加热装置和加热方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供加热装置和加热方法，即使在使用输出功率小的电源的情况下，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。加热基片的加热装置包括：支承基片的支承部；和光照射单元，其通过照射光来加热支承于上述支承部的基片，上述光照射单元被设定多个区块，按各上述区块，对支承于上述支承部的基片的一个面的彼此不同的部分照射光，在由上述光照射单元进行加热时，多个上述区块中所使用的上述区块为一部分并依次被切换。并依次被切换。并依次被切换。

【技术实现步骤摘要】
加热装置和加热方法


[0001]本专利技术涉及加热装置和加热方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种用于在被保持为真空的真空室与大气气氛的空间之间输送基片的负载锁定装置。该负载锁定装置包括：能够使压力在真空室所对应的压力与大气压之间改变的容器；被设置成能够在该容器与真空室之间开闭的第一开闭机构；以及被设置成能够在该容器与大气气氛的空间之间开闭的第二开闭机构。而且，负载锁定装置还包括压力调节机构，其能够在将第一开闭机构打开而容器内与真空室连通时，将容器内的压力调节为与真空度对应的压力，并在将第二开闭机构打开而容器内与大气气氛的空间连通时，将容器内的压力调节为大气压。此外，负载锁定装置包括设置于容器内的载置基片的载置台和对设置于载置台的基片进行加热的加热机构，加热机构具有搭载了固态发光元件的加热源。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
76705号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术即使在使用输出功率小的电源的情况下，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一方面为一种加热基片的加热装置，其包括：支承基片的支承部；和光照射单元，其通过照射光来加热支承于上述支承部的基片，上述光照射单元被设定多个区块，按各上述区块，对支承于上述支承部的基片的一个面的彼此不同的部分照射光，在由上述光照射单元进行加热时，多个上述区块中所使用的上述区块为一部分并依次被切换。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，即使使用输出功率小的电源，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。
附图说明
[0012]图1是表示作为包括第一实施方式的加热装置的基片处理系统的晶片处理系统的概要结构的俯视图。
[0013]图2是表示负载锁定装置的概要结构的纵截面图。
[0014]图3是表示加热部的概要结构的截面图。
[0015]图4是说明光照射单元的区块划分的方式的俯视图。
[0016]图5是说明各区块的区域划分的方式的俯视图。
[0017]图6是用于说明加热用区块的切换方式的图。
[0018]图7是表示作为第二实施方式的加热装置的负载锁定装置的概要结构的纵截面图。
[0019]图8是表示保温板的概要结构的俯视图。
[0020]图9是用于说明光照射单元的区块划分的另一例的俯视图。
[0021]图10是表示区域组的概要的俯视图。
[0022]图11是说明光照射单元的区块划分的又一例的图。
[0023]附图标记说明
[0024]12、13负载锁定装置
[0025]120
ꢀꢀꢀꢀ
支承销
[0026]R
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
区域
[0027]U
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
光照射单元
[0028]W
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶片
[0029]Z
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
区块。
具体实施方式
[0030]在半导体装置的制造过程等中，进行加热半导体晶片(以下称为“晶片”)等基片的处理。
[0031]作为基片的加热处理的方式，如专利文献1那样，有使用由在支承体搭载多个固体发光元件而成的多个固体发光元件阵列构成的加热源的方式。在专利文献1中，通过使作为加热对象体的基片吸收固体发光元件产生的电磁波(光)来加热基片。
[0032]如专利文献1，在使用由多个固态发光元件阵列构成的加热源的情况下，例如同时利用所有多个固态发光元件阵列，来加热基片。然而，在同时利用所有多个固态发光元件阵列的情况下，作为对加热源供给功率的电源，需要输出功率大的电源。输出功率大的电源既昂贵又大。
[0033]因此，本专利技术的技术即使在使用输出功率小的电源的情况下，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。
[0034]以下，参照附图，对本实施方式的加热装置和加热方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于具有基本相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，而省略重复说明。
[0035](第一实施方式)
[0036]图1是表示作为包括第一实施方式的加热装置的基片处理系统的晶片处理系统1的概要结构的俯视图。晶片处理系统1对作为基片的晶片W，在减压下进行例如成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等规定的处理。
[0037]晶片处理系统1具有将承载器站10和处理站11连接为一体的结构，承载器站10送入送出能够收纳多个晶片W的承载器C，处理站11包括在减压下对多个晶片W实施规定的处理的各种处理装置。承载器站10和处理站11经由两个负载锁定装置12、13连结。
[0038]负载锁定装置12、13具有形成负载锁定室12a、13a的壳体，负载锁定室12a、13a构成为能够将室内在大气压状态与真空状态之间切换。负载锁定装置12、13被设置成能够将
后述的大气压输送装置20和真空输送装置30连结。负载锁定装置12如后所述具有加热部，在本实施方式中也作为加热晶片W的加热装置发挥作用，具体而言，作为在将晶片W输送到处理装置40～43之前加热晶片W的加热装置发挥作用。负载锁定装置13也是同样的。负载锁定装置12的详细结构在后文说明。
[0039]承载器站10具有大气压输送装置20和承载器载置台21。此外，在承载器站10可以还设置有调节晶片W的朝向的对准器(未图示)。
[0040]大气压输送装置20具有形成室内处于大气压下的大气输送室22的壳体。大气输送室22经由闸门(gate valve)G1、G2与负载锁定装置12、13的负载锁定室12a、13a连接。在大气输送室22内设置有在大气压下在其与负载锁定室12a、13a之间输送晶片W的输送机构23。
[0041]输送机构23具有两个输送臂23a、23b。输送臂23a、23b由在前端设置有作为保持晶片W的基片保持部的晶片保持部的多关节臂构成。而且，输送机构23构成为由输送臂23a、23b中的任一者一边保持晶片W一边输送晶片W。
[0042]承载器载置台21在大气压输送装置20中设置于负载锁定装置12、13的相反侧的侧面。在图示的例子中，在承载器载置台21能够载置多个(例如，3个)承载器C。载置于承载器载置台21的承载器C内的晶片W，由大气压输送装置20的输送机构23的输送臂23a、23b送入送出大气输送室22。
[0043]处理站11具有真空输送装置30和处理装置40～43。
[0044]真空输送装置30具有形成室内被保持为减压状态(真空状态)的真空输送室31的壳体，该壳体构成为可密闭的，例如形成为在俯视时呈大致多边形状(图示的例子中为六边形)。真空输送室31经由闸门G3、G4与负载锁定装置12、13的负载锁定室12a、13a连接。在真空输送室31内设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热基片的加热装置，其特征在于，包括：支承基片的支承部；和光照射单元，其通过照射光来加热支承于所述支承部的基片，所述光照射单元被设定多个区块，按各所述区块，对支承于所述支承部的基片的一个面的彼此不同的部分照射光，在由所述光照射单元进行加热时，多个所述区块中所使用的所述区块为一部分并依次被切换。2.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于：还包括保温板，所述保温板抑制支承于所述支承部的基片中的没有成为所述光照射单元的加热对象的部分的温度下降。3.如权利要求2所述的加热装置，其特征在于：还包括构成为能够使所述保温板旋转的旋转机构，所述保温板设置在支承于所述支承部的基片与所述光照射单元之间的位置，形成有供所述光通过的开口，多个所述区块沿周向排列，在由所述光照射单元进行加热时，多个所述区块中所使用的所述区块沿所述周向依次被切换，并且所述旋转机构使所述保温板与该切换同步地旋转。4.如权利要求1～3中任一项所述的加热装置，其特征在于：还包括一个电流传感器，其检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本贵史，高桥裕之，冈野真也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：