电压发生电路、包括其的半导体设备和电压偏移校准系统技术方案

本申请涉及电压发生电路、包括其的半导体设备和电压偏移校准系统。一种电压发生电路包括：多个整流电路，其依据多个第一控制信号而被选择性地激活，并且根据能够依据多个第二控制信号被独立地调整的相应参考电压来生成内部电压；检测电路，其通过比较在多个整流电路中的每个中生成的预检测信号和参考信号来生成检测信号；以及储存电路，其存储从外部系统提供的预选择信号，并向多个整流电路的每个输出所存储的信号作为多个第二控制信号。出所存储的信号作为多个第二控制信号。出所存储的信号作为多个第二控制信号。

【技术实现步骤摘要】
电压发生电路、包括其的半导体设备和电压偏移校准系统


[0001]各个实施方式总体上涉及半导体电路，并且具体地涉及电压发生电路、包括其的半导体设备和电压偏移校准系统。

技术介绍

[0002]半导体设备包括多个整流电路，多个整流电路用于通过调整(trim)从半导体设备外部提供的电源(即，外部电源)的电压电平来生成内部电压以在半导体设备内部使用。
[0003]内部电压可以在存储器核心、外围电路、用于信号处理的输入/输出电路等中使用。
[0004]可以考虑到使用相应内部电压的负载(即存储器核心、外围电路、用于信号处理的输入/输出电路等)的位置，而以分布式方式来设置多个整流电路。
[0005]在生成相同内部电压的整流电路之间存在偏移(即，电压电平偏移)的情况下，一些整流电路可能无法以典型方式操作，因此可能无法将内部电压电平保持在目标电平，这会降低整个系统的操作性能。

