晶片的分离方法技术

本发明专利技术提供晶片的分离方法，能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明专利技术中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。分离。分离。

【技术实现步骤摘要】
晶片的分离方法


[0001]本专利技术涉及晶片的分离方法。

技术介绍

[0002]包含逆变器或转换器等功率器件的芯片通常是将在正面上形成有大量功率器件的晶片按照包含各个功率器件的每个区域进行分割而制造的。关于晶片，例如在使用磨削装置对背面侧进行磨削而薄化至规定的厚度之后，使用切削装置和激光加工装置等加工装置而分割成各个芯片。
[0003]近年来，作为下一代的功率器件用材料，碳化硅(SiC)备受瞩目。不过，碳化硅的硬度非常高。因此，在使用由碳化硅形成的晶片来制造包含功率器件的芯片的情况下，会产生各种问题。
[0004]例如当使用磨削装置对由碳化硅形成的晶片进行磨削时，在磨削中使用的磨削磨具的磨损量有可能增多。在该情况下，需要频繁地更换磨削磨具，因此会产生芯片的制造效率降低，并且制造成本也增加的问题。
[0005]作为将晶片薄化的方法，还已知有使用激光束的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，在对晶片照射激光束而在晶片的内部形成改质层和裂纹之后，对该晶片赋予外力，由此以改质层和裂纹为分离起点而将晶片分离。
[0006]另外，在搬送在各种工序中进行处理的晶片时，有可能在晶片的外周部产生碎裂和缺损。作为防止这样的碎裂和缺损的方法，已知有对晶片的外周部进行倒角即按照晶片的外周面向外侧呈凸状弯曲的方式对外周部进行削刮的方法(例如参照专利文献2)。
[0007]专利文献1：日本特开2017
‑
28072号公报
[0008]专利文献2：日本特开2017
‑<br/>183503号公报
[0009]在使用专利文献1所公开的方法将具有进行了倒角的外周部的晶片分离的情况下，有可能由于存在于外周面的凹凸而使激光束漫反射。在该情况下，激光束有可能无法会聚至晶片的外周部的内部而不能在外周部的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。
[0010]另外，在外周面弯曲的情况下，激光束的聚光点的位置(距离晶片的正面的深度)也有可能从假想的位置偏离。在该情况下，即使在外周部的内部形成了分离起点，形成于外周部的分割起点也会形成于与形成于其他部分的分离起点不同的位置(距离晶片的正面的深度)。
[0011]因此，在对晶片的进行了倒角的外周部照射激光束的情况下，该晶片有可能不分离，或者该晶片有可能分离成外周部与其他部分的厚度不同的两张晶片。

