4与后述的第三处理块G3之间搬送带环形框F的第一基板W1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合装置，具有：第一保持部，其借助粘接有被分割出多个芯片的第一基板的带和装设了所述带的外周的环形框来保持所述第一基板；第二保持部，其以与所述第一基板隔开间隔的方式保持第二基板，所述第二基板以所述第一基板为基准配置于与所述带相反的一侧；以及推压部，其隔着所述带逐个推压所述芯片，来将所述芯片逐个地推压于所述第二基板以与所述第二基板进行接合。2.根据权利要求1所述的接合装置，其特征在于，还具有吸附部，所述吸附部隔着所述带吸附与由所述推压部推压的所述芯片相邻的所述芯片，使其不与所述第二基板接触。3.根据权利要求2所述的接合装置，其特征在于，还具有：气体吸引部，其吸引所述吸附部的吸附面的气体，来使所述带吸附于所述吸附部的所述吸附面；以及气体供给部，其向所述吸附部供给气体，来从所述吸附部的所述吸附面向所述带喷出气体。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的接合装置，其特征在于，还具有扩张部，在由所述推压部将所述芯片推压于所述第二基板之前，所述扩张部使所述带呈放射状地延伸，来扩大相邻的所述芯片的间隔。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的接合装置，其特征在于，还具有粘接力下降部，所述粘接力下降部使处于由所述推压部推压于所述第二基板的状态的所述芯片与所述带之间的界面处的所述带的粘接力下降。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的接合装置，其特征在于，还具有：第一摄像部，其拍摄所述第一基板的接合面，并拍摄所述第一基板的第一标记；第二摄像部，其拍摄所述第二基板的接合面，并拍摄所述第二基板的第二标记；以及第一对位部，其以所述第一标记的位置与所述第二标记的位置为基准，来进行所述第一基板与所述第二基板的对位。7.根据权利要求6所述的接合装置，其特征在于，还具有第二对位部，所述第二对位部以所述第一标记的位置为基准，来进行所述第一基板的所述芯片与所述推压部的对位。8.一种接合系统，具备：根据权利要求1～7中的任一项所述的接合装置；改性装置，在进行所述芯片与所述第二基板的接合前，所述改性装置利用等离子体将所述第一基板或所述第二基板的接合面改性；亲水化装置，在进行所述芯片与所述第二基板的接合前，所述亲水化装置将所述第一基板或所述第二基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺田尚司，石井贵幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：