确定标记测量序列的方法、平台设备和光刻设备技术

本发明专利技术提供了一种针对包括多个标记的物体确定标记测量序列的方法，该方法包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定标记测量序列的方法、平台设备和光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月30日提交的EP申请19189017.7的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及针对物体(诸如半导体衬底)上的多个标记(mark)或标记(marking)确定测量序列。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投射到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在过去几十年中一直在稳步增加，遵循通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够产生越来越小的特征的技术。为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上被图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm到20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
[0006]使用光刻图案化制造的半导体器件通常具有多个层的堆叠，例如20
‑
30层。为了使设备正常工作，连续层正确对准很重要。为了实现这一点，需要知道图案化层的位置的准确信息，然后才能在其之上图案化下一层。上述关于图案化层的位置的信息通常通过确定标记(mark)或标记(marking)在衬底上的位置来获取。这样的标记(mark)或标记(marking)例如可以称为对准标记。当越来越小的特征需要被图案化时，可能需要关于先前图案化层的位置的更详细信息。为了获取这种更详细的信息，可能需要测量更多数目的对准标记。这样的测量工艺可能会变得相当耗时，并且甚至会影响光刻设备的生产量。

技术实现思路

[0007]期望更有效地执行测量序列，在该执行期间，跨衬底而分布的多个标记的特性被测量。
[0008]为了做到这一点，根据本专利技术的第一方面，提供了一种针对包括多个标记的物体确定标记测量序列的方法，该方法包括：
[0009]·
接收针对要测量的多个标记的位置数据；
[0010]·
获取用于执行标记测量序列的定位装置的边界模型，以及
[0011]·
基于位置数据和边界模型，确定标记测量序列。
[0012]根据本专利技术，标记测量序列不仅基于位置数据(即，关于物体上的多个标记的位置信息)来确定，而且还考虑了定位装置参与执行(performing)或执行(executing)标记测量序列的的能力和/或限制。通过这样做，使得所获取的标记测量序列更稳健，即，该标记测量序列在执行时更不容易对定位装置造成损坏；和/或更有效，即，导致执行标记测量序列的时间更短。
[0013]根据本专利技术的另一方面，提供了一种用于针对包括多个标记的物体执行标记测量序列的平台设备，该平台设备包括：
[0014]·
载物台，用于保持物体；
[0015]·
定位装置，用于在标记测量序列的执行期间定位载物台，以及
[0016]·
控制单元，用于在标记测量序列的执行期间控制定位装置，
[0017]其中控制单元被配置为接收通过根据本专利技术的方法而获取的标记测量序列。
[0018]根据本专利技术的第二方面，提供了一种针对包括多个标记的物体确定标记测量序列的方法，该标记测量序列将由保持该物体的平台设备执行，该方法包括：
[0019]‑
接收针对要测量的多个标记的位置数据；
[0020]‑
基于位置数据，确定标记测量序列；
[0021]‑
基于所确定的标记测量序列，确定参与执行标记测量序列的平台设备的一个或多个定位装置的平均耗散分布；
[0022]‑
基于所确定的平均耗散分布，确定一个或多个定位装置的温度分布。
[0023]‑
如果一个或多个定位装置的温度超过温度限制，则基于温度分布来调整一个或多个定位装置的性能参数。
[0024]根据本专利技术的又一方面，提供了一种光刻设备，该光刻设备包括根据本专利技术的平台设备。
[0025]根据本专利技术的又一方面，提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品被配置为当在计算机上运行时执行根据本专利技术的方法。
附图说明
[0026]现在将仅通过示例的方式参考所附示意图来描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0027]‑
图1描绘了光刻设备的示意图；
[0028]‑
图2描绘了图1的光刻设备的部分的详细视图；
[0029]‑
图3示意性地描绘了位置控制系统；
[0030]‑
图4示意性地示出了衬底的俯视图和衬底400上的多个对准标记；
[0031]‑
图5示意性地示出了基于总距离的最小化而要遵循的测量序列或路线；
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图6示意性地示出了根据本专利技术的实施例的方法的流程图600；
[0033]‑
图7示意性地示出了定位装置用于执行一组衬底的掩模测量序列和曝光序列的热行为。
[0034]‑
图8示意性地示出了在标记测量序列的部分期间的速度分布。
[0035]‑
图9(a)至9(c)示意性地示出了根据本专利技术的第二方面的确定标记测量序列的方法。
具体实施方式
[0036]在本文档中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm)和EUV(极紫外辐射，例如波长在约5
‑
100nm的范围内)。
[0037]本文中采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案化装置”可以被广义地解释为是指可以用于向传入辐射束赋予图案化横截面的通用图案化装置，该图案化横截面对应于要在衬底的目标部分中创建的图案。在该上下文中也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其他这样的图案化装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
