本公开的基板处理装置(1)包括：液处理部(17)、干燥处理部(18)、输送部(16)以及气体供给部(124、35)。液处理部通过对基板(W)进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。气体。气体。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置和基板处理方法
[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0002]以往，在利用液体对半导体晶圆等基板的表面进行处理之后的干燥工序中，公知有以下技术：通过使被液体润湿了表面的状态下的基板与超临界状态的处理流体接触而使基板干燥。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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251550号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开的目的在于提供以下技术：在使用超临界状态的处理流体而使基板干燥的技术中，能够抑制微粒向基板的表面附着。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案的基板处理装置包括：液处理部、干燥处理部、输送部以及气体供给部。液处理部通过对基板进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，在使用超临界状态的处理流体而使基板干燥的技术中，能够抑制微粒向基板的表面附着。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基板处理系统的结构的图。
[0013]图2是表示实施方式的输送装置的结构的侧视图。
[0014]图3是表示实施方式的第1保持部的结构的俯视图。
[0015]图4是表示实施方式的第2保持部的结构的俯视图。
[0016]图5是表示实施方式的第2保持部的结构的侧剖视图。
[0017]图6是表示实施方式的液处理单元的结构的图。
[0018]图7是实施方式的干燥处理单元的外观立体图。
[0019]图8是实施方式的第3保持部的俯视图。
[0020]图9是实施方式的第3保持部的侧剖视图。
[0021]图10是表示实施方式的基板处理系统所执行的处理的步骤的流程图。
[0022]图11是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0023]图12是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0024]图13是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0025]图14是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0026]图15是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0027]图16是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0028]图17是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0029]图18是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0030]图19是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
[0031]图20是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
具体实施方式
[0032]以往，公知有以下技术：当在基板的表面形成液膜之后，使用超临界状态的处理流体而使基板干燥。
[0033]在此，当对在表面形成了液膜的基板进行输送时，基板的液膜的液体有可能向基板的背面迂回。若迂回到基板的背面的液体在之后的干燥处理中由于处理流体的流动而返回到基板的表面，则有可能在基板的附着有返回的液体的表面部分处产生微粒。
[0034]因此，在使用超临界状态的处理流体而使基板干燥的技术中，期望的是，抑制微粒向基板的表面附着。
[0035]以下，参照附图对用于实施本公开的基板处理装置和基板处理方法的形态(以下，记载为“实施方式”)进行详细地说明。另外，本公开的基板处理装置和基板处理方法并不被本实施方式所限定。此外，各实施方式能够在不使处理内容产生矛盾的范围内适当组合。此外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[0036]此外，在以下参照的各附图中，为了易于说明，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的直角坐标系。此外，有时将以铅垂轴线作为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
[0037]此外，在以下所示的实施方式中，虽然有时使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的表述，但是这些表述并不需要严密地为“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表述容许制造精度、设置精度等的偏差。
[0038]〔1.基板处理系统的结构〕
[0039]首先，参照图1对实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是表示实施方式的基板处理系统的结构的图。
[0040]如图1所示，基板处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。
[0041]送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有多个载体C，该多个载体C将多张半导体晶圆(以下，记载为“晶圆W”)以水平状态收纳。
[0042]输送部12与载体载置部11相邻地设置。在输送部12的内部配置输送装置13和交接部14。
[0043]输送装置13包括用于保持晶圆W的晶圆保持机构。此外，输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心回转，使用晶圆保持机构而在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
[0044]处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送模块4和多个处理模块5。
[0045]输送模块4包括输送区域15和输送装置16。输送区域15例如是沿着送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)延伸的长方体状的区域。在输送区域15配置输送装置16。
[0046]输送装置16包括用于保持晶圆W的晶圆保持机构。输送装置16能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心回转，使用晶圆保持机构而在交接部14与多个处理模块5之间进行晶圆W的输送。
[0047]多个处理模块5在输送区域15的两侧与输送区域15相邻地配置。具体地说，多个处理模块5配置在输送区域15的与送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上的一侧(Y轴正方向侧)和另一侧(Y轴负方向侧)。
[0048]各处理模块5包括液处理单元17、干燥处理单元18以及供给单元19。
[0049]液处理单元17进行对晶圆W的作为图案形成面的上表面进行清洗的清洗处理。此外，液处理单元17进行在清洗处理后的晶圆W的表面(上表面)形成液膜的液膜形成处理。后面叙述液处理单元17的结构。
[0050]干燥处理单元18对液膜形成处理后的晶圆W进行超临界干燥处理。具体地说，干燥处理单元18通过使液膜形成处理后的晶圆W与超临界状态的处理流体接触而使该晶圆W干燥。
[0051]干燥处理单元18包括进行超临界干燥处理的处理区域181和在输送模块4与处理区域181之间交接晶圆W的交接区域182。这些处理区域181和交接区域182沿着输送区本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：液处理部，其通过对基板进行液处理而使所述基板的表面润湿；干燥处理部，其配置在与所述液处理部不同的位置，用于进行使所述表面润湿的所述基板干燥的干燥处理；输送部，其从所述液处理部取出所述表面润湿的所述基板并将其向所述干燥处理部输送；以及气体供给部，其在从所述液处理部取出了所述表面润湿的所述基板之后到在所述干燥处理部开始所述干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向所述表面润湿的所述基板的背面供给气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述气体供给部包括设于所述输送部的第1气体供给部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述输送部包括：第1保持部，其从所述液处理部承接所述表面润湿的所述基板；第2保持部，其从所述第1保持部承接所述表面润湿的所述基板并将其向所述干燥处理部输送；以及水平移动机构，其使所述第1保持部和所述第2保持部在所述液处理部与所述干燥处理部之间移动，所述第1气体供给部设于所述第2保持部。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第2保持部包括：基座部，其配置于所述第1保持部的下方；以及多个支承构件，其能够相对于所述基座部升降，用于从下方支承所述表面润湿的所述基板，所述第1气体供给部设于所述基座部。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第2保持部还包括用于从侧方把持所述表面润...
【专利技术属性】
技术研发人员：山中励二郎，福井祥吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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