技术实现思路

[0012]鉴于该点，本专利技术的目的在于提供晶片的分离方法，能够将对外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。
[0013]根据本专利技术，提供晶片的分离方法，该晶片具有第一面、该第一面的相反侧的第二
面以及位于该第一面和该第二面之间的外周面，该外周面具有向外侧呈凸状弯曲的弯曲部，该晶片的分离方法将该晶片分离成该第一面侧和该第二面侧的两张晶片，其中，该晶片的分离方法具有如下的步骤：加工步骤，按照沿着该弯曲部将该晶片的一部分去除的方式对该晶片进行加工；分离起点形成步骤，在该加工步骤之后，按照将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部并将该聚光点维持在该晶片的内部的方式一边使该聚光点与该晶片相对地移动一边照射该激光束，由此在该晶片的内部形成分离起点；以及分离步骤，在该分离起点形成步骤之后，赋予外力而将该晶片从该分离起点分离成具有该第一面的晶片和具有该第二面的晶片。
[0014]优选该弯曲部具有呈圆弧状延伸的第一部分和呈直线状延伸的第二部分，在该加工步骤中，按照沿着该第一部分将该晶片的一部分呈圆弧状去除并且沿着该第二部分将该晶片的一部分呈直线状或圆弧状去除的方式对该晶片进行加工。
[0015]另外，优选在该加工步骤中，从该晶片将全部的该弯曲部去除。
[0016]或者，优选在该加工步骤中，从该晶片的该第一面侧将该弯曲部的该第一面侧的一部分去除，在该分离起点形成步骤中，将该聚光点定位于该晶片的该第一面与残留的该弯曲部之间的深度。
[0017]或者，优选在该加工步骤中，从该晶片的该第一面侧将该晶片的该第一面侧的一部分去除而形成槽，在该分离起点形成步骤中，将该聚光点定位于该晶片的该第一面与该槽的底面之间的深度，对该晶片的比该槽靠内侧的区域照射该激光束。
[0018]另外，优选在该加工步骤中，使切削刀具切入至该晶片而将该晶片的一部分去除。
[0019]在本专利技术中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。
附图说明
[0020]图1的(A)是示意性示出晶片的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的剖视图。
[0021]图2是示出晶片的分离方法的一例的流程图。
[0022]图3是示意性示出对晶片进行全切割修整的加工步骤的局部剖视侧视图。
[0023]图4是示意性示出对晶片进行半切割修整的加工步骤的局部剖视侧视图。
[0024]图5是示意性示出在晶片上形成沿着弯曲部的槽的加工步骤的局部剖视侧视图。
[0025]图6的(A)、图6的(B)和图6的(C)分别是示意性示出在加工步骤中进行了加工的晶片的剖视图。
[0026]图7是示意性示出在全切割修整后的晶片中形成分离起点的分离起点形成步骤的局部剖视侧视图。
[0027]图8是示意性示出在半切割修整后的晶片中形成分离起点的分离起点形成步骤的局部剖视侧视图。
[0028]图9是示意性示出在形成有沿着弯曲部的槽的晶片中形成分离起点的分离起点形成步骤的局部剖视侧视图。
[0029]图10是示意性示出将晶片分离的分离步骤的局部剖视侧视图。
[0030]标号说明
[0031]11：晶片；11a：第一面(正面)；11b：第二面(背面)；11c：外周面；11d：改质层；11e：裂纹；11f：残留的弯曲部；11g：槽；13：分割预定线；15：器件；17a、17b：定向平面；19、21：带；2：切削装置；4：θ台；6：卡盘工作台；6a：框体；8：切削单元；10：主轴；12：切削刀具；20：激光束照射装置；22：工作台基台；24：卡盘工作台；26：头；30：超声波照射装置；32：液槽；34：载置台；36：超声波照射单元。
具体实施方式
[0032]参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。图1的(A)和图1的(B)是示意性示出要分离成两张晶片的晶片的俯视图和剖视图。图1的(A)和图1的(B)所示的晶片11例如由碳化硅(SiC)形成。
[0033]晶片11具有第一面(正面)11a、第一面11a的相反侧的第二面(背面)11b以及位于第一面11a和第二面11b之间的外周面11c。并且，晶片11的第一面11a侧由相互交叉的多条分割预定线13划分成多个区域，在各区域内形成有逆变器或转换器等器件15。
[0034]在晶片11的外周面11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的分离方法，该晶片具有第一面、该第一面的相反侧的第二面以及位于该第一面和该第二面之间的外周面，该外周面具有向外侧呈凸状弯曲的弯曲部，该晶片的分离方法将该晶片分离成该第一面侧和该第二面侧的两张晶片，其特征在于，该晶片的分离方法具有如下的步骤：加工步骤，按照沿着该弯曲部将该晶片的一部分去除的方式对该晶片进行加工；分离起点形成步骤，在该加工步骤之后，按照将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部并将该聚光点维持在该晶片的内部的方式一边使该聚光点与该晶片相对地移动一边照射该激光束，由此在该晶片的内部形成分离起点；以及分离步骤，在该分离起点形成步骤之后，赋予外力而将该晶片从该分离起点分离成具有该第一面的晶片和具有该第二面的晶片。2.根据权利要求1所述的晶片的分离方法，其中，该弯曲部具有呈圆弧状延伸的第一部分和呈直线状延伸的第二部分，在该加工步骤中，按照沿着该第一部分将该晶片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：野本朝辉，平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：