技术实现思路

[0006]各种实施方式涉及能够检测和补偿整流电路的电压偏移的电压发生电路、包括其的半导体设备和电压偏移校准系统。
[0007]在实施方式中，一种电压发生电路可以包括：多个整流电路，其依据多个第一控制信号而被选择性地激活，并且根据能够依据多个第二控制信号被独立地调整的相应参考电压来生成内部电压；检测电路，其通过比较在多个整流电路中的每个中生成的预检测信号和参考信号来生成检测信号；以及储存电路，其存储从外部系统提供的预选择信号，并且向多个整流电路中的每个输出所存储的信号作为多个第二控制信号。
[0008]在实施方式中，一种半导体设备可以包括：多个整流电路，其依据多个第一控制信号而被选择性地激活，并且根据能够依据多个第二控制信号被独立地调整的相应参考电压来生成内部电压；检测电路，其通过比较在多个整流电路的每个中生成的预检测信号和参考信号来生成检测信号；以及状态机，其选择性地激活多个第一控制信号和调整多个第二控制信号的值，并且通过监测所得检测信号来存储在多个整流电路的输出偏移校准完成时的多个第二控制信号的值。
[0009]在实施方式中，一种电压偏移校准系统可以包括：半导体设备，其依据控制信号，向半导体设备的外部输出通过操作半导体设备内配置的多个整流电路而生成的检测信号；以及外部系统，其生成控制信号，并通过根据通过使用控制信号调整多个整流电路中的每个的参考电压来监测检测信号，从而校准多个整流电路中的每个的输出电压的偏移。
附图说明
[0010]图1是例示根据本公开的实施方式的电压偏移校准系统的配置示例的表示的图。
[0011]图2是例示图1所示的电压发生电路的配置示例的表示的图。
[0012]图3是例示图2所示的第一整流电路的配置示例的表示的图。
[0013]图4是例示图2所示的检测电路的配置示例的表示的图。
[0014]图5是例示图2所示的参考电压发生电路的配置示例的表示的图。
[0015]图6是例示图2所示的开关电路的配置示例的表示的图。
[0016]图7是例示根据本公开的另一实施方式的电压偏移校准系统的配置示例的表示的图。
[0017]图8是例示图7所示的电压发生电路的配置示例的表示的图。
具体实施方式
[0018]在下文中，将通过实施方式的各种示例参照附图在下面描述电压发生电路、包括其的半导体设备以及电压偏移校准系统。
[0019]图1是例示根据本公开的实施方式的电压偏移校准系统1的配置示例的表示的图。
[0020]参照图1，根据本公开的实施方式的电压偏移校准系统1可以包括半导体设备10和外部系统20。
[0021]半导体设备10可以依据从外部系统20提供的控制信号向外部系统20提供检测信号VGCMP，该检测信号VGCMP是通过操作配置在半导体设备10内的整流电路而生成的。
[0022]半导体设备10可以包括存储器区域11、输入/输出电路区域12和电压发生电路100。
[0023]电压发生电路100可以设置在功能电路区域13中。
[0024]功能电路区域13可以包括用于执行与半导体设备10的操作有关的各种功能的电路。
[0025]电压发生电路100可以通过调整外部电源的电压电平来生成内部电压以在功能电路区域13、存储器区域11和输入/输出电路区域12中使用。
[0026]电压发生电路100可以包括用于生成内部电压的整流电路，并且整流电路可以以分布式方式设置在功能电路区域13中。
[0027]电压发生电路100可以依据从外部系统20提供的控制信号通过操作配置在电压发生电路100中的整流电路来生成检测信号VGCMP。
[0028]输入/输出电路区域12可以相对于存储器区域11和外部系统20执行数据发送/接收操作。
[0029]输入/输出电路区域12可以包括多个焊盘，例如，数据焊盘、命令/地址焊盘、电源焊盘和额外焊盘。
[0030]输入/输出电路区域12可以通过多个焊盘中的至少一个向外部系统20提供检测信号VGCMP。
[0031]多个焊盘中的一些可以是数据焊盘、命令/地址焊盘、电源焊盘和额外焊盘当中的任意一个焊盘或更多个焊盘。
[0032]外部系统20可以包括例如测试装备或存储器控制器。
[0033]外部系统20可以执行电压强制操作，即，向半导体设备10施加电压，从而使半导体设备10的整流电路的输出端子的电平与内部电压的目标电平相同的操作。
[0034]外部系统20可以通过调整半导体设备10的每个整流电路的参考电压并监测从半导体设备10提供的所得检测信号VGCMP，来校准每个整流电路的输出电压的偏移。
[0035]外部系统20可以生成用于控制半导体设备10使得生成检测信号VGCMP的控制信号。
[0036]图2是例示图1所示的电压发生电路100的配置示例的表示的图。
[0037]参照图2，电压发生电路100可以包括多个整流电路(例如，第一整流电路110至第四整流电路140)、检测电路150、参考电压发生电路160、储存电路170和开关电路180。
[0038]第一整流电路110至第四整流电路140可以被配置为生成内部电压VCCI。
[0039]第一整流电路110至第四整流电路140的输出线可以共同联接，并且多个负载LD可以联接到共同联接的输出线。