[0038]图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括：被配置为调整辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)的照射系统(也称为照射器)IL；被构造为支撑图案化装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM的掩模支撑件(例如，掩模台)MT，第一定位器PM被配置为根据某些参数精确地定位图案化装置MA；被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW的衬底支撑件(例如，晶片台)WT，第二定位器PW被配置为根据某些参数精确地定位衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种针对包括多个标记的物体确定标记测量序列的方法，所述方法包括：
·
接收针对要测量的所述多个标记的位置数据；
·
获取用于执行所述标记测量序列的定位装置的边界模型，以及
·
基于所述位置数据和所述边界模型，确定所述标记测量序列。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述边界模型包括功率限制，诸如功率耗散限制或加速度限制。3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
·
获取所述定位装置的热状态信息，所述热状态信息表示所述定位装置在所述标记测量序列的执行之前和/或在所述标记测量序列的执行之后的热状态，以及
·
基于所述热状态信息，确定所述标记测量序列。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述热状态信息包括所述定位装置在所述标记测量序列的所述执行之前的温度或温度估计。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述边界模型包括所述定位装置的热模型。6.根据权利要求3、4或5所述的方法，其中获取热状态信息包括：
·
接收工艺信息，所述工艺信息表示要由所述定位装置在所述标记测量序列的所述执行之前执行的工艺和/或表示要由所述定位装置在所述标记测量序列的所述执行之后执行的另外的工艺；
·
基于所述工艺信息和所述边界模型，确定所述热状态信息。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述工艺包括先前物体的曝光工艺，和/或其中所述另外的工艺包括所述物体的曝光工艺。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中确定所述标记测量序列包括：确定所述定位装置的位移参数，所述位移参数由所述定位装置在所述标记测量序列的执行期间应用。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述位移参数包括所述定位装置的速度、加速度或加加速度中的一项。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述位移参数包括所述定位装置在一个或多个预定方向上的速度、加速度或加加速度。11.根据权利要求9或10所述的方法，其中确定所述标记测量序列包括：确定所述定位装置在所述标记测量序列的所述执行期间的速度分布。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述速度分布包括X方向的速度分布和Y方向的速度分布，所述Y方向基本垂直于所述X方向，所述X方向和所述Y方向限定与包括所述多个标记的所述物体的表面基本平行的平面。13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中确定所述标记测量序列包括应用优化算法，诸如启发式优化算法。14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述标记测量序列是通过应用优化算法来确定的，所述优化算法的成本函数包括所述标记测量序列的执行的持续时间。15.根据权利要求14所述的方法，其中使用所述优化算法确定所述标记测量序列包括：使所述成本函数最小化。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述优化算法的所述成本函数包括所述定位装置在所述标记测量序列的所述执行期间和/或之后的热状态。17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中所述成本函数包括温度约束、功率约束或加速度约束。18.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中应用所述优化算法包括：
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确定多个可能的标记测量序列；
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使用所述成本函数，评估所述多个可能的标记测量序列；
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基于所述评估，选择所述可能的标记测量序列中的一个作为所述标记测量序列。19.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中应用所述优化算法包括：a.确定多个可能的标记测量序列；b.使用所述成本函数，评估所述多个可能的标记测量序列；c.基于所述评估，确定另外的多个可能的标记测量序列；d.使用所述成本函数，进一步评估所述另外的多个可能的标记测量序列；e.基于所述进一步评估，选择所述另外的可能的标记测量序...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：