[0040]多个负载LD可以被包括在以上参照图1描述的功能电路区域13中。
[0041]多个负载LD可以以分布式方式设置在功能电路区域13的整个区域上。
[0042]考虑到多个负载LD的位置和距离，第一整流电路110至第四整流电路140可以以分布式方式设置在功能电路区域13中。
[0043]可以依据多个第一控制信号VGEN<1：4>和内部电压使能信号VCCIEN来激活第一整流电路110至第四整流电路140。
[0044]多个第一控制信号VGEN<1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压发生电路，该电压发生电路包括：多个整流电路，所述多个整流电路依据多个第一控制信号而被选择性地激活，并且根据能够依据多个第二控制信号被独立地调整的相应参考电压来生成内部电压；检测电路，所述检测电路通过比较在所述多个整流电路中的每一个中生成的预检测信号和参考信号来生成检测信号；以及储存电路，所述储存电路存储从外部系统提供的预选择信号，并且输出所存储的信号作为所述多个第二控制信号。2.根据权利要求1所述的电压发生电路，该电压发生电路还包括：开关电路，所述开关电路依据所述多个第一控制信号来将共同联接到所述多个整流电路的相应输出线的第一节点联接到焊盘。3.根据权利要求2所述的电压发生电路，其中，所述开关电路包括：开关，所述开关联接在所述第一节点与所述焊盘之间；以及逻辑门，所述逻辑门在所述多个第一控制信号当中的任何一个为第一逻辑电平时使所述开关接通。4.根据权利要求2所述的电压发生电路，其中，所述多个整流电路的输出端子的电平通过经由所述焊盘的电压强制而被设置为与所述内部电压的目标电平相同的电压电平。5.根据权利要求1所述的电压发生电路，其中，所述多个整流电路中的每一个包括：差分放大器，所述差分放大器输出将所述参考电压和反馈电压进行比较的结果；驱动器，所述驱动器通过依据所述差分放大器的输出来驱动外部电压而生成所述内部电压；分压电阻器，所述分压电阻器通过对所述内部电压进行分压来输出所述反馈电压；复用器，所述复用器通过依据所述多个第二控制信号的一部分选择多个预参考电压当中的一个来输出所述参考电压；以及开关，所述开关依据所述多个第一控制信号的一部分来输出所述差分放大器的输出作为所述预检测信号。6.根据权利要求5所述的电压发生电路，该电压发生电路还包括：逻辑门，所述逻辑门依据对所述多个第一控制信号的所述一部分与内部电压使能信号进行“或”运算的结果来激活所述差分放大器，所述内部电压使能信号用于在典型操作中激活所述多个整流电路。7.根据权利要求1所述的电压发生电路，其中，所述检测电路包括：驱动器，所述驱动器依据所述预检测信号来驱动与外部电压相对应的电流；以及比较器，所述比较器通过将根据参考电流源的所述参考信号与由所述驱动器驱动的所述电流进行比较来生成所述检测信号。8.一种半导体设备，该半导体设备包括：多个整流电路，所述多个整流电路依据多个第一控制信号而被选择性地激活，并且根据能够依据多个第二控制信号被独立地调整的相应参考电压来生成内部电压；检测电路，所述检测电路通过比较在所述多个整流电路中的每一个中生成的预检测信号和参考信号来生成检测信号；以及状态机，所述状态机选择性地激活所述多个第一控制信号和调整所述多个第二控制信
号的值，并且通过监测所得检测信号来存储在所述多个整流电路的输出偏移校准完成时的所述多个第二控制信号的值。9.根据权利要求8所述的半导体设备，该半导体设备还包括：开关电路，所述开关电路依据所述多个第一控制信号来将共同联接到所述多个整流电路的相应输出线的第一节点联接到焊盘。10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中，所述开关电路包括：开关，所述开关联接在所述第一节点与所述焊盘之间；以及逻辑门，所述逻辑门在所述多个第一控制信号当中的任何一个为第一逻辑电平时使所述开关接通。11.根据权利要求9所述的半导体设备，其中，所述多个整流电路的输出端子的电平通过经由所述焊盘的来自所述半导体设备外部的系统的电压的电压强制而被设置为与所述内部电压的目标电平相同的电压电平。12.根据权利要求8所述的半导体设备，其中，所述多个整流电路中的每一个包括：差分放大器，所述差分放大器输出将所述参考电压和反馈电压进行比较的结果；驱动器，所述驱动器通过依据所述差分放大器的输出来驱动外部电压而生成所述内部电压；分压电阻器，所述分压电阻器通过对所述内部电压进行分压来输出所述反馈电压；复用器，所述复用器通过依据所述多个第二控制信号的一部分选择多个预参考电压当中的一个来输出所述参考电压；以及开关，所述开关依据所述多个第一控制信号的一部分来输出所述差分放大器的输出作为所述预检测信号。13.根据权利要求12所述的半导体设备，该半导体设备还...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明焕，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：